技術(shù)日新月異，我們每天都走在創(chuàng)新的路上，獲取前沿的領(lǐng)域知識(shí)，并轉(zhuǎn)化為自己的成果，創(chuàng)造出更適合用戶的產(chǎn)品。在這一路上，貿(mào)澤電子始終會(huì)伴你左右，并隨時(shí)提供最新的采購情報(bào)，希望借此能為你帶來更多創(chuàng)新和靈感，以下是本周新品情報(bào)，請及時(shí)查收：

支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)

TI LMG341xR050 GaN

Texas Instruments（TI）的LMG341xR050氮化鎵（GaN）功率級。這款600V、500mΩ的器件具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器和強(qiáng)大的保護(hù)功能，可讓設(shè)計(jì)人員在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費(fèi)類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。 TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，以及可將開關(guān)損耗降低多達(dá)80%的零反向恢復(fù)。此器件的集成式柵極驅(qū)動(dòng)器支持100V/ns開關(guān)，實(shí)現(xiàn)幾乎為零的VDs振鈴，其微調(diào)柵極偏置電壓可通過補(bǔ)償閾值變化確?？煽壳袚Q。此功率級集成了一系列獨(dú)特的功能，比如圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）結(jié)構(gòu)等密集高效拓?fù)?，讓設(shè)計(jì)人員能夠優(yōu)化電源性能并提高可靠性。 LMG341xR050 GaN功率級擁有強(qiáng)大的保護(hù)功能，不需要外部保護(hù)元件，即可提供過熱保護(hù)、瞬態(tài)電壓抗擾性，并且所有電源軌都具有欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)。此外，LMG341xR050還可提供響應(yīng)時(shí)間低于100ns的過流保護(hù)和高于150V/ns的壓擺率抗擾性。