91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

什么是碳化硅?

h1654155971.8456 ? 來源:EDA365 ? 作者:EDA365 ? 2020-06-24 15:50 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

碳(C)是元素周期表中第六號元素,在生活中比較常見,最早的碳是在木炭中發(fā)現(xiàn)的?,F(xiàn)代碳化學是由于煤、石油和天然氣等作為燃料而逐漸發(fā)展起來的,并且碳也在有機化學中也扮演者重要角色。碳形成的物質(zhì)性質(zhì)差異很大,自然界硬度最大的物質(zhì)—金剛石,是一種碳單質(zhì);而另外一種碳單質(zhì)—石墨,質(zhì)地卻是非常柔軟。

滿眼鉆石的小編

硅(Si)與碳處于周期表中的同一列,所以二者化學性質(zhì)也相似。硅在自然界中主要以硅酸鹽或二氧化硅的形式存在,儲量豐富,地殼中的含量僅次于氧,排名第二。提取到純度99%以上的硅單質(zhì)開創(chuàng)了“信息時代”,硅制成的集成電路晶體管半導體器件的生產(chǎn)大大加速了信息化的進程,而二氧化硅制造的光纖更是將世界連接了一起。

硅芯片

碳與硅比較常見,那你有沒有想過碳+硅是什么呢?

1疑問,什么是碳化硅

碳加硅會形成一種新的化合物—碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。碳化硅在自然界中很罕見,天然碳化硅晶體一般被稱為莫桑石,1893年法國化學家亨利·莫瓦桑首先發(fā)現(xiàn)而命名。那這種物質(zhì)有什么獨特之處嗎?

自然界中的碳化硅

還記得高中學過的硬度表嗎?莫斯以十種礦物的劃痕硬度作為標準,定出十個硬度等級,其中將金剛石的硬度定為10,是該標準中最硬的礦石。碳化硅也屬于超硬材料,硬度達到了9.25,略低于鉆石。

合成的碳化硅粉末開始大規(guī)模生產(chǎn),用作機械的磨料。由于碳化硅熔點較高,也經(jīng)常被用于高溫、高壓的環(huán)境中。總之,碳化硅本身夠硬、抗熱!

碳化硅又是一種具有很強商業(yè)性的半導體材料,一般工業(yè)用于電子元件等的碳化硅都是半導體級別。1907年發(fā)明了第一個碳化硅型的二極管,后來碳化硅也應用到藍色LED的生產(chǎn)之中。甚至碳化硅還可用于生產(chǎn)石墨烯,因為它的化學性質(zhì)促進了石墨烯在碳化硅納米結構表面的生長。甚至還有一種極端生長石墨烯的辦法就是在真空下,高溫分解碳化硅。

人工合成的碳化硅價格大約是鉆石的十分之一,因此被認為是鉆石的良好替代品,也是一種廉價的裝飾品;工業(yè)中用碳化硅多用在半導體、陶瓷等行業(yè)中,可以說碳化硅“上得廳堂,下得廚房”。

碳化硅(SiC)屬于滿足國家戰(zhàn)略需求并符合國民經(jīng)濟建設發(fā)展所需要的關鍵材料。SiC?的研究鏈條很長,涉及基礎科學和工程技術領域的問題,屬于典型的全鏈條科技創(chuàng)新類研究。

2概念,全鏈條科技創(chuàng)新

科學技術是第一生產(chǎn)力。每一次工業(yè)革命都是由科學革命帶來的知識結構革新而發(fā)生的,最終實現(xiàn)技術在社會上的廣泛應用。

光纖傳播信息

例如,信息技術革命的發(fā)展就是由晶體管、巨磁阻(GMR)存儲、光纖、液晶等全鏈條科技創(chuàng)新的實現(xiàn)和不斷迭代構建起來的。全鏈條科技創(chuàng)新涉及科研機構、企業(yè)、政府乃至整個社會,目標是要形成自主關鍵核心技術,乃至形成技術標準體系。

