近年來(lái),全球?qū)﹄娏Φ男枨笾鹉暝鲩L(zhǎng)。伴隨著化學(xué)燃料的枯竭和CO2排放量增多引發(fā)的全球變暖現(xiàn)象,人們對(duì)能源問(wèn)題和地球環(huán)境問(wèn)題的擔(dān)憂日益加深?,F(xiàn)如今,電力的有效利用已成為當(dāng)務(wù)之急。其中,碳化硅功率元器件作為新一代"環(huán)保元器件",正備受業(yè)界關(guān)注。
碳化硅(SiC,下文中的碳化硅簡(jiǎn)稱為SiC)一經(jīng)問(wèn)世就開(kāi)始大展拳腳,在電源、汽車、鐵路、工業(yè)設(shè)備、家用消費(fèi)類電子設(shè)備等領(lǐng)域皆取得了顯著的成效。SiC是一種由硅(Si)和碳(C)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料,帶隙是Si的3倍,在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p 型、n 型,所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件用材料。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作的話,4H‐SiC為合適不過(guò)。由于SiC天然含量甚少,故來(lái)源方式多為人造。常見(jiàn)的方法是將石英砂與焦炭混合,利用其中的二氧化硅和石油焦,加入食鹽和木屑,置入電爐中,加熱到2000°C左右高溫,經(jīng)過(guò)各種化學(xué)工藝流程后得到SiC微粉。與他的"兄弟"Si半導(dǎo)體相比,SiC功率元件絕緣擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高約10倍,可達(dá)幾千V的高耐壓,另外單位面積的導(dǎo)通電阻非常低,可降低功率損耗。
SiC的應(yīng)用:
SiC-SBD(碳化硅-肖特基勢(shì)壘二極管)
開(kāi)發(fā)出采用SiC材料的SBD,適用于PFC電路和逆變電路。具有Si-FRD無(wú)法達(dá)到的極短反向恢復(fù)時(shí)間。因?yàn)門otal Capacitive Charge(Qc)小、可以降低開(kāi)關(guān)損失,實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)。而且,Si快速恢復(fù)二極管的trr會(huì)隨著溫度上升而增大,而SiC則可以維持大體一定的特性。
SiCMOSFET
SiC晶體管雖然以及開(kāi)始產(chǎn)品化,但還不如SiC二極管那樣普及,只在很少的用途得到了采用。這是因?yàn)?,晶體管比二極管的制造工藝復(fù)雜,所以成品率低、價(jià)格高。SiCMOSFET可同時(shí)實(shí)現(xiàn)硅元器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的高速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻,高溫下也具備優(yōu)良的電氣特性。開(kāi)關(guān)時(shí)的差動(dòng)放大電流原則上是沒(méi)有的,所以可以高速運(yùn)作,開(kāi)關(guān)損失降低。 小尺寸芯片的導(dǎo)通電阻低,所以實(shí)現(xiàn)低容量?低門極消耗。 Si產(chǎn)品隨溫度的上升導(dǎo)通電阻上升2倍以上,SiC的導(dǎo)通電阻上升小,可以實(shí)現(xiàn)整機(jī)的小型化和節(jié)能化。
SiC制BJT
SiC雙極結(jié)型晶體管(BJT)方面,已經(jīng)公開(kāi)發(fā)布了若干提高電流放大率的研發(fā)成果。電流放大率越高,越能以小電流開(kāi)關(guān)BJT,有望縮小BJT控制電路的尺寸。BJT雖然具有導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn),但由于是電流控制型,存在BJT控制電路容易增大的課題。
SiC功率模塊
內(nèi)置的功率半導(dǎo)體元件全部由SiC構(gòu)成,與Si(硅)材質(zhì)的IGBT模塊相比,可大幅降低開(kāi)關(guān)損耗。 內(nèi)置SiC-SBD、SiC-MOSFET,與傳統(tǒng)的Si-IGBT相比,在100KHz以上的高頻環(huán)境下工作成為可能。 要想最大限度發(fā)揮新一代功率半導(dǎo)體的實(shí)力,封裝技術(shù)也至關(guān)重要。除封裝材料和接合材料的耐熱溫度外,還存在散熱能力等技術(shù)方面的課題。進(jìn)入2012年后,解決了上述課題的SiC模塊開(kāi)始產(chǎn)品化。全SiC量產(chǎn)模塊最初只有額定電壓為1200V、額外電流為100A的一款產(chǎn)品,但通過(guò)高速開(kāi)關(guān)和低損耗化,可以替換額定電流為200~400A的Si制IGBT模塊。
現(xiàn)今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)如火如荼,正步入黃金發(fā)展期,新能源汽車行業(yè)也在風(fēng)口起舞,這些新市場(chǎng)的開(kāi)拓都會(huì)給SiC帶來(lái)機(jī)遇。因此,SiC相關(guān)材料的前景不可限量。
審核編輯黃宇
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