電容擊穿的概念
電容的電介質(zhì)承受的電場強(qiáng)度是有一定限度的,當(dāng)被束縛的電荷脫離了原子或分子的束縛而參加導(dǎo)電,就破壞了絕緣性能,這一現(xiàn)象稱為電介質(zhì)的擊穿。
電容器被擊穿的條件
電容器被擊穿的條件達(dá)到擊穿電壓。
擊穿電壓是電容器的極限電壓,超過這個(gè)電壓,電容器內(nèi)的介質(zhì)將被擊穿。額定電壓是電容器長期工作時(shí)所能承受的電壓,它比擊穿電壓要低。電容器在不高于擊穿電壓下工作都是安全可靠的,不要誤認(rèn)為電容器只有在額定電壓下工作才是正常的。
定義 PN 結(jié)發(fā)生臨界擊穿對(duì)應(yīng)的電壓為 PN 結(jié)的擊穿電壓 BV,BV 是衡量 PN 結(jié)可靠性與使用范圍的一個(gè)重要參數(shù),在 PN 結(jié)的其它性能參數(shù)不變的情況下,BV 的值越高越好。
一般電容擊穿是開路還是短路?
一般電容擊穿后則相當(dāng)于短路,原因是當(dāng)電容接在直流上時(shí)是看為開路,接在交流電上時(shí)看為短路,電容有個(gè)性質(zhì)是通交隔直,擊穿一詞在電工的理解是短路,擊穿形成的原因主要是外界電壓超過其標(biāo)稱電壓所導(dǎo)致的永久性破壞,叫做擊穿。
在固體電介質(zhì)中發(fā)生破壞性放電時(shí),稱為擊穿。擊穿時(shí),在固體電介質(zhì)中留下痕跡,使固體電介質(zhì)永久失去絕緣性能。如絕緣紙板擊穿時(shí),會(huì)在紙板上留下一個(gè)孔。可見擊穿這個(gè)詞僅限用于固體電介質(zhì)中。
電容擊穿的原因
電容擊穿的根本原因就是其電介質(zhì)的絕緣性被破壞,產(chǎn)生了極化。造成電介質(zhì)絕緣性被破壞的原因有:
工作電壓超過了電容的最大耐壓;
電容質(zhì)量不好,漏電流大,溫度逐漸升高,絕緣強(qiáng)度下降。
避免介質(zhì)擊穿的方法
采用絕緣強(qiáng)度高的材料;
絕緣材料有一定厚度,且不含雜質(zhì),如氣泡或水分;
設(shè)法使電場按要求分布,避免電力線在某些地方過于密集。
有極性電容的極性接反或者接到了交流電源之上。
電容擊穿后能否恢復(fù)
電介質(zhì)是氣體或者是液體,均是自恢復(fù)絕緣介質(zhì),擊穿可逆;
電介質(zhì)是固體,擊穿不可逆,是唯一擊穿后不可恢復(fù)的絕緣介質(zhì)。
安規(guī)電容的失效問題
這里將安規(guī)電容的失效問題單獨(dú)拎出來,主要是安規(guī)電容跟常規(guī)電容有一些區(qū)別。簡單介紹下安規(guī)電容,安規(guī)電容主要包括 X 電容和 Y 電容:
X 電容又分為 X1、X2、X3,主要區(qū)別在于:
X1 電容耐壓值大于 2.5kV,小于等于 4kV;
X2 電容耐壓值小于等于 2.5kV;
X3 電容耐壓值小于等于 1.2kV;
Y 電容又分為 Y1、Y2、Y3、Y4 電容,主要區(qū)別在于:
Y1 電容耐壓值大于 8kV;
Y2 電容耐壓值大于 5kV;
Y3 電容對(duì)耐壓值沒有特別限制;
Y4 電容耐壓值大于 2.5kV;
X 電容主要用于交流電源線的 L 與 N 之間,使用 X 電容后,當(dāng)電容失效時(shí),電容處于開路狀態(tài),不至于產(chǎn)生線間短路。X 電容的測試條件是:在交流電壓有效值的 1.5 倍電壓下工作 100 小時(shí),至少再加上 1kV 的脈沖高壓測試。
Y 電容主要作用于交流電源線的 L、N 與地線之間,或其他電路的公共地與外殼之間??缬谶@些位置的電容一旦出現(xiàn)失效短路,就會(huì)導(dǎo)致電擊危險(xiǎn)(尤其是對(duì)外殼部分),這時(shí)必須強(qiáng)制使用 Y 電容(Y 電容的失效模式是開路)。Y 電容的測試條件是:在交流電壓有效值的 1.7 倍電壓下工作 100 小時(shí),至少再加上 2kV 脈沖高壓測試。
總結(jié)來說:常規(guī)電容失效一般為短路,安規(guī)電容失效一般表現(xiàn)為斷路,因此切記!在使用交流大電壓的場合不能用常規(guī)電容去代替安規(guī)電容使用,以防電容失效后對(duì)人造成電擊事故。
審核編輯黃昊宇
-
電容
+關(guān)注
關(guān)注
100文章
6489瀏覽量
159441
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
MOSFET 失效 Top 原因
常見的石英晶振失效原因有哪些?
LED燈整流器的失效原因和檢測方法
電解電容的失效模式有哪些?
LED失效原因分析與改進(jìn)建議
電解電容鼓包是什么原因造成的?
淺談常見芯片失效原因
電解電容失效因素解析與預(yù)防策略
LED芯片失效和封裝失效的原因分析
鋁電解電容失效原因解析:材料、工藝與環(huán)境的協(xié)同作用
淺談射頻同軸連接器的失效原因
如何找出國巨貼片電容引腳斷裂失效的原因?
貼片電容短路的原因探析
太誘電容的失效分析:裂紋與短路問題
整流橋失效深度剖析:MDD從過載燒毀到機(jī)械應(yīng)力的工業(yè)案
電容失效的原因剖析
評(píng)論