91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

簡(jiǎn)要剖析碳化硅

454398 ? 來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? 作者:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? 2023-02-01 17:50 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū)

近年來(lái),全球?qū)﹄娏Φ男枨笾鹉暝鲩L(zhǎng)。伴隨著化學(xué)燃料的枯竭和CO2排放量增多引發(fā)的全球變暖現(xiàn)象,人們對(duì)能源問(wèn)題和地球環(huán)境問(wèn)題的擔(dān)憂日益加深?,F(xiàn)如今,電力的有效利用已成為當(dāng)務(wù)之急。其中,碳化硅功率元器件作為新一代"環(huán)保元器件",正備受業(yè)界關(guān)注。

碳化硅(SiC,下文中的碳化硅簡(jiǎn)稱為SiC)一經(jīng)問(wèn)世就開(kāi)始大展拳腳,在電源、汽車、鐵路、工業(yè)設(shè)備、家用消費(fèi)類電子設(shè)備等領(lǐng)域皆取得了顯著的成效。SiC是一種由硅(Si)和碳(C)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料,帶隙是Si的3倍,在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p 型、n 型,所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件用材料。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作的話,4H‐SiC為合適不過(guò)。由于SiC天然含量甚少,故來(lái)源方式多為人造。常見(jiàn)的方法是將石英砂與焦炭混合,利用其中的二氧化硅和石油焦,加入食鹽和木屑,置入電爐中,加熱到2000°C左右高溫,經(jīng)過(guò)各種化學(xué)工藝流程后得到SiC微粉。與他的"兄弟"Si半導(dǎo)體相比,SiC功率元件絕緣擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高約10倍,可達(dá)幾千V的高耐壓,另外單位面積的導(dǎo)通電阻非常低,可降低功率損耗。

SiC的應(yīng)用:

SiC-SBD(碳化硅-肖特基勢(shì)壘二極管
開(kāi)發(fā)出采用SiC材料的SBD,適用于PFC電路和逆變電路。具有Si-FRD無(wú)法達(dá)到的極短反向恢復(fù)時(shí)間。因?yàn)門otal Capacitive Charge(Qc)小、可以降低開(kāi)關(guān)損失,實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)。而且,Si快速恢復(fù)二極管的trr會(huì)隨著溫度上升而增大,而SiC則可以維持大體一定的特性。

SiCMOSFET
SiC晶體管雖然以及開(kāi)始產(chǎn)品化,但還不如SiC二極管那樣普及,只在很少的用途得到了采用。這是因?yàn)?,晶體管比二極管的制造工藝復(fù)雜,所以成品率低、價(jià)格高。SiCMOSFET可同時(shí)實(shí)現(xiàn)硅元器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的高速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻,高溫下也具備優(yōu)良的電氣特性。開(kāi)關(guān)時(shí)的差動(dòng)放大電流原則上是沒(méi)有的,所以可以高速運(yùn)作,開(kāi)關(guān)損失降低。 小尺寸芯片的導(dǎo)通電阻低,所以實(shí)現(xiàn)低容量?低門極消耗。 Si產(chǎn)品隨溫度的上升導(dǎo)通電阻上升2倍以上,SiC的導(dǎo)通電阻上升小,可以實(shí)現(xiàn)整機(jī)的小型化和節(jié)能化。

SiC制BJT
SiC雙極結(jié)型晶體管(BJT)方面,已經(jīng)公開(kāi)發(fā)布了若干提高電流放大率的研發(fā)成果。電流放大率越高,越能以小電流開(kāi)關(guān)BJT,有望縮小BJT控制電路的尺寸。BJT雖然具有導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn),但由于是電流控制型,存在BJT控制電路容易增大的課題。

SiC功率模塊
內(nèi)置的功率半導(dǎo)體元件全部由SiC構(gòu)成,與Si(硅)材質(zhì)的IGBT模塊相比,可大幅降低開(kāi)關(guān)損耗。 內(nèi)置SiC-SBD、SiC-MOSFET,與傳統(tǒng)的Si-IGBT相比,在100KHz以上的高頻環(huán)境下工作成為可能。 要想最大限度發(fā)揮新一代功率半導(dǎo)體的實(shí)力,封裝技術(shù)也至關(guān)重要。除封裝材料和接合材料的耐熱溫度外,還存在散熱能力等技術(shù)方面的課題。進(jìn)入2012年后,解決了上述課題的SiC模塊開(kāi)始產(chǎn)品化。全SiC量產(chǎn)模塊最初只有額定電壓為1200V、額外電流為100A的一款產(chǎn)品,但通過(guò)高速開(kāi)關(guān)和低損耗化,可以替換額定電流為200~400A的Si制IGBT模塊。

