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NOR Flash主要廠商及產(chǎn)品

21克888 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:Norris ? 2020-11-08 09:26 ? 次閱讀
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一、2020第一季NOR Flash廠商市占排名

據(jù)集邦咨詢2020第一季NOR Flash廠商市占數(shù)據(jù),NOR Flash營收市占第一是旺宏,其制程在業(yè)界相對領(lǐng)先,目前采用55nm制程生產(chǎn),月產(chǎn)能約在20K左右。由于該公司NOR Flash產(chǎn)品線完整,從低容量至高容量齊備,尤其看中未來5G基站的商機,512Mb的NOR Flash將是旺宏生產(chǎn)的主要產(chǎn)品之一,為產(chǎn)業(yè)當中少數(shù)提供大容量的解決方案。

排名第二的華邦電緊追在后,目前是使用58/90nm制程,每月產(chǎn)能約在18K。

排名第三則是中國的兆易創(chuàng)新,近幾年無論在產(chǎn)品質(zhì)量與產(chǎn)出量方面都有明顯躍進,甚至拿下Apple的AirPods訂單,其研發(fā)實力已被肯定,月產(chǎn)能約9K,分別在中芯國際(SIMC)與華力微投片生產(chǎn)。值得注意的是,兆易創(chuàng)新與合肥長鑫存儲還有緊密的合作關(guān)系,意味著兆易創(chuàng)新集團同時握有中國NOR Flash與DRAM的自主研發(fā)能力,扮演中國半導體發(fā)展的重要角色。


二、NOR 市場增量來源

帶動NOR Flash市場增量的原因主要有以下三點,首先,TWS近幾年出貨量上升,2020E年TWS耳機出貨量接近250百萬副。



其次全球智能手機面板與OLED也是帶動增量 的重要原因, 2020E年智能手機出貨量達到1788百萬臺,此外,AMOLED出貨量達到715.2百萬顆,帶動NOR 市場增量443.42百萬元。



AI-IoT的高速發(fā)展也為NOR市場增量助力 ,帶動增量2600.78百萬元。最后,5G的普及率提高,成為NOR市場增量的主要推手,其貢獻市場增量達6011.84百萬元。


三、NOR主要廠商及產(chǎn)品

電子發(fā)燒友梳理了NOR Flash主要廠商及其產(chǎn)品,其中旺宏、華邦、武漢新芯等廠商在NOR Flash領(lǐng)域占有重要地位,英飛凌收購Cypress后,其Serial NOR Flash產(chǎn)品運用于汽車導航與娛樂系統(tǒng)。此外,國內(nèi)的兆易創(chuàng)新NOR Flash營收排在第三位,具有研發(fā)、生產(chǎn)、銷量NOR相關(guān)產(chǎn)品能力,具體詳情見下表。




旺宏

旺宏電子從512KB到256Mb的密度在一個8-pin SOP(采用150mil,200mil)或16引腳SOP封裝(300 mil)的串行閃存產(chǎn)品。 這些設(shè)備,在X1組織提供,支持讀取,擦除和編程操作。 這些產(chǎn)品采用串行外設(shè)接口(SPI)協(xié)議。 旺宏串行閃存不僅有利于系統(tǒng)的硬件配置,但也降低了系統(tǒng)設(shè)計的復雜性。 我們的操作過電壓范圍為2.7V至3.6V 3V產(chǎn)品。 現(xiàn)在可從512KB到256Mb的所有產(chǎn)品。

此外,旺宏電子與雙I / O和四I / O操作,它的兩倍和四倍讀取性能到300Mbits/second的高端消費類應用,還提供了高性能的串行閃存產(chǎn)品。 在時鐘的上升沿和下降沿觸發(fā),DTR(雙傳輸速率)模式,進一步提高讀取速度400Mbits/second。 多個I / O產(chǎn)品提供容量為8MB及以上。 旺宏電子也提供了一系列低電壓,1.8V和2.5V的雙I / O和四I / O接口的串行閃存產(chǎn)品。



旺宏電子為3V,1.8V和5V的行業(yè)標準并行快閃記憶體產(chǎn)品提供了一個廣泛的產(chǎn)品線,從2Mb到1Gb密度。 這些產(chǎn)品具有引導和統(tǒng)一的部門架構(gòu)在x8,x16,和x8/x16可選配置。 旺宏快閃記憶體,為客戶提供符合成本效益,高性能和可靠的產(chǎn)品,提供低功耗,高耐用性和可靠性。

