91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

淺談VMMK-3313及15至33 GHz應(yīng)用中的晶圓級(jí)封裝檢測(cè)器使用

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:eeweb ? 作者: Avago Technologies ? 2021-04-11 11:23 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

本應(yīng)用筆記討論了VMMK-3313及其在15至33 GHz應(yīng)用中的晶圓級(jí)封裝檢測(cè)器的使用。VMMK-3313是一種寬帶定向耦合器,具有集成的溫度補(bǔ)償檢測(cè)器,設(shè)計(jì)用于在15至33 GHz的各個(gè)頻帶中工作,典型插入損耗為0.5 dB。檢測(cè)器提供與RF功率輸入成比例的DC輸出,從而提供測(cè)量放大器功率輸出的手段。

簡(jiǎn)介

VMMK-3313是一款寬帶定向耦合器,具有集成的溫度補(bǔ)償檢測(cè)器,專為15至33 GHz應(yīng)用而設(shè)計(jì)。檢測(cè)器提供與RF功率輸入成比例的DC輸出,從而提供一種測(cè)量放大器功率輸出的方法。

VMMK-3313是三端設(shè)備,“直通” 50Ω?jìng)鬏斁€直接連接在RF輸入和RF輸出端口之間。直流偏置被饋送到射頻輸入端口,整流后的直流在射頻輸出端口可用。

使用VMMK-3313

只有三個(gè)端子可用,直流偏置和檢測(cè)到的電壓在內(nèi)部分別直流耦合到輸入和輸出端子。VMMK-3313成功運(yùn)行的關(guān)鍵是使用連接到RF輸入端口和RF輸出端口的低損耗偏置去耦網(wǎng)絡(luò)。一個(gè)簡(jiǎn)單的電路如圖1所示。

pIYBAGByayaAdZXwAABohvLOYbI652.png

偏置VMMK-3313檢測(cè)器模塊

偏置去耦網(wǎng)絡(luò)與用來(lái)偏置分立晶體管的網(wǎng)絡(luò)非常相似。這兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)都提供了到設(shè)備的低損耗交流耦合RF路徑,以及在輸入上對(duì)設(shè)備進(jìn)行DC偏置的手段,以及在設(shè)備的輸出上提取檢測(cè)到的電壓的手段。15至33 GHz頻率范圍內(nèi)的偏置去耦網(wǎng)絡(luò)通常由四分之一波高阻抗線路和低阻抗四分之一波短截線組成。與VMMK-3313的工作頻率范圍相比,它們本質(zhì)上是窄帶。以R1和R2的形式串聯(lián)一些電阻可以提高帶寬。

檢測(cè)器的內(nèi)部負(fù)載電阻約為20kΩ。如果需要,可以將電阻器R3用作檢測(cè)器的外部負(fù)載電阻器。盡管C4提供了額外的去耦,但C4處的任何并聯(lián)電容都會(huì)減小檢測(cè)器的視頻帶寬,因此可能不是所希望的。檢測(cè)器本身的-3 dB視頻帶寬約為30 MHz。輸出端子上設(shè)備外部的任何其他旁路都會(huì)降低帶寬。更詳細(xì)的信息將在本應(yīng)用筆記的后面部分中介紹。

RF輸入端口的建議偏置電壓為1.5V。在該標(biāo)稱偏置下,偏置電流通常為0.16 mA。如果沒(méi)有RF輸入功率,則在檢測(cè)到的輸出端口上會(huì)出現(xiàn)60 mV的標(biāo)稱電壓偏移電壓。VMMK-3313的DC輸出與RF輸入的關(guān)系圖如圖2所示。

o4YBAGBya32AKV3nAAB2FCYKB20362.png

VMMK-3313的輸出DC電壓與RF輸入功率的關(guān)系

PCB圖案

偏置網(wǎng)絡(luò)的實(shí)現(xiàn)通常在微帶中完成。推薦的印刷電路板通孔圖案如圖3所示。這是非焊料掩膜定義的占位面積(NSMD)。與設(shè)備接壤的阻焊層的輪廓由綠色指示的區(qū)域顯示。建議的占用空間不需要在設(shè)備下方鍍?nèi)魏瓮?。建模和測(cè)試表明,如圖3所示,在器件的兩側(cè)(0.003英寸以內(nèi))并在器件的任一側(cè)放置通孔,當(dāng)將它們安裝在0.010英寸厚的RO4350印刷電路板材料上時(shí),可以為VMMK-3XXX系列器件提供良好的接地。

