91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

什么是寄生電容_寄生電容的危害

h1654155282.3538 ? 來源:于曉超電子那點事 ? 作者:于曉超電子那點事 ? 2020-09-17 11:56 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

什么是寄生電容?

寄生的含義就是本來沒有在那個地方設(shè)計電容,但由于布線之間總是有互容,互容就好像是寄生在布線之間的一樣,所以叫寄生電容,又稱雜散電容。

寄生電容本身不是電容,根據(jù)電容的原理我們可以知道,電容是由兩個極板和絕緣介質(zhì)構(gòu)成的,那么寄生電容是無法避免的。比如一個電路有很多電線,電線與電線之間形成的電容叫做寄生電容。寄生電容一般在高頻電路中會對電路造成很大影響,所以電路在布線的時候要特殊考慮。

寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上,一個電阻等效于一個電容,一個電感,和一個電阻的串連,在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會增大,不能忽略。在計算中我們要考慮進(jìn)去。ESL就是等效電感,ESR就是等效電阻。不管是電阻,電容,電感,還是二極管,三極管,MOS管,還有IC,在高頻的情況下我們都要考慮到它們的等效電容值,電感值。

注意一下雜散電容,寄生電容,分布電容這三個說法,一些人認(rèn)為這三個說法區(qū)別不大,只是適用場景不同,針對器件時多用“寄生電容”,針對系統(tǒng)時多用“分布電容”。在我的理解里,這三者有一些細(xì)微的區(qū)別

寄生電容:在現(xiàn)代工藝水平下,生產(chǎn)器件的某個功能時所不可避免地產(chǎn)生的另一種現(xiàn)象,比如現(xiàn)代生產(chǎn)二極管的時候,由于工藝限制無法制作出理想二極管,生產(chǎn)時不可避免的產(chǎn)生了電容。

分布電容:一般不是針對單個器件的,多數(shù)是講在電路中產(chǎn)生的附加電容,例如電路中兩個器件,它們肯定會有電容存在;同理,兩條平行的輸電線路間肯定也會有電容存在。

雜散電容:除以上兩種電容外的其它形式的電容,例如兩個器件、導(dǎo)體相互感應(yīng)所產(chǎn)生的電容等。

雜散電容,寄生電容,分布電容的電容值可能極小,但是在特高頻、超高頻等情況下有時候還是不能忽略的。此類型電容理論上無法消除,只能盡可能減小(有害方面)或者加以利用(有益方面)。

寄生電容的危害?

(一)人身效應(yīng):如果收音機(jī)可變電容器的定片接地而動片不接地,那么,由于動片是與軸焊在一起的,因此當(dāng)人的手與軸接觸時,就會有一個寄生電容Cn并聯(lián)在振蕩回路中(圖4)。Cn可以認(rèn)為是人體與地球之間填充著鞋底或皮膚(介質(zhì))所構(gòu)成的。這樣,調(diào)諧就是在并聯(lián)了Cn的情況下進(jìn)行的。調(diào)諧完成后,人的手離開軸,Cn也就沒有了,因而回路又失諧了。這在長(中)波段表現(xiàn)為音量減弱,在短波段則常常使電臺“跑掉”。這種現(xiàn)象稱為“人身效應(yīng)”。為了避免它,收音機(jī)的動片軸一般要接地,而定片則用絕緣柱子支起來離開底殼。

(二)起始電容:可變電容器的動片完全旋轉(zhuǎn)出來之后,電容量并不為零,甚至還相當(dāng)大。這是因為一般可變電容器的動片、軸、底殼是相通的,動片雖然完全旋出來了,但軸與定片之間,定片通過絕緣子與底殼之間都還有相當(dāng)大的寄生電容存在。定片對軸和對底殼的電容并聯(lián)起來稱為可變電容器的“起始電容”,一般為10到50微微法。起始電容使振蕩回路的調(diào)諧范圍變窄,特別是使它不能用到更高的頻段。起始電容隨溫度而變化也成為振蕩頻率不穩(wěn)定的主要原因。