全鏈條科技創(chuàng)新的能力及效率是衡量創(chuàng)新型社會生態(tài)的重要標準,周期越短意味著整合創(chuàng)新資源的能力越強、效率越高。

為早日實現(xiàn)更多的“中國創(chuàng)造”,整合創(chuàng)新資源、營造創(chuàng)新生態(tài)并提高效率尤為重要。從趨勢來看,全鏈條科技創(chuàng)新的前半段主要是基礎研究(絕大多數(shù)還是分散在科研院所和大學等機構),目標清晰之后轉(zhuǎn)移到以企業(yè)為主的開發(fā)載體上去。

所以物理所在很多科研難點上早早布局,爭取在全鏈條科技創(chuàng)新的前半段做到世界前列。其中就比如物理所的碳化硅研究。

3啟動,物理所碳化硅基礎研究

中科院物理所正式布局?SiC?晶體研究,由陳小龍研究員牽頭。當時相關文獻不多,技術細節(jié)更是一無所知,但依據(jù)晶體學和相圖方面的基礎,陳小龍率領晶體生長課題組從以激光晶體為主轉(zhuǎn)向以?SiC?晶體生長為主的研究工作。當時,很多先進技術都被發(fā)達國家壟斷,對我國實行嚴格的技術保密和封鎖,甚至產(chǎn)品禁運,而?SiC?晶體也在其列。所以可想而知當時遇到的困難有多大。

物理所M樓

陳小龍任晶體生長研究組組長,對?SiC?晶體生長進行了大量系統(tǒng)的研究。作為目前世界最大的?SiC?材料和器件供應商,美國?CREE?公司從?20?世紀?80?年代初就開展了?SiC?材料的研究。相比而言,物理所開始?SiC?晶體研究的時間晚了?10?余年,但在國內(nèi)而言還是屬于較早的。

陳小龍帶領研究組突破了關鍵的擴晶技術,成功生長出了高質(zhì)量的?2?英寸?4H?和?6H?晶型的?SiC?單晶。通過團隊長周期的基礎研究,最終攻克了?SiC?單晶生長中的種種難題。此外,研究團隊在?SiC?材料新效應、新物性方面也開展了大量基礎研究,包括?SiC?中的摻雜和缺陷在誘導本征磁性起源中的作用、通過缺陷工程調(diào)控半導體磁性、4H SiC?晶體的非線性光學效應、利用?SiC?制備大面積高質(zhì)量的石墨烯及?SiC/石墨烯復合材料,并將?SiC?的應用擴展到了光催化領域。

目前,物理所在?SiC?晶體領域的研究成果已獲授權中國發(fā)明專利?21?項、PCT(專利合作條約)國際專利?6?項,參與起草?SiC?晶體相關國家標準并已實施?3?項,在國際學術刊物上發(fā)表論文?30?余篇。

4升級,物理所碳化硅的產(chǎn)業(yè)之路

為實現(xiàn)?SiC?晶體的產(chǎn)業(yè)化,2006?年?9?月物理所以?SiC?晶體生長相關專利技術出資成立了北京天科合達藍光半導體有限公司(以下簡稱“天科合達公司”),在國內(nèi)率先開始?SiC?晶體產(chǎn)業(yè)化工作。2012?年,公司開始量產(chǎn)?4?英寸?SiC?晶體,2018?年開始量產(chǎn)?6?英寸?SiC?晶體。

在這個過程中,物理所與天科合達公司之間形成了閉環(huán)的全鏈條研發(fā)小生態(tài),雙方共同承擔各類科技項目?10?項,研發(fā)經(jīng)費達到了約?2.1?億元人民幣。這種小生態(tài)不僅有利于產(chǎn)學研合作研發(fā)和解決技術難題,而且可以彌補初創(chuàng)企業(yè)研發(fā)投入能力的不足。

