1、刻蝕設(shè)備行業(yè)基本概況分析：定義、產(chǎn)業(yè)鏈

刻蝕即用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，其基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。其是半導體制造工藝中重要的一環(huán)，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。

刻蝕的實現(xiàn)需要依賴專業(yè)的刻蝕設(shè)備（刻蝕機），故刻蝕設(shè)備的制造也是IC制造中的重要環(huán)節(jié)?？涛g設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈及刻蝕在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的環(huán)節(jié)如下所示：

2、產(chǎn)業(yè)政策分析：扶植措施明顯

從政策環(huán)境上來看，我國對于刻蝕設(shè)備行業(yè)較為重視。其主要表現(xiàn)在對于整個IC產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的政策優(yōu)待以及對于半導體設(shè)備行業(yè)的相關(guān)規(guī)劃與推動。

如《“十三五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃》中明確提出，要攻克14nm刻蝕設(shè)備及核心零部件的制造;《極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝》項目（02專項）也引進了產(chǎn)業(yè)投資，扶植了刻蝕設(shè)備相關(guān)的產(chǎn)業(yè)。

3、刻蝕技術(shù)發(fā)展：刻蝕技術(shù)百花齊放

刻蝕技術(shù)主要分為干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，其中濕法刻蝕是一個純粹的化學反應(yīng)過程，能夠利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應(yīng)來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的;而干法刻蝕則不會使用溶液進行刻蝕。

根據(jù)刻蝕方法，干法刻蝕可以分為物理性刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕和化學性刻蝕;根據(jù)被刻蝕的材料類型則可分為介質(zhì)刻蝕、金屬刻蝕和硅刻蝕。

刻蝕設(shè)備的發(fā)展與刻蝕技術(shù)的發(fā)展息息相關(guān)，不同的刻蝕技術(shù)需要不同的刻蝕設(shè)備來實現(xiàn)，但是不同的刻蝕設(shè)備總體來說，在制造過程中仍會遵循一個統(tǒng)一的規(guī)范。根據(jù)中微公司招股說明書中披露的內(nèi)容，刻蝕設(shè)備的通用制造流程如下所示：

4、市場競爭格局分析：泛林半導體獨占一半份額

目前，全球刻蝕設(shè)備行業(yè)的主要企業(yè)即泛林半導體（Lam Research），東京電子（TEL）和應(yīng)用材料（AMAT）三家，從刻蝕設(shè)備銷售情況來看，三家企業(yè)的合計市場份額就占到了全球刻蝕設(shè)備市場的90%以上。其中泛林半導體獨占52%的市場份額，Nikon與Canon分別占據(jù)20%和19%的市場份額。

5、市場規(guī)模：市場規(guī)模不斷增長

從市場規(guī)模來看，2013-2019年，刻蝕設(shè)備市場規(guī)模不斷增長。2019年，全球刻蝕設(shè)備市場規(guī)模約為115億元，2013-2019年市場規(guī)模平均增長率接近20%。預計未來刻蝕設(shè)備市場規(guī)模增長率會逐漸放緩，到2025年實現(xiàn)155億美元。

6、國產(chǎn)企業(yè)發(fā)展：相關(guān)技術(shù)仍需進步

近年來，隨著國內(nèi)晶圓廠制程工藝的進步，多重曝光工藝逐步得到應(yīng)用，對刻蝕設(shè)備的需求潛力增大，帶動了我國刻蝕設(shè)備行業(yè)的發(fā)展。在政策的推動和研發(fā)的進步下，我國刻蝕設(shè)備行業(yè)涌現(xiàn)出了一批優(yōu)秀的領(lǐng)先企業(yè)。

但我國企業(yè)在刻蝕設(shè)備制造方面距離世界頭部企業(yè)仍有一定的距離，刻蝕設(shè)備研發(fā)進度仍待加快。

我國刻蝕設(shè)備相關(guān)領(lǐng)先企業(yè)技術(shù)進展情況如下所示：

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