(三)寄生振蕩:有時收音機(jī)會發(fā)出一種刺耳的叫聲,這常常是由于低頻部分的寄生電容或寄生電感引起正反饋所造成的寄生振蕩。例如,當(dāng)輸出變壓器的引線與第一低放級的引線相近時,通過寄生電容和兩次放大倒相,就成了正反饋,由于經(jīng)過放大,因而容易滿足振蕩條件。如果我們把最關(guān)緊要的兩根線拉開,消除寄生電容,正反饋途徑被切斷,嘯叫聲也就消失了。

(四)接線柱的考究:許多儀表的輸入端都做成接線柱的形式。前面曾經(jīng)指出,接線柱的安裝電容較大,因而儀表的輸入電容也將很大。對于低頻信號,安裝電容的危害倒不顯著,可是在信號頻率很高時,安裝電容相當(dāng)于一個低阻抗,分去許多信號電流,儀表的靈敏度就大大下降。因此用接線柱做輸入端的儀表不能用來測量高頻率的弱信號。一般的電子光伏特計,特別是高頻毫伏表和高頻微伏表,必須用特別的探頭式輸入端。高頻信號首先進(jìn)入探頭內(nèi),經(jīng)過輸入電容極小的一種二極管檢波后,再進(jìn)行放大和測量。如果把一個用接線柱做輸入端的電流表串接在高頻振蕩回路的高壓部分(即圖5的1、2兩點間),兩個接線柱的安裝電容CC2將和回路電容C相并聯(lián),這樣勢必改變回路的振蕩頻率,而測量的誤差也會因C1C2分流而變得很大。如果電流表A串接在低壓部整碼、b兩點之間,則安裝電容C2被A表內(nèi)阻短路,C1則根本不存在,所以測量才是準(zhǔn)確的,回路頻率也沒有發(fā)生變化。

(五)高頻增益跌落:一般低頻放大器的增益都隨著頻率的增加而降低,這是因為放大器的負(fù)載上并聯(lián)著寄生電容(包括下級電子管的極間電容、安裝電容、引線電容等)。頻率愈高,電容阻抗愈低,從寄生電容直接入地的高頻電流愈多,因而高頻增益(放大量)會跌落下來。前面曾經(jīng)指出屏蔽線內(nèi)外導(dǎo)體間寄生電容較大,如果在高頻放大器的柵極接上屏蔽線,無異于增加其輸入電容,可想放大倍數(shù)是會大大降低的,因而放大器靈敏度下降。

(六)變壓器的附加設(shè)施:制作或修理過擴(kuò)音機(jī)的人,也許曾經(jīng)注意到擴(kuò)音機(jī)強(qiáng)放級的變壓器的兩端常常并聯(lián)著一個阻值不大的電阻。如果取掉這個電阻,擴(kuò)音機(jī)的高頻響應(yīng)就特別刺耳,有時還發(fā)現(xiàn)強(qiáng)放管有過載現(xiàn)象。為什么會這樣呢?只要想想變器兩端都存在著較大的寄生電容就不難明白了。如果變壓器初級電感是10亨,寄生電容是50微微法,則在初級構(gòu)成諧振頻率為7150赫的振蕩回路。當(dāng)信號頻率在7千赫附近時,放大量就大大增加,于是聲音變得尖銳刺耳,有時也使電子管過載。如果給這個振蕩回路并聯(lián)一個電阻,諧振現(xiàn)象就不會發(fā)生,因為回路衰減大,振蕩被阻尼了。前曾述及變壓器初次級間寄生電容很大,這個電容會造成高頻的直通,破壞變壓的匹配功能和對稱性,而且使得一些脈沖干擾信號暢通無阻。這種情況對于工作在干線通信、測量、核子物理等方面的設(shè)備中的電源變壓器、耦合變壓器或匹配變壓器都是不能容許的。為了消除這個電容,在初次級間應(yīng)加一層金屬箔(注意,切不可構(gòu)成短路環(huán)?。┯靡€使之接地,這樣級間電容就被“屏蔽”掉了,亦即變成兩個對地的電容了。為了盡量減小初次級的動態(tài)電容,運(yùn)用在脈沖設(shè)備中的變壓器常常采用分段繞法,因為許多個分段的總電容將是各段電容的串聯(lián),數(shù)值會下降。