旺宏電子3V并行閃存產(chǎn)品都可以在兩個的版本:MX29LV系列(標準的讀訪問)和MX29GL MX68GL系列(頁面模式訪問)。 旺宏電子還提供了1.8V以下并行閃存產(chǎn)品:MX29SL(標準訪問),MX29NS(突發(fā)模式下,AD-MUX),和MX29VS(突發(fā)模式,同步讀寫,AD-MUX)。

提供8位、16位、8位/16位可選的數(shù)據(jù)傳輸方式。電源電壓有5V,3V和1.8V。MX29GL系列產(chǎn)品提供先進的頁模式接口,在讀訪問和編程操作上都進行了優(yōu)化,用戶可以使用頁模式連續(xù)讀取多個數(shù)據(jù)。


華邦

1.2V Serial NOR Flash

華邦推出支援最新業(yè)界標準低電壓1.2V,且能支援dual、quad SPI 和Quad Peripheral Interface (QPI) 的NOR Flash是前所未見的。W25QxxND 1.2V系列產(chǎn)品跟既有3V和1.8V的閃存產(chǎn)品具有相當?shù)牟僮餍?,且能進一步的節(jié)省功耗。對于由電池供電且設(shè)計空間有限的裝置,像是行動裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置,和對于需要省電且低功耗的閃存,W25QxxND 1.2V系列產(chǎn)品提供2mm x 3mm USON8、narrow 150mil SOP8、6x5mm WSON 8-pin封裝和KGD (Known Good Die)。 1.2V系列產(chǎn)品可延伸操作到1.5V,利用單顆干電池即可運作,不像一般需將兩個電池串聯(lián)到3V才可操作的設(shè)計。



2、W25X 與W25Q

臺灣華邦的W25X 與W25Q SpiFlash?Multi-I/O記憶體支援通用的SPI介面,容量從512Kb 到 512Mb,具有小容量分割的可擦除區(qū)塊與業(yè)界操作效能。 W25X系列支援Dual-SPI雙線輸出入模式,相當于將原本標準SPI的操作頻率變?yōu)閮杀丁?br />


W25X系列支援Dual-SPI雙線輸出入模式,相當于將原本標準SPI的操作頻率變?yōu)閮杀丁?W25Q系列是25X系列的進階版,可支援Quad-I/O SPI四線輸出入模式提供更高的效能,操作頻率104MHz同等于416MHz(50M-Byte/S傳輸率),相當于是一般單線SPI操作的4倍效能。 W25Q系列不但效能超過Parallel flash,還提供更少腳位的封裝。

更快的傳輸率代表控制器可以直接透過SPI介面與閃存做晶片內(nèi)執(zhí)行(XIP, eXecute In Place),或是加快復制代碼到RAM使開機速度加快。除此之外,部份SpiFlash?支援QPI (Quad Peripheral Interface)讓指令集可更快的傳輸,加快XIP的傳輸效率。另外更小的封裝, 更利于對設(shè)計空間有限的手持和行動裝置應用。

武漢新芯


武漢新芯推出50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該產(chǎn)品系列支持低功耗寬電壓工作范圍,適用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應用產(chǎn)品設(shè)計方案。

XM25QWxxC系列產(chǎn)品的讀速在1.65V至3.6V電壓范圍內(nèi)可達108MHz(在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持),提供比其他供應商更快更強的性能,在電源電壓下降后,時鐘速度沒有任何減慢。其傳輸速率優(yōu)勝于8位和16位并行閃存。在連續(xù)讀取模式下可以實現(xiàn)高效的存儲器訪問,僅需8個時鐘的指令周期即可讀取24位地址,從而實現(xiàn)真正的XIP(execute in place)操作。

XM25QWxxC系列flash芯片支持SOP8和USON8封裝,適用于便攜式產(chǎn)品設(shè)計。


XM25QH256B


單一電壓供應,電壓:2.7V至3.6V,用于快速讀取操作最高為133 MHz,靈活的存儲體系結(jié)構(gòu),扇區(qū)大?。?K字節(jié)




兆易創(chuàng)新

兆易創(chuàng)新提供超低功耗閃存系列,具有零深度待機電流



兆易創(chuàng)新提供 GD25WD 系列,具有零深度待機電流和低有源讀取電流,適用于低功耗應用。GD25WD 系列亮點包括零待機電流和 1.65 V 至 3.6 V 的寬電壓范圍。128 位唯一 ID 功能還為低功耗應用提供增強的安全性。電壓為1.65 V 至 3.6 V,密度為512 Kb ~ 8 Mb,
采用單/雙 SPI接口,雙 SPI 數(shù)據(jù)傳輸速率高達每秒 160 Mb,還有靈活的內(nèi)存架構(gòu)(扇區(qū)大?。?K 字節(jié),塊大?。?2/64K 字節(jié)),高可靠性,20 年數(shù)據(jù)保留和 100,000 次編程/擦除周期。



