現(xiàn)代廚房技術(shù)現(xiàn)在涉及感應(yīng)烹飪，以提供更簡(jiǎn)單的方法和更快的食物準(zhǔn)備。由于不同制造商品牌在市場(chǎng)上競(jìng)爭(zhēng)，秘訣在于感應(yīng)加熱器可產(chǎn)生更多功率輸出，從而縮短烹飪時(shí)間。本文檔將簡(jiǎn)要介紹 Fairchild 的新型 650 V 場(chǎng)截止 IGBT 如何幫助將廚房烹飪提升到一個(gè)全新的水平。

電磁爐制造商正在努力增加最大功率并減少烹飪時(shí)間，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率以滿(mǎn)足嚴(yán)格的能源之星標(biāo)準(zhǔn)。

這些趨勢(shì)對(duì)選擇合適的 IGBT 提出了新的要求，這些 IGBT 是感應(yīng)加熱系統(tǒng)中的關(guān)鍵功率半導(dǎo)體?？紤]到灶具的使用壽命可能長(zhǎng)達(dá) 10-15 年，合適的 IGBT 可以提供低功率損耗、高效和高可靠性能力，從而在灶具的使用壽命內(nèi)發(fā)揮作用。

根據(jù)系統(tǒng)要求，F(xiàn)GH40T65SHDF 等 650V 場(chǎng)截止 (FS) 溝槽 IGBT 非常適合電磁爐和逆變技術(shù)微波爐的軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用。與之前的 600V 場(chǎng)截止平面 IGBT 技術(shù)相比，650V FS 溝槽 IGBT 技術(shù)具有更低的傳導(dǎo)損耗，因?yàn)?Vce(sat) 特性降低了 24%（圖 1）。擊穿電壓額外高出 50V，可提供更大的系統(tǒng)設(shè)計(jì)余量和可靠性?xún)?yōu)勢(shì)。

600V FS Planar vs. 650V Field Stop Trench IGBT Vce(sat)

最后，與上一代 600V 場(chǎng)截止平面 IGBT 相比，新型 650V FS 溝槽 IGBT 還具有更低的 Eoff 或尾部損耗（圖 2）。

Eoff 特性比較（輸入功率：3KW 條件） 圖3 是IH Cooktop 設(shè)置條件下的損耗匯總和比較；Fsw=25kHz，（輸出功率）Pout：2.5KW。新的 650V 場(chǎng)截止溝槽 IGBT 將總損耗降低了 17% 以上。

圖3顯示了IH Cooktop設(shè)置條件下?lián)p失的總結(jié)和比較；Fsw=25kHz，（輸出功率）Pout：2.5KW。

新的 650V 場(chǎng)截止溝槽 IGBT 將總損耗降低了 17% 以上。

新型 650V 場(chǎng)截止溝槽 IGBT 和 600V 場(chǎng)截止平面 IGBT 之間的損耗分析匯總比較

需要高能效、高度可靠的 IGBT 用于軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用（如電磁爐和逆變技術(shù)微波爐）的設(shè)計(jì)人員應(yīng)該考慮新的 650V 場(chǎng)截止溝槽 IGBT。新的場(chǎng)截止溝槽 IGBT 技術(shù)能夠優(yōu)化開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗之間的平衡。

編輯：hfy