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DDR內(nèi)存的前世、今生和未來!

SSDFans ? 來源:ssdfans ? 2020-08-21 16:34 ? 次閱讀
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從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片到現(xiàn)在差不多已經(jīng)過去20多年了,DRAM市場一直在發(fā)展,從DDR到DDR2,DDR3,DDR4,然后是即將進入市場的DDR5。今天我們來聊一下DDR的JEDEC規(guī)范。

什么是JEDEC?

JEDEC全稱:JointElectron Device Engineering Council JEDEC是一個全球性的固態(tài)技術(shù)協(xié)會組織,理論上不隸屬于任何一個國家或者政府實體,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制定標(biāo)準(zhǔn)。包括很多方面,今天我們只關(guān)注DDR的相關(guān)規(guī)范。 DDR的開發(fā)是從1996年開始,對應(yīng)JEDEC的規(guī)范 JESD79于2000年發(fā)布。JEDEC規(guī)范由兩部分組成,一個是針對memory chip,另外一個是memory module。當(dāng)然,隨著RDIMM,LRDIMM的興起,JEDEC相對應(yīng)的制定出了RCD和Data Buffer的規(guī)范。我們今天主要聊JEDEC的SDRAM規(guī)范,也就是JESD79系列, 這里大家需要注意的是這個規(guī)范是針對DRAM芯片的,而不是內(nèi)存條。有興趣的同學(xué)可以去JEDEC網(wǎng)站上去下載相對應(yīng)的規(guī)范,規(guī)范最后面的字母代表版本,比如JESD79-4C的C就代表目前針對DDR4 SDRAM的規(guī)范的版本是C。而JESD79后面的數(shù)字就代表了是DDR第幾代。目前JEDEC網(wǎng)站上針對DDR5 SDRAM的規(guī)范還在制定當(dāng)中,如果繼續(xù)按照這個命名規(guī)律的話,應(yīng)該是JESD79-5。

Name Doc
Double Date Rate (DDR) SDRAM JESD79F
DDR2 SDRAM Specification JESD79-2F
DDR3 SDRAM Standard JESD79-3F
DDR4 SDRAM JESD79-4C
DDR5: JEDEC DDR5 standard in currently in development NA

JEDEC的網(wǎng)站:www.jedec.org

下面這個表列舉了JEDEC 規(guī)范從DDR到DDR5的主要變化,我們可以看到,為了配合整體行業(yè)對于性能,容量和省電的不斷追求,規(guī)范的工作電壓越來越低,芯片容量越來越大, IO的速率也越來越高。雖然目前DDR5的JEDEC規(guī)范還沒有正式出臺,但是我們可以從這個趨勢以及現(xiàn)有網(wǎng)上的資料得到相同的結(jié)論。

Feature
/Option
DDR DDR2 DDR3 DDR4 DDR5*
Voltage
(VDDQ)
2.5V 1.8V 1.5V 1.2V 1.1V
Device
Width
x4, x8,
x16
x4,x8,
x16
x4, x8,
x16
x4,x8,
x16
x4, x8,
x16
Die
Density
64Mb~
1Gb
128Mb~
4Gb
512Mb~
8Gb
2Gb~
16Gb
8Gb~
64Gb
Data
Rates
200~
400MT/s
400~
800MT/s
800~
1600MT/s
1600~
3200MT/s
3200~
6400MT/s
Prefetch 2n 4n 8n 8n 16n
Bank 4 up to 8 8 4banks
pergroup
2 or 4
banks
per group
Bank
Group
NA NA NA 4 for
x4/X8;
2 for x16;
8 for
x4/x8;
4 forx16;
Burst
Length
2, 4 or 8 4 or 8 8 8 16

表 (一)

聲明:目前DDR5的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)還沒有正式發(fā)布,因此這里所有的DDR5相關(guān)的數(shù)據(jù)來自于網(wǎng)上公開的數(shù)據(jù),后續(xù)以JEDEC發(fā)布為準(zhǔn)。同時,從DDR5開始,每根內(nèi)存上有兩個獨立的通道。

從上面的表里面我們還可以看到,除了電壓,容量和IO的速率變化之外,還列出了Bank,Bank Group,Prefetch和Burst Length的演進,bank數(shù)越來越多,到DDR4出現(xiàn)bank group,prefetch也從2n增加到4n,8n。那么這些變化之間有什么聯(lián)系嗎?DDR5又會有什么樣的變化?要了解這些,我們需要回顧一下SDRAM的基本讀寫操作,以及DRAM的核心頻率和IO頻率。