現(xiàn)今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)如火如荼,正步入黃金發(fā)展期,新能源汽車行業(yè)也在風(fēng)口起舞,這些新市場(chǎng)的開(kāi)拓都會(huì)給SiC帶來(lái)機(jī)遇。因此,SiC相關(guān)材料的前景不可限量。

審核編輯黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10402

    瀏覽量

    147989
  • BJT
    BJT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    238

    瀏覽量

    19245
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3751

    瀏覽量

    69569
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

    博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級(jí)供應(yīng)商以及分銷商,產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 12-12 14:14 ?832次閱讀

    Onsemi碳化硅MOSFET NTHL060N065SC1的性能剖析與應(yīng)用指南

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能逐漸成為工程師們的首選。今天我們就來(lái)詳細(xì)剖析Onsemi的一款650V、44毫歐的N溝道碳化硅MOSFET——NTHL060N065SC1。
    的頭像 發(fā)表于 12-08 15:50 ?564次閱讀
    Onsemi<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET NTHL060N065SC1的性能<b class='flag-5'>剖析</b>與應(yīng)用指南

    安森美650V碳化硅MOSFET:NTH4L075N065SC1的技術(shù)剖析

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET以其出色的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天,我們就來(lái)深入剖析安森美(onsemi)的一款碳化硅MOSFET——NTH4L075N065SC1。
    的頭像 發(fā)表于 12-05 16:54 ?1064次閱讀
    安森美650V<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET:NTH4L075N065SC1的技術(shù)<b class='flag-5'>剖析</b>

    onsemi碳化硅MOSFET NVHL070N120M3S:性能剖析與應(yīng)用展望

    在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正逐漸嶄露頭角。今天,我們就來(lái)詳細(xì)剖析onsemi推出的一款碳化硅MOSFET——NVHL070N120M3S,看看它在實(shí)際應(yīng)用中究竟有哪些獨(dú)特之處。
    的頭像 發(fā)表于 12-02 10:06 ?619次閱讀
    onsemi<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET NVHL070N120M3S:性能<b class='flag-5'>剖析</b>與應(yīng)用展望

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動(dòng)脫碳的基石。碳化硅是高級(jí)電力系統(tǒng)的推動(dòng)劑,可滿足全球?qū)稍偕茉础㈦妱?dòng)汽車 (EV
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1823次閱讀

    [新啟航]碳化硅 TTV 厚度測(cè)量技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新方向

    一、引言 碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。總厚度偏差(TTV)是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標(biāo),其精確測(cè)量對(duì)保障碳化硅器件性能至關(guān)重要
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:53 ?1825次閱讀
    [新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測(cè)量技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新方向

    Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用

    碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來(lái),它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎(chǔ)之上。近四十年來(lái),Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強(qiáng)化基礎(chǔ)專利。僅在過(guò)去的五年中,我們
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:31 ?874次閱讀

    碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

    今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽(yáng)能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電器和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:38 ?7195次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過(guò)300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1719次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過(guò)晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過(guò)程后形成的單片材料。按照電學(xué)性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1224次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    博世碳化硅技術(shù)在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

    驚聞謠傳頭部碳化硅Tier 1玩家博世“被”退出碳化硅賽道,小編表示地鐵、老人、手機(jī).jpg,火速去內(nèi)部打探消息——結(jié)果只想說(shuō)一句:別慌,博世還在,且蓄勢(shì)待發(fā)!這樣精彩的舞臺(tái),怎會(huì)少了博世這位心動(dòng)嘉賓。
    的頭像 發(fā)表于 07-04 09:46 ?1075次閱讀
    博世<b class='flag-5'>碳化硅</b>技術(shù)在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?1216次閱讀

    碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1291次閱讀

    碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢(shì)

    在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來(lái)越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
    的頭像 發(fā)表于 04-09 18:02 ?1476次閱讀