武漢發(fā)布重大項目計劃表,涵蓋多個集成電路產(chǎn)業(yè)項目
10月底，湖北武漢發(fā)改委發(fā)布2020年市級重大項目計劃表，包括162個重大在建項目計劃、90個重大新開工項目計劃、以及49個重大前期項目計劃，涵蓋多個集成電路產(chǎn)業(yè)項目。
其中，重大在建項目計劃中包括：總投資815億元的國家存儲器基地 （一期）項目和總投資135.7億元的武漢新芯12英寸集成電路生產(chǎn)線項目二期工程項目等。
國家存儲器基地（一期）項目，落地于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城，一期項目計劃總投資815億元，2020年計劃投資50億元，在2016年12月30日正式開工建設(shè)，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash 生產(chǎn)廠房，預(yù)計2020年完成整個項目，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片／月，年產(chǎn)值將超過100億美元。
武漢新芯12英寸集成電路生產(chǎn)線項目二期工程，武漢新芯集成電路制造有限公司于2018年8月28日啟動二期集成電路生產(chǎn)線擴產(chǎn)項目，預(yù)計總投資135.7億元，2020年計劃投資3億元。該項目將建設(shè)自主代碼型閃存、微控制器和三維特種工藝三大業(yè)務(wù)平臺，進軍物聯(lián)網(wǎng)市場。
責(zé)任編輯:tzh
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