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電容耦合放電如何改變?nèi)跆綔y信號所經(jīng)歷的阻抗和電抗

電子設(shè)計 ? 來源:電子技術(shù)設(shè)計 ? 作者:電子技術(shù)設(shè)計 ? 2021-01-27 15:55 ? 次閱讀
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當(dāng)前和未來的通信必須處理日益擁擠的電磁頻譜,如果某個頻率或整個頻帶被占用,在頻譜中找到一個“打開的窗口”是至關(guān)重要的。為此,下一代射頻系統(tǒng)應(yīng)該能夠快速重新配置或頻率捷變,即能夠根據(jù)需要快速改變載波頻率??勺儫o源電抗元件是可重構(gòu)射頻系統(tǒng)的關(guān)鍵組件:可調(diào)電容和電感廣泛用于調(diào)諧諧振頻率。這種可變電抗通常是機械、半導(dǎo)體微機電系統(tǒng)元件。

然而,后兩種技術(shù)局限于低功率應(yīng)用,并且具有其他固有的缺點,例如非線性行為以及對溫度和輻射的敏感性。當(dāng)需要調(diào)諧和傳輸大功率信號時,目前使用機械控制的可變電容器電感器。這種機械解決方案包括電動機,其機械地旋轉(zhuǎn)和/或移動一組可變電容器和/或電感器或開關(guān)電容器和/或電感器組。因此,這些系統(tǒng)體積大且相當(dāng)慢。

研究內(nèi)容

使用等離子體作為可調(diào)諧射頻元件的概念有許多優(yōu)點。等離子體可以快速(電子)打開和關(guān)閉,其性質(zhì)在很大范圍內(nèi)變化;等離子體可以處理比半導(dǎo)體更高的射頻功率、溫度和輻射。此外,冷等離子體放電對于可重構(gòu)射頻電子器件來說有一個獨特的特性:能夠?qū)⑵渥杩箯碾娙菪愿淖優(yōu)殡姼行裕斩纱髮W(xué)的研究人員對此繼續(xù)了研究。

實驗方法

他們的概念是通過改變等離子體激勵信號的頻率和/或功率來控制弱探測射頻或微波信號所經(jīng)歷的阻抗。但是直到現(xiàn)在還沒有實驗研究。通過在一個頻率范圍內(nèi)改變強射頻激勵信號,可以改變等離子體的性質(zhì),而弱射頻探測信號將在不同的頻率范圍內(nèi),并且它將作為可調(diào)阻抗元件進入等離子體單元。當(dāng)?shù)入x子體單元比探測信號波長小得多時,放電可以用分布參數(shù)等效電路表示。其參數(shù)可以從在很寬的頻率范圍內(nèi)通過探測測得的總阻抗中推斷出來。通過均勻模型可以對放電行為進行特別簡單的解釋,該模型假設(shè)離子密度在任何地方都是恒定的,包括電極附近的振蕩鞘層,其中電子數(shù)密度幾乎為零。在這種情況下,可以從從多頻探測推斷出的集總參數(shù)值中計算出等離子體特性。在本文中,他們在對具有非常不同尺寸的等離子體單元的實驗研究中進一步發(fā)展了這一思想。

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使用電容耦合等離子體作為弱射頻或微波信號的可調(diào)阻抗元件的概念。

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射頻實驗裝置。

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傳輸系數(shù)(S21),說明系統(tǒng)中射頻路徑的衰減。

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GDT阻抗可調(diào)諧等離子體:功率以200 MHz的恒定激勵頻率變化。

結(jié)論

電容耦合放電表現(xiàn)為廣泛可調(diào)的阻抗元件,通過改變等離子體激勵信號的頻率和/或功率,可以改變?nèi)跆綔y信號所經(jīng)歷的阻抗和電抗。對于一個大的等離子體裝置,例如在這項工作中研究的直徑為5厘米的電極,結(jié)果的解釋需要電磁建模。較小器件的結(jié)果,例如這里研究的具有1 cm直徑電極的器件,可以用簡單的集總參數(shù)等效電路來解釋,并且可以推斷出關(guān)鍵的等離子體參數(shù)??偟膩碚f,這項工作表明,不僅放電的有效電容可以變化很大,而且電抗可以從電容性變?yōu)殡姼行?,這是傳統(tǒng)的可變電容器和電感器無法實現(xiàn)的。另一方面,等離子體的耗散特性將阻礙其作為可調(diào)電抗元件的應(yīng)用,歐姆電阻的最小化應(yīng)在未來進行研究。
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