SiC?晶體產(chǎn)業(yè)化是一個漫長的過程,其中如何提高成品率、優(yōu)品率及達到即開即用是面臨的至關重要的攻關難題。天科合達公司在生產(chǎn)中碰到的技術和工藝問題時,同步反饋到物理所。物理所相關研究團隊投入力量從基礎研究角度對出現(xiàn)的問題根源進行深入分析和實驗,提出可能的解決方案再應用于生產(chǎn),從而形成研發(fā)和生產(chǎn)良好的反饋互動。成品率、優(yōu)品率問題的提出完全源自企業(yè)研發(fā)的視角,此時整個?SiC?全鏈條研發(fā)小生態(tài)的重點已經(jīng)從實驗室追求新奇的科學視角轉(zhuǎn)移到滿足市場需求的視角。天科合達公司現(xiàn)任常務副總經(jīng)理、技術總監(jiān)和生產(chǎn)總監(jiān),是陳小龍研究組的畢業(yè)生,具有企業(yè)家精神的研究生的培養(yǎng)和輸出,對于全鏈條科技創(chuàng)新模式的實現(xiàn)非常重要。

碳化硅制成的鉆戒

物理所團隊堅持基礎研究,又先后在?SiC?晶體生長相關方面取得了?24?項專利。2019?年底上述專利全部轉(zhuǎn)讓至天科合達公司,為其后續(xù)發(fā)展注入了新的動力。在?SiC?全鏈條科技創(chuàng)新中,新技術在研究所與企業(yè)共同構建的小生態(tài)內(nèi)不斷地閉環(huán)迭代。

截至?2020?年?1?月31日,我國科創(chuàng)板申報企業(yè)累計?209?家,其中?92?家獲得審核通過,平均上市周期為?13.68?年。這?92?家科創(chuàng)板企業(yè)中,上市周期(公司注冊到上市的時間)20?年以上的達?6?家,占?7%;15—20?年的?23?家,占?25%;10—15?年的?36?家,占?39%;5—10?年的?27?家,占?29%。天科合達公司從?2006?年設立到?2017?年公司實現(xiàn)首次盈利經(jīng)歷了?11?年時間。2019?年底,天科合達公司成為國內(nèi)和亞洲地區(qū)最大的?SiC?供應商之一。

碳化硅晶元

比較而言,等到企業(yè)再成熟,這個周期將是一個接近平均周期?13.68?年的結果。當然與巨磁阻存儲、光纖通信、藍光LED和鋰離子電池等相比,整個?SiC?半導體行業(yè)的應用廣度和深度還有很大差距,相比?19—43?年的周期也較短。但是,按全鏈條科技創(chuàng)新的模式統(tǒng)計,SiC?研究的周期已達到了?35?年。

5啟示,國立研究機構的創(chuàng)新

綜上所述,無論科技創(chuàng)新和推廣創(chuàng)新采取怎樣的范式進步,最終都會體現(xiàn)在全鏈條科技創(chuàng)新的效率上。效率越高,周期越短。

如果能夠充分調(diào)動科學家和企業(yè)家這兩類創(chuàng)新主體發(fā)揮主觀能動性,實現(xiàn)無縫融合,就能有效縮短周期。所以碳化硅的產(chǎn)業(yè)之路也為國立科研機構參與全鏈條科技創(chuàng)新帶來了許多啟示:

1.全鏈條科技創(chuàng)新的過程很長,要完成從科學研究到市場推廣的全過程,需要適應從科研文化向市場標準的轉(zhuǎn)變

2.就現(xiàn)階段而言,由于全鏈條科技創(chuàng)新壁壘高、風險大、周期長,尤其涉及前期的基礎研究和應用基礎研究,國立研究機構需繼續(xù)發(fā)揮重要作用

