顧名思義，低噪聲放大器（LNA）通過(guò)降低級(jí)聯(lián)噪聲系數(shù)來(lái)提高接收器靈敏度。Friis公式（公式2）用于計(jì)算級(jí)聯(lián)級(jí)的總噪聲系數(shù)，每個(gè)級(jí)都有自己的噪聲系數(shù)和增益。如方程式1所示，接收器鏈中第一放大級(jí)LNA的噪聲系數(shù)F1支配著噪聲性能，而后級(jí)F2，F(xiàn)3等的噪聲系數(shù)則不那么重要。

[tex] F_ {total} = F_ {1} + frac {F_ {2} -1} {G_ {1}} + frac {F_ {3} -1} {G_ {1} G_ {2}} +。。。[/ tex]

蜂窩基站（BTS）和微波中繼器已將位于天線(xiàn)塔中的LNA級(jí)分離，以減少因LNA之前的電纜損耗而導(dǎo)致的NF劣化。在典型的BTS體系結(jié)構(gòu)中，LNA階段之前是發(fā)送-接收（Tx-Rx）雙工器（用于雙工共用天線(xiàn)）和干擾濾波器（用于防止帶外阻塞或靈敏度降低）。但是，雙工器和濾波器的損耗都必須最小化，因?yàn)樗鼈儠?huì)在放大之前發(fā)生。具有額外噪聲性能余量的LNA將放寬雙工濾波器的損耗要求，并有可能降低總體系統(tǒng)成本。

器件和封裝技術(shù)

MGA-633P8是一種微波單片集成電路（MMIC），其建立在針對(duì)低噪聲進(jìn)行了優(yōu)化的新工藝上。Avago GaAs增強(qiáng)模式偽晶高電子遷移率晶體管（ePHEMT）工藝的特征尺寸為0.25 um。

MGA-633P8是具有有源偏置調(diào)節(jié)器的共源放大器?？梢酝ㄟ^(guò)改變將電源電壓Vdd連接至并聯(lián)穩(wěn)壓器的RBIAS或外部VBIAS控制電壓來(lái)調(diào)節(jié)靜態(tài)電流（Ids）。穩(wěn)壓器的驅(qū)動(dòng)偏置電流最大為1 mA，這使其與大多數(shù)CMOS控制電路兼容?？烧{(diào)偏置可實(shí)現(xiàn)更好的線(xiàn)性度，但具有更高的功率。

MMIC內(nèi)部結(jié)構(gòu)（頂部）和可調(diào)內(nèi)部偏置調(diào)節(jié)器的特性（底部）VBIAS，RBIAS與Vdd = 5 V的Idd的關(guān)系

應(yīng)用示范

為了評(píng)估RF性能，圍繞MGA-633P8設(shè)計(jì)了用于蜂窩基站的900 MHz LNA。外部組件C1-L1和C2-L2提供匹配和偏置功能。除了DC阻塞和RF扼流功能外，C1-L1還會(huì)在工作頻率以下降低不想要的增益。L1和L2均應(yīng)在其自諧振頻率（SRF）以下工作，以實(shí)現(xiàn)有效的節(jié)流。

單個(gè)發(fā)射諧振器在評(píng)估頻率（f）下的插入損耗A（f）由以下公式給出；

[tex] A（f）=-10logleft [frac {1 + left（2Q_ {l} frac {f-f_ {0}} {f_ {0}} right）^ {2}} {left [1-left（ frac {Q_ {l}} {Q_ {u}}右）右] ^ {2}}右] [/ tex]

編輯：hfy