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RFID的選型及基本電路框架

454398 ? 來源:alpha007 ? 作者:alpha007 ? 2022-11-17 11:48 ? 次閱讀
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RFID 作為一項專業(yè)度較高的技術,在一些公司,可能還會專門招聘專業(yè)的 RFID 工程師。本篇闡述的涉及到的只是基本選型設計、電路框架,關于 RFID 天線調試、低功耗檢卡調試等,后續(xù)再其他篇章會繼續(xù)更新!

NFC(Near Field Communication)芯片選型:

主要考量點:

芯片支持的協(xié)議、是否支持低功耗檢卡、是否能過金融認證、芯片價格

芯片支持協(xié)議:

ISO14443A/B、ISO15693、 ISO18092 和 ISO21481 等。

ISO14443A 卡:Mifare 系列、 Ultralight 系列、 Plus 系列、 CPU 卡系列等。

ISO14443B 卡:身份證、 SR176、 SRI512 等。

ISO15693:NXP 的 ICODE 系列、 TI 的 Tag_it HF-I、 ST LRI 等。

ISO18092:包括讀卡模式、卡模式、點對點通信模式。

ISO21481:在 ISO18092 基礎上兼容 ISO15693 協(xié)議。

LPCD 功能:芯片低功耗檢測卡片功能。沒有卡片靠近時,芯片處于低功耗狀態(tài), 僅需 10uA 電流,就能完成卡片偵測, 當卡片靠近時,芯片偵測到卡片,喚醒單片機讀卡。

金融認證:PBOC2.0/3.0 標準、 EMV 標準

電路架構:

NFC 芯片外部電路通常由以下幾個部分組成:供電電路、通信接口電路、天線電路、振蕩電路;

供電電路:主要包括模擬電源 AVDD、數(shù)字電源 DVDD、發(fā)射器電源 TVDD、引腳電源 PVDD、測試引腳電源 PVDD2;

a. 如果需要提高發(fā)射功率可提高 TVDD 的電壓,例如 5V 供電的 TVDD 形成的發(fā)射功率會比 3V 的要強;

b. 芯片的供電電流通常在幾十到幾百 mA,主要的能量消耗在發(fā)射器的電路上。例如 FM175xx 的天線發(fā)射電流在 100mA,RC663 則可以達 250mA,因此選擇供電芯片、電感器件時,需要注意留足余量;

c. 讀卡芯片天線 13.56MHz 的正弦波信號會干擾電源,為減少傳導干擾,可以在電源端加π型濾波器,但為減少電路設計冗余度,一般情況下不添加。

通信接口:

通常都支持 SPI/I2C/UART,一般通過外部引腳配置選擇,為方便升級,可做兼容設計;

天線設計:

天線電路主要由 4 部分組成:EMC 濾波、匹配電路、天線、接收電路。以 FM17550 為例,如下:

濾波電路:

由 L1、C1 組成的低通濾波器用于濾除 13.56MHz 的衍生諧波,該濾波器截止頻率應設計在 14MHz 以上。L1 電感不可靠近擺放,以免互相干擾(互感效應)。濾波電路元件匹配公式:f=1/(2π√LC)

匹配電路:

用于調節(jié)發(fā)射負載和諧振頻率。射頻電路功率受芯片內阻和外阻抗影響,當芯片內阻和外阻抗一致時,發(fā)射功率效率最高。C2 是負載電容,天線感量越大,C2 取值越小。C3 是諧振電容,取值和天線電感量直接相關,使得諧振頻率在 13.56MHz。

接收電路:

C4 濾除直流信號,R2 和 R3 組成分壓電路,使得 RX 接收端正弦波信號幅度在 1.5-3V 之間。

天線:

由 R1 電阻(通常是 1ohm 或 0ohm)和印制 PCB 組成。

天線越大,讀卡距離越遠,當天線面積達到 5cm x 5cm 以后,再增大天線,讀卡距離沒有明顯提升。

天線線寬建議選擇 0.5mm - 1mm。天線大于 5cm x 5cm 不能多于 3 圈,小于 3cm x 3cm 不能小于 4 圈

為減小 EMC 輻射干擾,需要將 PCB 走線轉角處畫成圓弧。

天線區(qū)域內和天線邊緣禁止將信號、電源、地線畫成圈或者半圓,天線圈內不可有大面積金屬物體、金屬鍍膜,避免引起磁場渦流效應造成能力嚴重損耗。

天線 PCB 繞線方式是相對的,不是同向。

天線電路設計元件的精度應控制在 2%以內,否則容易導致天線諧振頻點偏差,導致讀卡性能嚴重下降,產(chǎn)品一致性難以保證

天線大小和讀卡距離關系

審核編輯 黃昊宇

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