片狀電阻有三層電極結(jié)構(gòu) ，面電極是銀電極 ，中間電極是鎳鍍層 ，外部電極是錫鍍層 、面電極材料是金屬導(dǎo)電體 ，二次保護(hù)包裹層是非金屬不導(dǎo)電體 ，交界線(xiàn)區(qū)域電鍍層很薄或未形成導(dǎo)電層 ，從而產(chǎn)生空隙或是縫 隙 ，特別是當(dāng)絲網(wǎng)印刷漏印二次保護(hù)層邊界不整齊 ，基體二次保護(hù)與電極鍍層之間交 接處是最弱點(diǎn) 、侵入過(guò)程如圖1所 示 ，外界含硫腐蝕氣體通過(guò)二次保護(hù)層 與電極之間的交界處滲透到面電極 ，與其化合使面電極的銀產(chǎn)生硫化生成化合物Ag2S，F(xiàn)lqT-Ag2S (高阻率)導(dǎo) 電率 低使電阻失去導(dǎo)電能力失效 。

為了避免電阻硫化，最好的方法是使用防硫化電阻（或全薄膜工藝電阻，或插件電阻）。是通過(guò)延長(zhǎng)二次保護(hù)包覆層設(shè)計(jì)尺寸，同時(shí)讓底層電極覆蓋上二次保護(hù)，并達(dá)到一定尺寸，在電鍍時(shí)，Ni層和Sn層均能容易地覆蓋上二次保護(hù)層。這樣避免了相對(duì)薄弱的二次保護(hù)包覆層邊緣直接暴露于空氣環(huán)境中，提高了產(chǎn)品的防硫化能力。

設(shè)計(jì)思路是從包封、覆蓋角度出發(fā)的。ROHM公司的防硫化電阻設(shè)計(jì)，保護(hù)層采用碳系導(dǎo)電樹(shù)脂膠，覆蓋在面電極上，并延伸到二次保護(hù)層上。另一種防硫化電阻設(shè)計(jì)是從材料角度出發(fā)，如：提高面電極Ag/Pd漿料中鈀的含量，把鈀的含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù))從通常的0.5%提高到10%以上，由于漿料中鈀含量的提高，鈀的穩(wěn)定性提高了電阻抗硫化能力。實(shí)驗(yàn)證實(shí)，這種方法有效。

總的來(lái)說(shuō)，防硫化電阻設(shè)計(jì)有兩種思路，一種思路是從包封覆蓋角度出發(fā)，另一種思路是從材料角度出發(fā)。相對(duì)而言從材料角度出發(fā)，能更好保證電阻不被硫化。涂敷三防漆PCB單板組件涂敷三防漆，這樣增加了一層保護(hù)膜，起到隔絕空氣防止電阻硫化的作用。

相對(duì)普通產(chǎn)品，抗硫化電阻加印一層高導(dǎo)熱的聚氨酯灌封膠，起保護(hù)作用。

全封閉設(shè)計(jì)灌膠的模塊電源采用全六面封裝結(jié)構(gòu)。這種方法需要實(shí)踐去檢驗(yàn)，因?yàn)槟K電源在它的引出腳，即：針腳周?chē)茈y真正做到完全密閉。還有一個(gè)解決方法，就是采用真正的氣密性結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，模塊電源內(nèi)部充入氮?dú)饣驓鍤?，這個(gè)主要應(yīng)用在軍工或航空航天產(chǎn)品中。開(kāi)放式結(jié)構(gòu)既然硅膠對(duì)硫化物有吸附作用，還有一種方法就是舍棄灌封硅膠采用開(kāi)放式結(jié)構(gòu)。開(kāi)放式結(jié)構(gòu)要從提高電源的轉(zhuǎn)換效率，器件熱分布均勻，強(qiáng)制散熱等方面去綜合考慮。從目前來(lái)看，開(kāi)放式結(jié)構(gòu)的模塊電源雖有硫化案例，但相比于采用灌封硅膠的模塊，電源硫化風(fēng)險(xiǎn)大大降低。陶瓷基板電源模塊電源采樣陶瓷基板，直接將電阻印制在陶瓷基板上，陶瓷基板有很好的導(dǎo)熱性。但陶瓷基板一定要涂敷三防漆，以防止在高溫高濕、電場(chǎng)力的作用下的銀遷移，從而避免線(xiàn)路之間出現(xiàn)短路。IC封裝電源采用IC封裝電源。由于IC封裝電源和IC芯片一樣，具有優(yōu)良的密封性，它完全可以隔斷外界含硫氣體同電源內(nèi)部厚膜片式電阻接觸。

抗硫化產(chǎn)品適用于環(huán)境較為惡劣或需求長(zhǎng)期穩(wěn)定性的場(chǎng)合。