pIYBAGBya4uADUarAAEiSRT8--c677.png

VMMK器件的推薦PCB布局

演示性能要
在演示板上演示性能,需要將VMMK-3313安裝在帶有連接器的50Ω微帶線上。具有10密耳厚度的Rogers 4350印刷電路板材料用作低損耗基材,可用于進(jìn)出VMMK-3313。50Ω的線寬為0.020英寸。印刷電路板疊層是多層疊層,可在測(cè)試過(guò)程中提供剛性??偤穸葹?.060英寸。西南微波2.4毫米連接器(PN 1492-03A-5)用于平滑過(guò)渡到微帶線。演示板上已包括偏置去耦網(wǎng)絡(luò),以在輸入端口注入電壓,并作為一種在輸出端口測(cè)量檢測(cè)到的電壓的手段。

當(dāng)將低損耗元件嵌入電路板中時(shí),很難測(cè)量它在很寬的頻率范圍內(nèi)的損耗。四分之一波偏置去耦線和梯形斷路開路提供了一種提供偏置去耦的低損耗方法。但是,它們本質(zhì)上是窄帶。

為了演示VMMK-3313本身的損耗,需要將所有印刷電路板的損耗去嵌入,包括50Ω微帶線,偏置去耦線和連接器。如圖4所示,開發(fā)了一組演示板,以幫助測(cè)量VMMK-3313的損耗。

pIYBAGBya5WAbTJfAAElmK9vDlM500.png

VMMK-3313演示板

頂部的演示板包括VMMK-3313器件,偏置去耦網(wǎng)絡(luò)和連接器。中間板包括所有這些相同的組件,但VMMK-3313器件除外。這兩塊板之間的損耗之差應(yīng)該是VMMK-3313的損耗。第三塊板包含一條簡(jiǎn)單的50傳輸線和連接器,可用作測(cè)量介電損耗的參考。

編輯:hfy

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 檢測(cè)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    938

    瀏覽量

    49969
  • 連接器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    104

    文章

    16157

    瀏覽量

    147203
  • RF
    RF
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    3201

    瀏覽量

    171867
  • 測(cè)量放大器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    70

    瀏覽量

    9803
  • vmmk器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    3

    瀏覽量

    3247
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    扇入型級(jí)封裝技術(shù)介紹

    扇入技術(shù)屬于單芯片晶級(jí)或板級(jí)封裝形式,常被用于制備級(jí)
    的頭像 發(fā)表于 03-09 16:06 ?302次閱讀
    扇入型<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)介紹

    級(jí)封裝良率提升方案:DW185半導(dǎo)體級(jí)低黏度助焊劑

    級(jí)封裝的隱藏痛點(diǎn):助焊劑選擇決定焊接質(zhì)量在級(jí)
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:01 ?255次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>封裝</b>良率提升方案:DW185半導(dǎo)體級(jí)低黏度<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>助焊劑

    扇出型級(jí)封裝技術(shù)的概念和應(yīng)用

    扇出型級(jí)封裝(FOWLP)的概念最早由德國(guó)英飛凌提出,自2016 年以來(lái),業(yè)界一直致力于FOWLP 技術(shù)的發(fā)展。
    的頭像 發(fā)表于 01-04 14:40 ?1962次閱讀
    扇出型<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)的概念和應(yīng)用

    限幅器保護(hù)的隧道檢測(cè)器0.518 GHz

    限幅器保護(hù)的隧道檢測(cè)器是HEROTEK提供的一種結(jié)合限幅保護(hù)與高靈敏度檢測(cè)的射頻器件,通過(guò)內(nèi)置限幅器防止高功率信號(hào)損壞隧道二極管檢測(cè)器,同時(shí)覆蓋0.5-18 GHz頻段,適用于雷達(dá)、導(dǎo)
    發(fā)表于 11-07 09:04

    功率半導(dǎo)體級(jí)封裝的發(fā)展趨勢(shì)

    在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域,級(jí)芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方向演進(jìn)。
    的頭像 發(fā)表于 10-21 17:24 ?4230次閱讀
    功率半導(dǎo)體<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>封裝</b>的發(fā)展趨勢(shì)

    級(jí)MOSFET的直接漏極設(shè)計(jì)

    本文主要講述什么是級(jí)芯粒封裝的分立式功率器件。 分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元,涵蓋二極管、MOSFET、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 09-05 09:45 ?3384次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b>MOSFET的直接漏極設(shè)計(jì)

    錫膏在級(jí)封裝容易出現(xiàn)什么問(wèn)題?從工藝到設(shè)備全解析?

