存儲(chǔ)芯片是未來物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等新興領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵元件，因此存儲(chǔ)芯片的自主可控對(duì)我國(guó)新一輪信息化進(jìn)程的推進(jìn)具有十分重要的戰(zhàn)略意義。中國(guó)作為全球電子產(chǎn)品的制造基地，長(zhǎng)期以來都是存儲(chǔ)器產(chǎn)品最大的需求市場(chǎng)，但是國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片的自制率較低，國(guó)產(chǎn)替代的空間十分廣闊。

巨頭瓜分全球，高度壟斷

存儲(chǔ)器的核心是存儲(chǔ)芯片。以斷電后數(shù)據(jù)是否丟失為劃分依據(jù)，存儲(chǔ)芯片可分為“易失性芯片”和“非易失性芯片”兩大類。 易失性存儲(chǔ)芯片通常被用在隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM中，通常在斷電之后，這類存儲(chǔ)器就會(huì)丟失數(shù)據(jù)。常見RAM芯片有兩大類：SRAM和DRAM。

SRAM被稱為靜態(tài)RAM，是目前讀寫速度最快的存儲(chǔ)設(shè)備，但是由于造價(jià)昂貴，因此SRAM只在對(duì)速度要求苛刻的地方使用。譬如CPU的一級(jí)緩沖，二級(jí)緩沖。

DRAM是指動(dòng)態(tài)RAM。DRAM能留存數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，通常斷電即消失，讀寫速度比SRAM要慢不少，但DRAM比SRAM要便宜得多，因此DRAM常被用作計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。

據(jù)數(shù)據(jù)顯示，韓國(guó)三星、海力士和美國(guó)美光科技三大廠商共占全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額的95%。其中，三星占據(jù)市場(chǎng)份額最大達(dá)44.5%，得益于存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的高速增長(zhǎng)，三星在2017年超越了英特爾，成為全球第一大半導(dǎo)體廠商。位列二三名的海力士和美光分別占市場(chǎng)的27.9%和22.9%。

從細(xì)分領(lǐng)域來看，全球85%的DRAM市場(chǎng)被三家企業(yè)瓜分，其中三星DRAM占全球市場(chǎng)份額的45.8%。NAND Flash市場(chǎng)幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分，其中，三星NAND占全球市場(chǎng)的37%。 由于這三家企業(yè)在產(chǎn)業(yè)鏈上游擁有絕對(duì)的支配地位，所以產(chǎn)品議價(jià)能力極強(qiáng)，甚至可以操縱市場(chǎng)價(jià)格。

中國(guó)是全球最大的DRAM芯片進(jìn)口國(guó)。因核心技術(shù)被壟斷，我國(guó)在這方面的發(fā)展速度極為緩慢。加之電子產(chǎn)業(yè)對(duì)DRAM存在剛性需求，僅去年一年，DRAM芯片的價(jià)格就上漲了40％之多。 存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化之路，勢(shì)在必行。

布局DRAM，加速國(guó)產(chǎn)替代

在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，主要包括DRAM、NandFlash、NorFlash等三大存儲(chǔ)器芯片，其中DRAM芯片是存儲(chǔ)芯片中占比最大的一類。DRAM憑借體積小、價(jià)格低、集成度高、功耗低、讀寫速度快等特點(diǎn)，一直是適用于內(nèi)存最好的介質(zhì)。

在過去的十年里，智能機(jī)和便攜設(shè)備的發(fā)展驅(qū)動(dòng)外存介質(zhì)不斷地更新迭代，而在外存介質(zhì)洗牌的過程中，DRAM的市場(chǎng)地位始終非常穩(wěn)固。

據(jù)數(shù)據(jù)顯示，自2014年以來，DRAM占存儲(chǔ)市場(chǎng)的比重均保持在55%以上，2018年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模達(dá)989億美元，占整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)的58%。但這一領(lǐng)域的市場(chǎng)份額長(zhǎng)期被海外巨頭霸占，前四大廠商牢牢占據(jù)全球DRAM市場(chǎng)99%的份額。三星為DRAM市場(chǎng)龍頭，市占率長(zhǎng)期保持在42%以上，SK海力士與美光緊隨其后，市占率分別為31%和23%，國(guó)產(chǎn)DRAM份額不足1%。

而中國(guó)又是全球半導(dǎo)體最大的消費(fèi)市場(chǎng)，2018年，中國(guó)進(jìn)口了超過900億美元的存儲(chǔ)芯片，這其中三星電子、SK海力士和美光電子三分天下，極大的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求與極低的自給率嚴(yán)重不匹配。

在上一輪消費(fèi)電子、汽車電子所帶來的科技發(fā)展浪潮中，日韓企業(yè)壟斷DRAM存儲(chǔ)芯片行業(yè)，利用我國(guó)巨大的集成電路消費(fèi)市場(chǎng)，國(guó)外企業(yè)通過漲價(jià)把巨大的利潤(rùn)攬入懷中，而在未來5G大時(shí)代下，下游包括大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能等的發(fā)展，更是將爆發(fā)出更大存儲(chǔ)芯片發(fā)展市場(chǎng)，為分享全球下一步科技發(fā)展的紅利，實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)芯片上的獨(dú)立自主，存儲(chǔ)芯片是重點(diǎn)的領(lǐng)域之一。

在此背景下，自2014年以來，國(guó)家大量資金開始投入到DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，一期大基金集成電路制造領(lǐng)域投資超500億元，占比份額最大，達(dá)到了47.8%。

從需求端來看，存儲(chǔ)器的需求結(jié)構(gòu)正快速向著多樣化轉(zhuǎn)變，在智能機(jī)出貨量增長(zhǎng)乏力的背景下，DRAM的市場(chǎng)將由過去的智能機(jī)需求單點(diǎn)拉動(dòng)轉(zhuǎn)變?yōu)橹悄軝C(jī)需求和服務(wù)器需求齊頭并進(jìn)。2020年后5G和AI的普及和應(yīng)用將成為拉動(dòng)半導(dǎo)體需求的重要力量，同時(shí)下一代DRAM制程也將開始普及，整個(gè)DRAM市場(chǎng)供需關(guān)系會(huì)更加復(fù)雜，但規(guī)?？傮w向上的趨勢(shì)是確定的。

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