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臺(tái)積電3納米試產(chǎn)進(jìn)度如期 ASML宣布5nm半導(dǎo)體多光束檢測機(jī)問世?

章鷹觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友整理 ? 作者:章鷹 ? 2020-06-02 09:42 ? 次閱讀
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編者按:在美國對華為制裁的期間,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重組不可避免。針對先進(jìn)工藝制程,臺(tái)積電和三星進(jìn)行了激烈的角力。6月1日,晶圓代工龍頭臺(tái)積電正面回應(yīng),包括5納米、3納米制程,均按照進(jìn)度進(jìn)行中,3納米將如期在2021年試產(chǎn),2022年下半年量產(chǎn)。6月1日,荷蘭ASML公司近日在官網(wǎng)宣布,完成了用于5nm及更先進(jìn)工藝的第一代HMI多光束檢測機(jī)HMI eScan1000的測試。

6月1日,對外界傳出5納米擴(kuò)產(chǎn)及3納米試產(chǎn)延遲的市場傳聞,晶圓代工龍頭臺(tái)積電正面回應(yīng),包括5納米、3納米制程,均按照進(jìn)度進(jìn)行中,按照臺(tái)積電規(guī)劃,今年資本支出中80%將用于3納米、5納米與7納米等先進(jìn)制程技術(shù),其余10%用于先進(jìn)封裝與光罩,另外10%用于特殊級制程技術(shù)。


臺(tái)積電在日前的法說會(huì)上表示,即使肺炎疫情帶來不確定性,但看好未來幾年高效運(yùn)算、5G需求,將持續(xù)布局先進(jìn)制程技術(shù),重申今年投資150億美元到180億美元目標(biāo)不變。

在美國擴(kuò)大封鎖華為夏,臺(tái)積電表示,5納米、3納米制程,按照進(jìn)度進(jìn)行中,3納米將如期在2021年試產(chǎn),2022年下半年量產(chǎn)。

ASML宣布全新5nm第一代HMI多光束檢測機(jī)問世

6月1日,荷蘭ASML公司近日在官網(wǎng)宣布,完成了用于5nm及更先進(jìn)工藝的第一代HMI多光束檢測機(jī)HMI eScan1000的測試。

據(jù)介紹,HMI eScan1000能夠同時(shí)產(chǎn)生、控制九道電子束,與單個(gè)電子束檢查工具相比,將使吞吐量提高達(dá)600%。

國內(nèi)媒體了解到,新的MBI系統(tǒng)包括一個(gè)電子光學(xué)系統(tǒng),能夠創(chuàng)建和控制多個(gè)初級電子波束,然后收集和處理產(chǎn)生的次級電子波束,將波束之間的串?dāng)_限制在2%以內(nèi),并提供一致的成像質(zhì)量。它還具有提高系統(tǒng)總體吞吐量的高速階段和實(shí)時(shí)處理來自多個(gè)波束的數(shù)據(jù)流的高速計(jì)算體系結(jié)構(gòu)。

目前,首臺(tái)多波束檢測系統(tǒng)已于本周交付客戶進(jìn)行鑒定。ASML計(jì)劃增加光束數(shù)量和光束分辨率,以滿足未來幾代芯片制造商的產(chǎn)品路線圖要求。

本文資料來自Digtimes中文網(wǎng)和網(wǎng)易科技。

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