    錫膏在級(jí)封裝易遇印刷橋連 空洞、回流焊焊點(diǎn)失控、氧化、設(shè)備精度不足等問(wèn)題。解決問(wèn)題需平衡工藝參數(shù),同時(shí)設(shè)備也需要做精細(xì)調(diào)準(zhǔn)。
    的頭像 發(fā)表于 07-03 09:35 ?1102次閱讀
    錫膏在<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>中</b>容易出現(xiàn)什么問(wèn)題?從工藝到設(shè)備全解析?

    帶功率檢測(cè)器的 5 GHz 功率放大器 skyworksinc

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()帶功率檢測(cè)器的 5 GHz 功率放大器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有帶功率檢測(cè)器的 5 GHz 功率放大器的引腳圖、接線圖、
    發(fā)表于 06-30 18:35
    帶功率<b class='flag-5'>檢測(cè)器</b>的 5 <b class='flag-5'>GHz</b> 功率放大器 skyworksinc

    帶功率檢測(cè)器的 5 GHz 前端模塊 skyworksinc

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()帶功率檢測(cè)器的 5 GHz 前端模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有帶功率檢測(cè)器的 5 GHz 前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝
    發(fā)表于 06-19 18:35
    帶功率<b class='flag-5'>檢測(cè)器</b>的 5 <b class='flag-5'>GHz</b> 前端模塊 skyworksinc

    半導(dǎo)體檢測(cè)與直線電機(jī)的關(guān)系

    檢測(cè)是指在制造完成后,對(duì)進(jìn)行的一系列物理
    的頭像 發(fā)表于 06-06 17:15 ?893次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>檢測(cè)</b>與直線電機(jī)的關(guān)系

    什么是級(jí)扇出封裝技術(shù)

    級(jí)扇出封裝(FO-WLP)通過(guò)環(huán)氧樹脂模塑料(EMC)擴(kuò)展芯片有效面積,突破了扇入型封裝的I/O密度限制,但其技術(shù)復(fù)雜度呈指數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 06-05 16:25 ?2607次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b>扇出<b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)

    什么是級(jí)扇入封裝技術(shù)

    在微電子行業(yè)飛速發(fā)展的背景下,封裝技術(shù)已成為連接芯片創(chuàng)新與系統(tǒng)應(yīng)用的核心紐帶。其核心價(jià)值不僅體現(xiàn)于物理防護(hù)與電氣/光學(xué)互聯(lián)等基礎(chǔ)功能,更在于應(yīng)對(duì)多元化市場(chǎng)需求的適應(yīng)性突破,本文著力介紹級(jí)
    的頭像 發(fā)表于 06-03 18:22 ?1334次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b>扇入<b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)

    扇出型級(jí)封裝技術(shù)的工藝流程

    常規(guī)IC封裝需經(jīng)過(guò)將與IC封裝基板焊接,再將IC基板焊接普通PCB的復(fù)雜過(guò)程。與之不同,WLP基于IC
    的頭像 發(fā)表于 05-14 11:08 ?2828次閱讀
    扇出型<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)的工藝流程

    封裝工藝級(jí)封裝技術(shù)

    我們看下一個(gè)先進(jìn)封裝的關(guān)鍵概念——級(jí)封裝(Wafer Level Package,WLP)。
    的頭像 發(fā)表于 05-14 10:32 ?1925次閱讀
    <b class='flag-5'>封裝</b>工藝<b class='flag-5'>中</b>的<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)

    級(jí)封裝技術(shù)的概念和優(yōu)劣勢(shì)

    級(jí)封裝(WLP),也稱為級(jí)封裝,是一種直接在
    的頭像 發(fā)表于 05-08 15:09 ?2645次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)的概念和優(yōu)劣勢(shì)