功率半導體主要用作電子元件中的開關(guān)及整流器，同時是矽、砷化鎵、氮化矽等半導體材料，是在經(jīng)過電學屬性調(diào)整等一系列工藝后，所得到的電學元件。功率半導體的應用十分廣泛，從幾十毫瓦的耳機放大系統(tǒng)，到上千兆瓦的高壓直流傳輸過程；從儲能、家電，到IT 產(chǎn)品、網(wǎng)絡通訊，只要是涉及電的領(lǐng)域，都存在它的身影。

功率半導體器件分類

從發(fā)展歷程看，功率半導體器件先后經(jīng)歷了：全盛于六七十年代的傳統(tǒng)晶閘管、近二十年發(fā)展起來的功率MOSFET及其相關(guān)器件，以及由前兩類器件發(fā)展起來的特大功率半導體器件，它們分別代表了不同時期功率半導體器件的技術(shù)發(fā)展進程。

概括來說，功率半導體器件主要有功率模組、功率集成電路和分立器件三大類。其中，功率模組是將多個分立功率半導體器件進行模塊化封裝；功率IC對應將分立功率半導體器件與驅(qū)動/控制/保護/接口/監(jiān)測等外圍電路集成；而分立功率半導體器件則是功率模塊與功率IC的關(guān)鍵。

功率半導體器件又可根據(jù)對電路信號的可控程度分為全控型、半控型及不可控型；或按驅(qū)動電路信號性質(zhì)分為電壓驅(qū)動型、電流驅(qū)動型等劃分類別。

常用到的功率半導體器件有Power Diode（功率二極管）、SCR（晶閘管）、GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（大功率電力晶體管）、BJT（雙極晶體管）、MOSFET（電力場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、SIT（靜電感應晶體管）、BSIT（雙極型靜電感應晶體管）、SITH（靜電感應晶閘管）、MCT（MOS控制晶閘管）、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IEGT（電子注入增強柵晶體管）、IPEM（集成電力電子模塊）、PEBB（電力電子積木）等。

不同功率半導體器件，其承受電壓、電流容量、阻抗能力、體積大小等特性也會不同。實際使用中，需要根據(jù)不同領(lǐng)域、不同需求來選用合適的器件。

隨著技術(shù)的不斷進步，功率半導體器件在不斷演進。自上世紀80年代起，功率半導體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應用類型。

市場格局

功率半導體行業(yè)壁壘較高，在高端功率器件領(lǐng)域，以美、日、歐龍頭廠商為主導。據(jù)統(tǒng)計，英飛凌、安森美、意法半導體、三菱電機、東芝半導體是全球前五的功率半導體供應商，前五大供應商市場占比達到42.6%，前十大供應商占比達到60.6%。

而功率半導體廠商大多采用IDM模式，有完整的晶圓廠、芯片制造廠和封裝廠，垂直整合優(yōu)勢明顯，對成本和質(zhì)量控制能力很強，實力強勁。歐美日的功率半導體廠家大多是IDM模式，以高端產(chǎn)品為主；中國大陸的廠商大多也是IDM模式，產(chǎn)品以低端二極管和低壓MOSFET為主，實力較弱；中國臺灣以Fabless模式為主，主要負責芯片制造和封裝。

從供給端來看，全球功率半導體的主要產(chǎn)地集中在歐美日，占據(jù)全球功率半導體大部分的市場份額。其次是中國臺灣，目前占據(jù)全球10%的市場份額。中國大陸以二極管、低壓MOSFET、晶閘管等低端功率半導體為主，目前實力較弱，占據(jù)全球10%的市場份額。

從需求端來看，中國是全球最大的功率半導體消費國。據(jù)數(shù)據(jù)，中國功率半導體市場空間占全球比例39%，居第一位；如此看來，中國大陸功率半導體呈供需嚴重不匹配的格局，且國內(nèi)以低端產(chǎn)品為主，國產(chǎn)替代缺口巨大。隨著新領(lǐng)域的應用增加以及歐美產(chǎn)品升級產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移到國內(nèi)，國內(nèi)市場將有很大的增長空間。

國內(nèi)功率半導體突圍，迎來發(fā)展良機

我國是全球最大的功率半導體市場，國際龍頭企業(yè)較大部分收入來自中國地區(qū)，以達爾科技和恩智浦為例，其收入的58%和41%來自中國大陸。由此可見，我國功率半導體市場需求量巨大，本土廠商擁有非常大的進口替代空間。

在全球功率半導體市場上，中高端產(chǎn)品生產(chǎn)廠商主要集中在歐洲、美國和日本地區(qū)。歐美日的功率半導體廠商大部分屬于IDM廠商，英飛凌、達爾科技、安森美、恩智浦等是行業(yè)中的龍頭企業(yè)。

中國臺灣地區(qū)也是較大的功率半導體產(chǎn)地，廠商大多屬于Fabless廠商，產(chǎn)品主要集中在低端領(lǐng)域。我國功率半導體市場占據(jù)全球50%左右份額，在高端產(chǎn)品領(lǐng)域，90%依賴進口。

我國半導體廠商主要為IDM模式，生產(chǎn)鏈較為完善，但產(chǎn)品主要集中在二極管、低壓MOS器件、晶閘管等低端領(lǐng)域，生產(chǎn)工藝成熟且具有成本優(yōu)勢，行業(yè)中的龍頭企業(yè)盈利水平遠高于臺灣地區(qū)廠商。

而在新能源、軌道交通等高端產(chǎn)品領(lǐng)域，國內(nèi)僅有極少數(shù)廠商擁有生產(chǎn)能力，高端產(chǎn)品市場主要被英飛凌、安森美、瑞薩、東芝等歐美日廠商所壟斷。

我國功率半導體市場中，在低端領(lǐng)域生產(chǎn)工藝成熟，而在高端領(lǐng)域，市場仍被國外企業(yè)所壟斷。本土廠商在低端產(chǎn)品領(lǐng)域已經(jīng)開始進口替代，但市場份額占比仍然較低。

國內(nèi)市場發(fā)展前景廣闊，實現(xiàn)技術(shù)突破、產(chǎn)品提升，以及進口替代是我國功率半導體行業(yè)未來發(fā)展的必然選擇。隨著工業(yè)、汽車、無線通訊和消費電子等領(lǐng)域新應用的不斷涌現(xiàn)以及節(jié)能減排需求日益迫切，我國功率半導體有龐大的市場需求，容易催生新產(chǎn)業(yè)新技術(shù)，在國家政策利好下，功率半導體將成為“中國芯”的最好突破口。

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