(七)電感線圈的極限頻率:如果考慮到并聯(lián)在線圈兩端的寄生電容,線圈實際上是一個振蕩回路,其諧振頻率f0=1/2πLC0(1/2)。C0是寄生電容。如果工作頻率等于f0,線圈就相當(dāng)于電阻;工作頻率高于f0,線圈就成了一個電容器。所以通常用f0的1/5或1/10為極限工作頻率。要提高線圈的極限工作頻率,必須減小寄生電容,因而采用蜂房式繞組、分段繞組等形式。但是,一般多層線圈的極限頻率還是難于達(dá)到1兆赫以上。對于單層線圈,為減少寄生電容,應(yīng)該繞得稀,最好不用骨架,或用介電常數(shù)ε值小的筋條式骨架。

如何避免寄生電容?

在線路中所有的引線間都是有電容,所以要盡量的減少引線距離,和集中接地,可以減少很多寄生電容。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電容
    +關(guān)注

    關(guān)注

    100

    文章

    6484

    瀏覽量

    159321
  • 寄生電容
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    302

    瀏覽量

    20299
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    TH2839阻抗分析儀在LED驅(qū)動集成電路寄生參數(shù)測試分析中的應(yīng)用

    隨著LED照明技術(shù)的快速發(fā)展,LED驅(qū)動集成電路作為核心控制部件,其性能直接影響照明系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和壽命。在實際工程應(yīng)用中,除了關(guān)注驅(qū)動IC的主功能外,寄生參數(shù)(如寄生電容寄生電感和等效串聯(lián)
    的頭像 發(fā)表于 02-26 16:48 ?460次閱讀
    TH2839阻抗分析儀在LED驅(qū)動集成電路<b class='flag-5'>寄生</b>參數(shù)測試分析中的應(yīng)用

    碳化硅MOSFET串?dāng)_抑制策略深度解析:負(fù)壓關(guān)斷與寄生電容分壓的根本性優(yōu)勢

    傾佳電子剖析SiC MOSFET串?dāng)_問題的物理機(jī)制,并對各類抑制措施進(jìn)行詳盡的比較分析。報告的核心論點在于:通過優(yōu)化器件本征參數(shù)實現(xiàn)的寄生電容分壓優(yōu)化,以及采用-5V負(fù)壓關(guān)斷驅(qū)動,構(gòu)成了解決串?dāng)_問題的“根本性”方案
    的頭像 發(fā)表于 01-20 17:35 ?1657次閱讀
    碳化硅MOSFET串?dāng)_抑制策略深度解析:負(fù)壓關(guān)斷與<b class='flag-5'>寄生電容</b>分壓的根本性優(yōu)勢

    什么是晶振的雜散電容?

    什么是晶振的雜散電容?晶振的雜散電容,也叫做寄生電容,是指電路中非人為設(shè)計、由物理結(jié)構(gòu)自然產(chǎn)生的、有害的隱藏電容。它為什么重要?(影響)雜散電容
    的頭像 發(fā)表于 11-13 18:13 ?416次閱讀
    什么是晶振的雜散<b class='flag-5'>電容</b>?

    1.3 EMC是常規(guī)設(shè)計準(zhǔn)則的例外情況

    和問題。工程師需要解決和分析實際的EMC問題,就需要考慮抽象化生電感和寄生電容),元件合在實際電路中的意義和影響。例如,各元件的寄生參數(shù)(包括寄生電感和寄生電容),元件間的布
    的頭像 發(fā)表于 07-07 17:09 ?744次閱讀
    1.3 EMC是常規(guī)設(shè)計準(zhǔn)則的例外情況

    KiCad-Parasitics:KiCad 寄生參數(shù)分析插件

    工具便會計算出這兩點之間的直流電阻,同時還會估算出這段走線的寄生電感。 在未來的版本中,插件還將支持計算走線對地平面(ground plane)的寄生電容。 安裝方式 打開插件內(nèi)容管理器: 沒有魔法的同學(xué)可以使用華秋國內(nèi)鏡像倉庫,詳情參考: KiCad 插件不用
    的頭像 發(fā)表于 06-25 11:14 ?2050次閱讀
    KiCad-Parasitics:KiCad <b class='flag-5'>寄生</b>參數(shù)分析插件

