（文章來(lái)源：EEWORLD）
內(nèi)存——尤其是DRAM——已經(jīng)成為人們關(guān)注的焦點(diǎn)，因?yàn)樗l(fā)現(xiàn)自己正處在提高系統(tǒng)性能的關(guān)鍵路上。

這并不是DRAM第一次成為人們關(guān)注的焦點(diǎn)。問(wèn)題是，并不是所有的事情都以相同的速度發(fā)展，從處理器性能到晶體管設(shè)計(jì)，甚至到制造這些設(shè)備的技術(shù)，所有的事情都出現(xiàn)了串行瓶頸?，F(xiàn)在輪到回憶了。Rambus的IP核心產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)總監(jiān)Frank Ferro表示:“在瓶頸方面，內(nèi)存系統(tǒng)再次處于前沿。人工智能正在推動(dòng)對(duì)內(nèi)存容量和帶寬的巨大需求。為了讓DRAM市場(chǎng)保持活躍，可能需要進(jìn)行規(guī)?；⒎庋b，甚至是激進(jìn)的存儲(chǔ)單元（bit-cell）的創(chuàng)新。

為了滿足我們對(duì)內(nèi)存的需求，將當(dāng)前的DRAM擴(kuò)展到更小的維度以增加容量是一種明顯的策略。但是DRAM可能會(huì)遇到規(guī)模束縛。所以我們就需要新方法。也就是說(shuō)，DRAM的擴(kuò)展結(jié)束之前已經(jīng)被錯(cuò)誤地預(yù)測(cè)過(guò)了。十多年前，ITRS的路線圖說(shuō)90nm制程將是DRAM的發(fā)展方向。Objective Analysis總負(fù)責(zé)人Jim Handy表示，我們現(xiàn)在處于16nm (1z)的位置。

DRAM有幾種不同的風(fēng)格，能夠吸引不同的應(yīng)用，甚至在人工智能中也是如此。對(duì)于ML訓(xùn)練，HBM是優(yōu)先的選擇。這是一種超過(guò)摩爾的方法，將很多個(gè)DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起，實(shí)現(xiàn)大容量，高位寬的DDR組合陣列。這是一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù)，而且這種能力是要付出代價(jià)的，但ML-training件制造商愿意為此付出代價(jià)。

除了普通的DDR內(nèi)存，還有最初用于圖形的GDDR和用于低功耗的LPDDR。后兩者正被應(yīng)用于汽車(chē)中的邊緣推理和高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)，以尋求容量、延遲、帶寬、功率和價(jià)格的平衡。

Rambus研究員、著名發(fā)明家Steven Woo表示:“DRAM有很多吸引人的特點(diǎn)，包括讀寫(xiě)時(shí)間、功率和無(wú)限的續(xù)航能力?！边@些特性為任何其他想要挑戰(zhàn)DRAM的技術(shù)或方法設(shè)置了很高的門(mén)檻。Cadence的IP集團(tuán)產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)馬克格林伯格(Marc Greenberg)表示，“就其售價(jià)而言，這是一項(xiàng)令人震驚的技術(shù)，”然而，如果DRAM停止縮放會(huì)發(fā)生什么呢?隨著時(shí)間的推移，這些優(yōu)勢(shì)會(huì)消失嗎?

所有DRAM變體的核心是基本存儲(chǔ)單元bit cel——電容器。Greenberg 解釋?zhuān)骸癉RAM基本上是一個(gè)模擬電路。它們不會(huì)像數(shù)字電路那樣縮小，”縮放到更小的尺寸意味著縮小電容器的尺寸。這使得每個(gè)電容層上剩下的電子更少，這使得存儲(chǔ)單元的狀態(tài)更不穩(wěn)定。所以，訣竅在于找到一種方法，把更多的電子放到一個(gè)占地面積更小的電容器上。

使這成為可能的第一個(gè)變化是制造一個(gè)垂直型電容器結(jié)構(gòu)而不是一個(gè)水平的。這樣可以使電容器表面垂直放置，使其在不影響芯片表面的情況下生長(zhǎng)。但這種增長(zhǎng)是有限度的。據(jù)TechInsights的退休研究員Dick James介紹，即使是現(xiàn)在，DRAM存儲(chǔ)單元的縱橫比也高達(dá)30:1。Rambus指出，相比之下，迪拜的哈利法塔的高寬比僅為6:1，這僅為迪拜塔的五分之一。

當(dāng)這些錐形圓柱體的底部縮小，以便更多的東西可以裝到芯片上時(shí)，高度必須增加，以保持相同的電容器表面積，從而推動(dòng)長(zhǎng)徑比。Handy:“超高k電介質(zhì)可以通過(guò)增加每區(qū)域的電容來(lái)進(jìn)一步利用DRAM，盡管這些材料很難管理?！?/p>

簡(jiǎn)化DRAM存儲(chǔ)單元電容，不按比例放大。先進(jìn)的縱橫比可以是這里所示的兩倍。DRAM已經(jīng)突破了許多預(yù)測(cè)的限制，到目前為止，這種情況還在繼續(xù)?；颈壤A(yù)計(jì)通過(guò)1γ(γ)節(jié)點(diǎn)的發(fā)展。提前1 1α和β,節(jié)點(diǎn)之間有1.5到2年, 這花了我們6年的時(shí)間。HBM也提供了更大的容量與給定的存儲(chǔ)單元。隨著堆碼技術(shù)成本的下降，這也有助于延長(zhǎng)DRAM壽命。

除容量之外，帶寬是另一個(gè)主要需求。Rambus的Woo表示，這一速度每5到6年就翻一番。雖然這有助于更快地提取內(nèi)容，但也使線路設(shè)計(jì)更加精巧。對(duì)于記憶內(nèi)外的信號(hào)而言，內(nèi)存完整性是一個(gè)重要的問(wèn)題。此外，數(shù)據(jù)速率也對(duì)電源構(gòu)成了挑戰(zhàn)。特別是對(duì)于ML系統(tǒng)，數(shù)據(jù)移動(dòng)是功率的主要貢獻(xiàn)因素，因此必須在增加帶寬的同時(shí)盡量降低功率。

參考建筑技術(shù)也有助于更好地利用我們的記憶，部分原因是成本原因。Handy表示，手機(jī)已經(jīng)從使用NOR flash和SRAM轉(zhuǎn)向使用NAND flash和DRAM。這使得設(shè)計(jì)更具挑戰(zhàn)性，但NAND閃存和DRAM的低成本使其值得一做。雖然這可能會(huì)大量使用到DRAM，但另一種技術(shù)已經(jīng)在侵蝕了DRAM市場(chǎng)。事實(shí)證明，更大的平均延遲不是通過(guò)添加更多的DRAM來(lái)實(shí)現(xiàn)的，而是通過(guò)在快速內(nèi)存之后添加更多的Flash來(lái)實(shí)現(xiàn)的。Handy在一個(gè)單獨(dú)的博客中詳細(xì)說(shuō)明了原因，因?yàn)樗皇侵庇^的。

盡管考慮了所有這些因素，DRAM的需求似乎并沒(méi)有減少，問(wèn)題仍然是擴(kuò)展能持續(xù)多久，以及之后會(huì)發(fā)生什么。
（責(zé)任編輯：fqj）