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串聯(lián)終端CMOS傳輸線(xiàn)中的電壓和電流波形

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:上海韜放電子 ? 作者:上海韜放電子 ? 2020-12-30 12:53 ? 次閱讀
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串聯(lián)終端的傳輸線(xiàn) 是連接CMOS器件的主要方法 ,在下面的討論中,所有提到的器件都是CMOS器件。CMOS器件實(shí)際上導(dǎo)致了ECL技術(shù)的滅亡,因?yàn)槭褂肊CL,無(wú)論采取什么措施,生產(chǎn)線(xiàn)總是會(huì)消耗功率并導(dǎo)致大型機(jī)器出現(xiàn)嚴(yán)重的散熱問(wèn)題。

圖1是典型的5V CMOS驅(qū)動(dòng)器,其50歐姆傳輸線(xiàn)連接到無(wú)源CMOS接收器。

圖1.典型的串聯(lián)終端CMOS傳輸線(xiàn)

無(wú)源接收器意味著它僅對(duì)輸入端呈現(xiàn)的電壓波形做出響應(yīng)。為了便于說(shuō)明,CMOS接收器看起來(lái)像很小的電容器,被認(rèn)為是開(kāi)路的。在這里,線(xiàn)長(zhǎng)約12英寸(30厘米)。PCB中的能量每納秒傳播大約六英寸。因此,這條線(xiàn)大約兩納秒長(zhǎng)。

圖2中顯示了圖1中傳輸線(xiàn)的示意圖。

圖2.傳輸線(xiàn)的示意圖

可以看出, 沿著傳輸線(xiàn)的長(zhǎng)度分布著電容,電阻和電感。如前幾篇文章所述,這些元件被稱(chēng)為寄生元件,它們以每單位長(zhǎng)度的電感與每單位長(zhǎng)度的電容器之比來(lái)建立傳輸線(xiàn)的行為。此外,它們確定線(xiàn)路的阻抗,如公式1所示。

公式1.傳輸線(xiàn)的阻抗

注意:為串聯(lián)端接的傳輸線(xiàn)選擇驅(qū)動(dòng)器時(shí),驅(qū)動(dòng)器的輸出阻抗必須等于或小于傳輸線(xiàn)的阻抗。

在公式1中,每單位長(zhǎng)度的電感表示為L(zhǎng)o,每單位長(zhǎng)度的電容表示為Co。(這兩個(gè)變量可以使用2D場(chǎng)求解器等工具確定給定的傳輸線(xiàn)類(lèi)型)。

T0處的等效電路是電壓源,圖3是從邏輯0到邏輯1的轉(zhuǎn)換開(kāi)始時(shí)的等效電路。

圖3.開(kāi)關(guān)開(kāi)始時(shí)T0處圖1電路的等效電路

分壓器由驅(qū)動(dòng)器輸出阻抗和上部的串聯(lián)端接以及下部的傳輸線(xiàn)阻抗組成。正確選擇串聯(lián)終端后,Zout和Zst的組合將與Zo相同。在此示例中,兩者均為50歐姆。

圖4顯示了當(dāng)驅(qū)動(dòng)器從邏輯0切換到邏輯1時(shí)圖1中的串聯(lián)端接傳輸線(xiàn)的電壓和電流波形。

圖4.電壓和電流波形,串聯(lián)端接的傳輸線(xiàn)從0切換到1

從傳輸線(xiàn)開(kāi)始的電壓波形為V / 2,代表電源電壓的一半。因此,出站時(shí),電容充電至V / 2。這由圖4下部所示的電流波形表示,并且可以由V對(duì)兩個(gè)串聯(lián)電阻的簡(jiǎn)單計(jì)算來(lái)表示。

注意:歐姆定律描述了通過(guò)電阻的電流與通過(guò)電阻的電壓之間的關(guān)系?;旧希梢?guī)定,以安培為單位的電流等于以電阻為單位的電壓(以伏特為單位)除以以歐姆為單位的電阻。

當(dāng)電流到達(dá)傳輸線(xiàn)的遠(yuǎn)端(開(kāi)路)時(shí),電壓加倍。EM場(chǎng)從傳輸線(xiàn)的開(kāi)路端反射回去,并且正在對(duì)電容進(jìn)行充電,直至到達(dá)V為止。當(dāng)EM場(chǎng)回到線(xiàn)路的起點(diǎn)時(shí),電容已充滿(mǎn)電,并且電流變?yōu)榱?。如圖4的下部所示。

關(guān)于圖4所示的操作要記住的重要事項(xiàng)包括:

圖形底部的電流波形持續(xù)兩倍于傳輸線(xiàn)的電氣長(zhǎng)度。

從電源子系統(tǒng)汲取的最大電流由傳輸線(xiàn)的Zo和電源電壓設(shè)置。

傳輸線(xiàn)輸入處的電流波形和電壓波形的乘積就是必須由電源子系統(tǒng)提供的電源。

波形的頻率內(nèi)容不是由時(shí)鐘頻率設(shè)置的。
編輯:hfy

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