    如何匹配晶振的負(fù)載電容

    振的規(guī)格書中,通常會給出一個標(biāo)稱負(fù)載電容值,這個值是晶振能夠穩(wěn)定工作在標(biāo)稱頻率下的理想電容負(fù)載條件。 二、確定電路中的實際負(fù)載電容 實際電路中的負(fù)載電容由多個部分組成,主要包括PCB布
    的頭像 發(fā)表于 06-21 11:42 ?963次閱讀
    如何匹配晶振的負(fù)載<b class='flag-5'>電容</b>

    逆變器寄生電容對永磁同步電機(jī)無傳感器控制的影響

    摘要:逆變器非線性特性會對基于高頻注人法的永磁同步電機(jī)轉(zhuǎn)子位置和速度觀測產(chǎn)生影響,不利于電機(jī)的精確控制。在分析逆變器非線性特性中寄生電容效應(yīng)及其對高頻載波電流響應(yīng)影響的基礎(chǔ)上,提出了一種旨在減小此
    發(fā)表于 06-11 14:42

    面向高電容連接的低電流I-V表征測試方案

    源測量單元(SMU)可同時輸出和測量電壓、電流,廣泛用于器件與材料的I-V特性表征,尤其擅長低電流測量。在測試系統(tǒng)中存在長電纜或高寄生電容的情況下,部分SMU可能因無法容忍負(fù)載電容而產(chǎn)生讀數(shù)噪聲或振蕩。
    的頭像 發(fā)表于 06-04 10:19 ?1226次閱讀
    面向高<b class='flag-5'>電容</b>連接的低電流I-V表征測試方案

    電源功率器件篇:變壓器寄生電容對高壓充電機(jī)輸出功率影響

    寄生電容會對充電機(jī)輸出功率產(chǎn)生顯著影響。一、變壓器寄生電容的產(chǎn)生原因?變壓器的寄生電容主要包括初級與次級繞組之間的分布電容、繞組層間電容及匝
    的頭像 發(fā)表于 05-30 12:00 ?1483次閱讀
    電源功率器件篇:變壓器<b class='flag-5'>寄生電容</b>對高壓充電機(jī)輸出功率影響

    【干貨分享】電源功率器件篇:變壓器寄生電容對高壓充電機(jī)輸出功率影響

    寄生電容會對充電機(jī)輸出功率產(chǎn)生顯著影響。 一、 變壓器寄生電容的產(chǎn)生原因? 變壓器的寄生電容主要包括初級與次級繞組之間的分布電容、繞組層間電容
    發(fā)表于 05-30 11:31

    磁芯對電感寄生電容的影響

    需要完整版資料可下載附件查看哦!
    發(fā)表于 05-07 16:57

    LCR測試儀中LP(Parallel)與LS(Series)模式的區(qū)別

    一、核心差異:測量模型不同 1. LP模式(并聯(lián)模式) 將元件視為理想元件與寄生電阻并聯(lián)的模型(如電感與寄生電容并聯(lián))。 適用于高頻場景(通常>1MHz),此時元件寄生電容(如線圈分布電容
    的頭像 發(fā)表于 05-06 16:19 ?3245次閱讀
    LCR測試儀中LP(Parallel)與LS(Series)模式的區(qū)別

    MOSFET講解-18(可下載)

    當(dāng) Vds 電壓升高時,MOSFET 寄生電容總體呈下降的。當(dāng) Vds 電壓 越低的時候,MOSFET 寄生電容越來越大,尤其是 Coss 電容。那么, 隨著電壓的升高,Coss 下降的是最快
    發(fā)表于 04-22 13:31 ?4次下載

    減少PCB寄生電容的方法

    電子系統(tǒng)中的噪聲有多種形式。無論是從外部來源接收到的,還是在PCB布局的不同區(qū)域之間傳遞,噪聲都可以通過兩種方法無意中接收:寄生電容寄生電感。寄生電感相對容易理解和診斷,無論是從串?dāng)_的角度還是從板上不同部分之間看似隨機(jī)噪聲的耦
    的頭像 發(fā)表于 03-17 11:31 ?2630次閱讀
    減少PCB<b class='flag-5'>寄生電容</b>的方法