7月20日，長沙三安第三代半導體項目開工活動在長沙高新區(qū)舉行。

當前，第三代半導體材料及器件已成為全球半導體材料產業(yè)的前沿和制高點之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體成熟商用材料，在新能源汽車、5G、智能電網、高速軌道交通、半導體照明、消費類電子、航天等領域具有重要的應用價值。

據了解，三安光電是Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體、集成電路龍頭企業(yè)。長沙三安第三代半導體項目總投資160億元，總占地面積1000畝，主要建設具有自主知識產權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產業(yè)生產基地。項目建成達產后將形成超百億元的產業(yè)規(guī)模，并帶動上下游配套產業(yè)產值預計逾千億元。

根據此前的公告披露，三安光電擬在長沙高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會園區(qū)成立子公司投資建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發(fā)及產業(yè)化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業(yè)鏈，研發(fā)、生產及銷售6吋SIC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiCMOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。（來源：掌上長沙）

原文標題：長沙三安第三代化合物半導體項目開工

文章出處：【微信公眾號：集成電路應用雜志】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。