來源：羅姆半導體社區(qū)

1. 使用LDO穩(wěn)壓器，從5V電源向3.3V系統(tǒng)供電

標準三端線性穩(wěn)壓器的壓差通常是 2.0-3.0V。要把 5V 可靠地轉換為 3.3V，就不能使用它們。壓差為幾百個毫伏的低壓降 （Low Dropout， LDO）穩(wěn)壓器，是此類應用的理想選擇。標注了相應的電流。2.LDO 由四個主要部分組成：

1. 導通晶體管

2. 帶隙參考源

3. 運算放大器

4. 反饋電阻分壓器

在選擇 LDO 時，重要的是要知道如何區(qū)分各種LDO。器件的靜態(tài)電流、封裝大小和型號是重要的器件參數(shù)。根據(jù)具體應用來確定各種參數(shù)，將會得到最優(yōu)的設計。

2.使用齊納二極管

齊納二極管和電阻做成簡單的低成本 3.3V穩(wěn)壓器，在很多應用中，齊納二極管和電阻電路可以替代 LDO 穩(wěn)壓器并具成本效益。但是，這種穩(wěn)壓器對負載敏感的程度要高于 LDO 穩(wěn)壓器。另外，它的能效較低，因為 R1 和 D1 始終有功耗。R1 限制流入D1 和MCU的電流，從而使VDD 保持在允許范圍內。由于流經(jīng)齊納二極管的電流變化時，二極管的反向電壓也將發(fā)生改變，所以需要仔細考慮 R1 的值。

R1 的選擇依據(jù)是：在最大負載時——通常是在MCU 運行且驅動其輸出為高電平時——R1上的電壓降要足夠低從而使MCU有足以維持工作所需的電壓。同時，在最小負載時——通常是MCU 復位時——VDD 不超過齊納二極管的額定功率，也不超過MCU的最大 VDD。

3. 采用3個整流二極管

所需整流二極管的數(shù)量根據(jù)所選用二極管的正向電壓而變化。二極管 D1-D3 的電壓降是流經(jīng)這些二極管的電流的函數(shù)。連接 R1 是為了避免在負載最小時——通常是 MCU 處于復位或休眠狀態(tài)時——MCU VDD 引腳上的電壓超過MCU 的最大 VDD 值。根據(jù)其他連接至VDD 的電路，可以提高R1 的阻值，甚至也可能完全不需要 R1。二極管 D1-D3 的選擇依據(jù)是：在最大負載時——通常是 PICmicro MCU 運行且驅動其輸出為高電平時——D1-D3 上的電壓降要足夠低從而能夠滿足 MCU 的最低 VDD 要求。

4. 使用開關穩(wěn)壓器，從5V電源向3.3V系統(tǒng)供電

降壓開關穩(wěn)壓器是一種基于電感的轉換器，用來把輸入電壓源降低至幅值較低的輸出電壓。輸出穩(wěn)壓是通過控制 MOSFET Q1 的導通（ON）時間來實現(xiàn)的。由于 MOSFET 要么處于低阻狀態(tài)，要么處于高阻狀態(tài)（分別為 ON 和OFF），因此高輸入源電壓能夠高效率地轉換成較低的輸出電壓。

使用這一方法時還要考慮連接兩個工作電壓不同的器件必須要知道其各自的輸出、輸入閾值。知道閾值之后，可根據(jù)應用的其他需求選擇器件的連接方法。在設計連接時，請務必參考制造商的數(shù)據(jù)手冊以獲得實際的閾值電平。

5.使用電阻分壓器

可以使用簡單的電阻分壓器將 5V 器件的輸出降低到適用于 3.3V 器件輸入的電平。在功耗和瞬態(tài)時間之間存在取舍權衡。為了使接口電流的功耗需求最小，串聯(lián)電阻應盡可能大。但是，負載電容 （由雜散電容 CS 和 3.3V 器件的輸入電容 CL 合成）可能會對輸入信號的上升和下降時間產(chǎn)生不利影響。如果電阻過大，上升和下降時間可能會過長而無法接受。

審核編輯黃昊宇