2020年10月28日，由深圳市工信局、深圳市福田區(qū)人民政府指導，高科技行業(yè)門戶OFweek維科網(wǎng)主辦、OFweek維科網(wǎng)·電子工程承辦的“2020中國國際集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇”在深圳會展中心（福田）5樓牡丹廳隆重舉行。瑞薩電子（中國）有限公司技術支持經(jīng)理王乾最后登場為大家?guī)怼断冗M制程工藝助力智能環(huán)保型社會創(chuàng)建》主題報告。在演講報告中SOTB制程工藝多次被提及。

瑞薩電子（中國）有限公司技術支持專家 王乾

SOTB制程工藝

SOTB制程工藝是采用 SOI （Silicon on Insulator） 的新型晶體管技術。

王乾表示，作為瑞薩電子的獨家制程工藝，SOTB能夠?qū)⑼ǔｋy以兼顧的活動時功耗與休眠時功耗均降低到極限，同時還兼容在一枚芯片上的SOTB與Bulk混合結構。在晶片基板上的薄硅層下方形成了極薄的絕緣層（BOX:Buried Oxide）。通過避免讓雜質(zhì)混入硅層，可實現(xiàn)穩(wěn)定的低電壓運行，能效更佳，發(fā)揮更好的運算性能。同時，通過在待機時控制BOX層下方的硅基板電位（反偏壓控制），可減少泄漏電流，降低待機耗能。

由于SOTB的晶片采用薄BOX結構，容易除去BOX，可以在同一芯片上形成SOTB晶體管和Bulk CMOS晶體管。由此可以使用現(xiàn)有Bulk產(chǎn)品的IP、I/O端口、充電泵、各類模擬IP等。

RE家族特性

瑞薩RE產(chǎn)品家族采用瑞薩突破性的SOTBTM（Silicon on Thin Buried Oxide薄氧化埋層覆硅）制程工藝、基于Arm? Cortex?-M0+內(nèi)核構建，且針對用于傳感器控制的更緊湊的物聯(lián)網(wǎng)設備的產(chǎn)品設計進行了優(yōu)化，適用于智能家居、智能樓宇、環(huán)境感測、（建筑物/橋梁）結構監(jiān)測、跟蹤器和可穿戴設備等應用。

王乾特別介紹了RE01，RE01在操作和待機期間都具有極低的功耗。在1．62V時最高可運行64MHz，ULP-CP得分705已通過EEMBC認證。在只有少量電流的環(huán)境中，它可以實現(xiàn)較長的電池壽命和高速運行，并提供以前無法實現(xiàn)的值。

那它們是如何助力環(huán)保的呢？

王乾表示，RE家族通過支持3種省電功能降低功耗：電源模式、低功耗模式和電源控制模式。

1． 通過切斷不必要的電源來降低功耗。

2． 通過停止時鐘并運行所需的最少功能來降低功耗。

3． 功率控制模式控制內(nèi)部LDO，通過使用高效的外部DCDC可以顯著降低有功電流。

隨著可持續(xù)發(fā)展觀念的深入人心，環(huán)保也成為科技企業(yè)發(fā)展道路上不可忽略的重要一環(huán)。如何通過科技發(fā)展來保護環(huán)境，值得每個科技企業(yè)深入探索?？萍嫉膬r值在于讓一切變得可能，瑞薩電子身為一家具有領導性和值得信賴的智能晶片解決方案供應商，將會繼續(xù)努力為人類創(chuàng)造出更舒適美好的生活。

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