來源：Doug Mercer 和 Antoniu Miclaus

本次活動(dòng)是對11月份學(xué)子專區(qū)的延續(xù)；本次將介紹電流鏡，其輸出可以不受輸入電流變化的影響。因此，使用MOS晶體管從另一個(gè)角度來研究零增益放大器的性能將頗有助益。

材料

● ADALM2000 主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊

● 無焊面包板

● 一個(gè)2.2 kΩ電阻（或其他類似值）

● 一個(gè)168 Ω電阻（將100 Ω和68 Ω電阻串聯(lián)）

● 一個(gè)小信號(hào)NMOS晶體管（增強(qiáng)模式CD4007或ZVN2110A）

說明

圖1給出了NMOS零增益放大器的原理圖。

圖1.NMOS零增益放大器

硬件設(shè)置

面包板連接如圖2所示。任意波形發(fā)生器1輸出連接驅(qū)動(dòng)電阻R1的一端。電阻R2連接在晶體管M1的柵極和漏極之間，電阻R1的另一端也連接至柵極。M1的源極接地；所以，M1采用共源配置。

圖2.NMOS零增益放大器面包板電路。

程序步驟

波形發(fā)生器1配置為1 kHz三角波，峰峰值幅度為4 V，偏置為2 V。連接示波器通道1，以顯示AWG的輸出W1。示波器通道2 (2+)的單端輸入被用于交替測量M1的柵極電壓和漏極電壓。

配置示波器以捕獲測量的兩個(gè)信號(hào)的多個(gè)周期。啟用XY功能。

使用示波器的波形圖示例如圖3至圖5所示。

圖3.示波器VGATE的波形圖。

圖4.示波器VDRAIN的波形圖。

圖5.示例：比較VGATE和VDRAIN。
編輯：hfy