Prefetch和burst length

雖然我們說現(xiàn)在DDR4的最大速率是3200MT/s, 但是這是指的DDR4的IO頻率,即DDR4和memroy controller之間的接口數(shù)據(jù)傳輸速率。那么DRAM是怎么實現(xiàn)用比較低的核心傳輸頻率來滿足日益高漲的高速IO傳輸速率的需求呢?這就是靠prefetch來實現(xiàn)的。

Prefetch Core
Frequency
IO CLK
Frequency
IO
Data Rate
SDRAM NA 100-150
MHz
100-150
MHz
100-150
Mbps
DDR 2 100-200
MHz
100-200
MHz
200-400
Mbps
DDR2 4 100-200
MHz
200-400
MHz
400-800
Mbps
DDR3 8 100-266
MHz
400-1066
MHz
800-2133
Mbps
DDR4 8 100-266
MHz
800-1600
MHz
1600-3200
Mbps
DDR5* 16 100-266
MHz
1600-3200
MHz
3200-6400
Mbps

表 (二)

從DDR開始到DDR3很好理解,Prefetch相當(dāng)于DRAM core同時修了多條高速公路連到外面的IO口,來解決IO速率比內(nèi)部核心速率快的問題,IO數(shù)據(jù)速率跟核心頻率的倍數(shù)關(guān)系就是prefetch。那么這么一路增加prefetch,到了DDR4為什么不繼續(xù)增加prefetch了呢?因為prefetch的增加對應(yīng)的就是burst length的有可能相應(yīng)增加。怎么理解prefetch和burst length之間的關(guān)系呢?Prefetch跟DRAM核心頻率和IO頻率之間的比例相關(guān),而burst length的長度跟CPU的cache line大小有關(guān)。Burst length的長度有可能大于或者等于prefetch。但是如果prefetch的長度大于burst length的長度,就有可能造成數(shù)據(jù)浪費,因為CPU一次用不了那么多。所以從DDR3到DDR4,如果在保持DDR4內(nèi)存data lane還是64的前提下,繼續(xù)采用增加prefetch的方式來提高IO速率的話,一次prefetch取到的數(shù)據(jù)就會大于一個cache line的大小 (512bits),對于目前的CPU系統(tǒng),反而會帶來性能問題。那么DDR4是怎么解決的呢?

Bank Group

我們注意到在表一里面,到了DDR4出現(xiàn)了Bank Group,這就是DDR4在不改變prefetch的情況下,能繼續(xù)提升IO速率的秘密武器。DDR4利用Bank group的interleave,實現(xiàn)IO速率在DDR3基礎(chǔ)上進一步提升。

圖一:DDR1

圖二:DDR2

圖三:DDR3

圖四:DDR4

從上面的圖四中可以看到,每個bank group有自己的global IO,這樣就可以利用bank group的interleave來進一步解決內(nèi)部速度和外部速度不匹配的問題。相當(dāng)于在DDR3的基礎(chǔ)上繼續(xù)修了并行的相對比較慢的高速公路搭到外面的超高速單行道。 到了DDR5,我們還能繼續(xù)利用Bank Group的interleave來實現(xiàn)提升IO速率的目的嗎?如果繼續(xù)這樣做的話,對于速率提升的效果就很有限,所以到了DDR5還是走到了增加prefetch的方向。DDR5的prefetch是16,那么怎么解決我們前面提到的cache line大小的問題呢?DDR5采取的方式是減少DIMM data lane的數(shù)量,從64個data lane降低到32個data lane,從而繼續(xù)保持64 Byte的cache line大小。 從以上JEDEC DDR到DDR4的發(fā)展歷史,我們可以看到,DRAM的演進就是在為CPU系統(tǒng)架構(gòu)服務(wù)的基礎(chǔ)上,圍繞著成本、降低電源消耗、加大容量、提高IO速率來不斷演進?;贒RAM操作的原理,最大化的提高DRAM的使用率。因此,我們也可以看到DDR5提供了更多的bank數(shù)量和更加細化的refresh粒度等等,這些都是為了物盡其用,提高系統(tǒng)性能。我們在后續(xù)的文章中,會繼續(xù)介紹DRAM的基本性能以及DDR5的新功能。

最后留給大家的問題:對于DDR4,bank group與group之間是tCCD_L還是tCCD_S?為什么?

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原文標(biāo)題:來啦!DDR內(nèi)存的前世、今生和未來!

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