3.對于國立研究機構中已經(jīng)有明顯應用導向的研究單元,需要更積極地適應市場生態(tài),這些研究單元內(nèi)的研究生教育要強調(diào)企業(yè)家精神的培養(yǎng)
責任編輯:pj

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 光纖
    +關注

    關注

    20

    文章

    4427

    瀏覽量

    80611
  • 半導體材料
    +關注

    關注

    11

    文章

    578

    瀏覽量

    30878
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    26

    文章

    3495

    瀏覽量

    52488
  • 華秋DFM
    +關注

    關注

    20

    文章

    3515

    瀏覽量

    6450
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    技術突圍與市場破局:碳化硅焚燒爐內(nèi)膽的氮化硅陶瓷升級路徑

    耐火材料與純碳化硅材料面臨極限挑戰(zhàn)時,氮化硅陶瓷的技術指標為這一領域提供了更具針對性的升級方案。 一、產(chǎn)品細節(jié):氮化硅陶瓷的技術優(yōu)勢 針對焚燒爐內(nèi)膽的實際工況,氮化硅陶瓷相較于常規(guī)
    發(fā)表于 03-20 11:23

    簡單認識博世碳化硅功率半導體產(chǎn)品

    博世為智能出行領域提供全面的碳化硅功率半導體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應商以及分銷商,產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 12-12 14:14 ?846次閱讀

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統(tǒng)的推動劑,可滿足全球?qū)稍偕茉础㈦妱悠?(EV
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1842次閱讀

    Wolfspeed碳化硅技術實現(xiàn)大規(guī)模商用

    碳化硅 (SiC) 技術并非憑空而來,它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎之上。近四十年來,Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強化基礎專利。僅在過去的五年中,我們
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:31 ?889次閱讀

    碳化硅在電機驅(qū)動中的應用

    今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車等領域的商業(yè)可行替代品。
    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:38 ?7218次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在電機驅(qū)動中的應用

    碳化硅器件的應用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1745次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應用優(yōu)勢

    碳化硅晶圓特性及切割要點

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1250次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點

    博世碳化硅技術在新能源汽車領域的應用

    驚聞謠傳頭部碳化硅Tier 1玩家博世“被”退出碳化硅賽道,小編表示地鐵、老人、手機.jpg,火速去內(nèi)部打探消息——結果只想說一句:別慌,博世還在,且蓄勢待發(fā)!這樣精彩的舞臺,怎會少了博世這位心動嘉賓。
    的頭像 發(fā)表于 07-04 09:46 ?1095次閱讀
    博世<b class='flag-5'>碳化硅</b>技術在新能源汽車領域的應用

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術應用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    碳化硅在多種應用場景中的影響

    碳化硅技術進行商業(yè)化應用時,需要持續(xù)關注材料缺陷、器件可靠性和相關封裝技術。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實用知識,幫助了解碳化硅如何為功率半導體行業(yè)實現(xiàn)高效且可靠的解決方案。
    的頭像 發(fā)表于 06-13 09:34 ?1472次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在多種應用場景中的影響

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)的崛起與技術突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)從
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?1233次閱讀

    碳化硅MOS驅(qū)動電壓如何選擇

    碳化硅MOS驅(qū)動電壓選擇15V還是18V,是電力電子設計中的關鍵權衡問題。這兩種電壓對器件的導通損耗、開關特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
    的頭像 發(fā)表于 06-04 09:22 ?2125次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOS驅(qū)動電壓如何選擇

    碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評價的真相

    碳化硅(SiC)技術的應用中,許多工程師對SiC的性能評價存在誤解,尤其是關于“單位面積導通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)
    的頭像 發(fā)表于 04-30 18:21 ?1005次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評價的真相

    碳化硅功率器件有哪些特點

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術的重要組成部分。本文將詳細探討
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1305次閱讀

    碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢

    在現(xiàn)代電子技術飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應用領域以及未來發(fā)展趨勢。
    的頭像 發(fā)表于 04-09 18:02 ?1514次閱讀