美光計劃在 2021 年提出建設 A5 廠項目的申請，持續(xù)加碼投資 DRAM，將用于 1Znm 制程之后的微縮技術發(fā)展。

據悉，目前美光在臺灣地區(qū)布局，包括中科的前段晶圓制造 A1、A2 廠和后段封裝廠，在桃園有 A、B 兩廠，其中 1Znm 產線主要位于臺中廠，而桃園廠則以 1ynm 量產技術為主。此外，美光正在新建 A3 工廠潔凈室，預估將在 2021 年投入量產 1Znm 或 1α技術，進一步擴大先進技術的量產規(guī)模。

圖源：美光

美光 2021 年 A5 廠建設計劃主要彰顯了美光對 DRAM 未來發(fā)展的樂觀看法，也提高了美光在臺灣地區(qū) DRAM 生產基地的重要戰(zhàn)略地位。不過，目前美光沒有透露 A5 投產計劃的細節(jié)，對于新廠地址也不予評論。

美光投資建廠不斷，對短期 DRAM 市場影響有限，新產能將在 2021 年放量

據中國閃存市場 ChinaFlashMarket 數據，2020 年第二季度 DRAM 整體銷售額 170.6 億美元，環(huán)比增長 15%，同比增長 16%，三星、SK 海力士、美光三大原廠占據 95%以上的市場份額，一直處于全球壟斷地位，而美光市場份額占比 21.2%，排名第三，原廠 DRAM 擴產動作對市場影響深遠。

圖源：中國閃存市場 ChinaFlashMarket

2020 年由于受“疫情”影響，導致全球經濟不景氣，尤其是到下半年，據中國閃存市場 ChinaFlashMarket 報價，在近 2 個月的時間里，服務器 DRAM 出現了小幅度的價格下滑，消費類內存條價格跌幅也超過 10%，部分產品價格跌幅甚至已超過了 20%，包括原廠、品牌廠等存儲產業(yè)鏈企業(yè)出貨和獲利均面臨壓力。

9 月份是傳統的“備貨時期”，再加上華為備貨、物流緊張等影響，行業(yè)市場訂單略有好轉，渠道市場詢單也有所增加，市場價格初現回溫跡象。然而，A5 工廠是繼 A3 新工廠之后，美光又一新廠建設項目，意在持續(xù)加碼在 DRAM 領域的投資。面對美光投資擴產消息，業(yè)內人士不免會擔憂，恐會抑制當前市場需求回暖。

不過，根據投資建廠的進度，美光正在新建 A3 工廠潔凈室，預估將在 2021 年 Q1 投入量產 1Znm 或 1α技術，而 A5 工廠規(guī)劃的是在 2021 年開始建設，預估投產的時間節(jié)點將在 2022 年，也就是說美光投資導致的 DRAM 產出明顯增加將從 2021 年開始，所以短期對 DRAM 市場的影響是有限的。

EUV 工藝已拉響戰(zhàn)局，美光新建 A5 工廠或為導入 EUV 工藝準備

2020 年三大原廠三星、美光、SK 海力士等 DRAM 技術主要是從 1Ynm 全面向 1Znm 推進，這也是 DRAM 第三代 10nm 級技術。但是 DRAM 到第四代 10nm 級之后，原廠將會大規(guī)模的導入 EUV 工藝。

在 EUV 工藝方面，三星從 1Znm 制程就在導入 EUV 工藝，可謂搶占了先機。今年 3 月，三星率先宣布已經成功出貨 100 萬個業(yè)界首款基于極紫外光（EUV）技術的 10nm 級（D1x）DDR4 模塊。8 月三星再次宣布位于韓國平澤市的第二條生產線（P2 工廠）已開始導入極紫外（EUV）技術批量生產 16Gb LPDDR5。新 16Gb LPDDR5 采用的是三星第三代 10nm 級（1znm）工藝為基礎，擁有更高容量和更高性能，能夠滿足下一代智能手機中 5G 和 AI 功能的應用。

為了加快下一代技術的發(fā)展，SK 海力士內部也已經成立了研究小組，專門針對 DRAM 技術的 EUV 光刻展開相關研究，并著手研發(fā) 1anm DRAM 技術，內部的代號為“南極星”，工藝節(jié)點將在 15nm 左右，預計將會在該制程中引入 EUV 光刻技術。

此外，SK 海力士也在建設利川“ M16”工廠，目前該工廠還在建設中，安裝設備后計劃于 2021 年 1 月投產，初期 12 英寸晶圓產出 1.5 萬 -2 萬片 / 月，或用于擴大新一代 DDR5 產量，以及導入 EUV 工藝，量產 1anm DRAM。

至于美光，DRAM 1Ynm 和 1Znm 技術節(jié)點產量已超過 50%，根據規(guī)劃，1Znm DRAM 技術之后將向 1α、1β、1γ發(fā)展。在 2 年前，美光曾表示在 1α及 1β工藝之前不會用到 EUV。但是，隨著三星導入 EUV 工藝，以及 DRAM 價格在近 2 年時間里持續(xù)下滑，使得美光重新評估 EUV 工藝的導入時間節(jié)點，而將在 2021 年規(guī)劃開建的 A5 或是未雨綢繆，以便帶來更優(yōu)的 DRAM 成本效益。

就在幾年前，美光在加工技術方面遠遠落后于競爭對手。今天，該公司仍然落后于三星，但似乎已經能夠超越 SK 海力士?；谄湫碌穆肪€圖，該公司仍然積極推出基于 DUV 的節(jié)點，因此它將向感興趣的各方提供具有競爭力的 DDR 和 LPDDR 設備。此外，DDR5 的開發(fā)似乎在技術和制造過程方面都在走上正軌。

美光還在擴大其 DRAM 生產能力（下一代工藝和下一代存儲器所需），因此假設其產品足夠好，它將能夠保持其市場份額。了解美光之后，我們知道美光更感興趣的是利潤豐厚的專業(yè) / 顛覆性解決方案，而不是 DRAM 產品本身。

看起來有點令人不安的是，美光似乎對 EUV 光刻過于謹慎。根據最近的評論，該公司只是在評估技術，但（據我們所知）沒有投資為 EUV 準備的潔凈室。極紫外光刻并不是一個短期或中期的問題，但是看到美光如此害羞地談論它有點奇怪。

總體而言，美光對 DRAM 市場的前景以及未來的競爭地位持樂觀態(tài)度，預計各種新興應用（自動駕駛汽車，AI / ML，物聯網等）將被廣泛采用。
編輯：hfy