Micron

Micron Technology串行 NOR 解決方案專為滿足消費電子、工業(yè)、有線通信和計算應用需求而設(shè)計。 Micron 的行業(yè)標準封裝、引腳分配、指令集和芯片組兼容性易于為設(shè)計采用,節(jié)省了寶貴的開發(fā)時間,同時確保與現(xiàn)有和未來設(shè)計的兼容性。

多 I/O(單、雙和四通道)串行 NOR 線路具有吸引人的讀取性能(高達 54 MB/s)、靈活的存儲器分區(qū)(均勻 64 KB 和 4 KB)、小型封裝尺寸以及寬封裝支持。 N25Q 基于 65 nm 技術(shù),采用 1.8 V 和 3 V 電源供電 ,也提供汽車級版本。 N25Q 可兼容 M25P 和 M25PX 系列。

Cypress


對于專注于保護信息和維護系統(tǒng)完整性的客戶來說,擁有安全的連接系統(tǒng)是頭等大事。隨著系統(tǒng)越來越依賴外部NOR Flash來保護連接系統(tǒng)中的代碼和數(shù)據(jù),對內(nèi)存中添加高級密碼安全性的需求也越來越大。英飛凌表示,它的Semper Secure NOR Flash架構(gòu)為其功能安全的Semper產(chǎn)品添加了一個安全子系統(tǒng),以實現(xiàn)端到端的持久保護,并有效地保護系統(tǒng)不受損害。



Semper Secure NOR Flash系列包括AEC-Q100汽車認證設(shè)備,擴展溫度范圍為-40°C至+125°C,支持1.8-V和3.0-V工作范圍,并提供128 Mb、256 Mb和512 Mb的密度。Semper Secure NOR Flash的設(shè)計完全符合ISO 26262標準,并符合ASIL-B標準,可用于ASIL-D之前的系統(tǒng)中。實施的EnduraFlex架構(gòu)通過優(yōu)化高耐久性或長數(shù)據(jù)保留分區(qū)簡化了系統(tǒng)設(shè)計。設(shè)備提供四串行外圍接口(SPI)、八進制SPI和hybibus接口。八進制和超總線接口設(shè)備符合用于高速x8串行NOR閃存的JEDEC擴展SPI(xSPI)標準,并提供高達400mbps的讀取帶寬。


恒爍
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恒爍半導體可提供具有通用SPI接口的Flash存儲器,主要產(chǎn)品為1.8V工作電壓的ZB25LD/ZB25LQ系列,3.0V工作電壓的ZB25VQ/ZB25D系列,以及1.8/3.3V寬工作電壓的ZB25WD/ZB25WQ系列??晒┻x擇的容量大小為1Mbit到256Mbit。

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配合最高133MHz的工作頻率,和標準、雙口和四口的工作模式,恒爍半導體的SPI NOR Flash產(chǎn)品可支持高達到(Dual)266MHz和(Quad)532MHz的數(shù)據(jù)交換速度。

??
恒爍半導體SPI NOR Flash產(chǎn)品的靜態(tài)電流最低至1uA,數(shù)據(jù)保持時間20年,擦寫次數(shù)可達10萬次,工作溫度范圍-40℃~105℃。產(chǎn)品具有可靠性高,功耗低,和先進的安全特性,應用范圍涵蓋了DVD/CD drives,STB,DPF,Desktop和Notebook PC,DVD Recorders,WLAN,DSL,LCD Monitors,F(xiàn)lat Panel TV,Printers,GPS,MP3等等。


復旦微電子

復旦微電子擁有豐富的NOR Flash設(shè)計經(jīng)驗,現(xiàn)可提供通用SPI接口Flash存儲器:2.3V~3.6V工作電壓范圍的FM25F/FM25Q系列及1.65V~3.6V款工作電壓范圍的FM25W系列。產(chǎn)品具有高可靠性及高安全性,應用范圍涵蓋了手機,網(wǎng)通、安防,PC,物聯(lián)網(wǎng),顯示面板,辦公設(shè)備及工控產(chǎn)品等。

產(chǎn)品特性:
●容量: 0.5Mbit到256Mbiit
●多種接口模式:SPI,Dual SPI,Quad SPI,QPI
●工作電壓:1.65V-3.6V(FM25WXX),2.3V-3.6V(FM25FXX/FM25QXX)
●可靠性:數(shù)據(jù)保持時間20年,擦寫壽命10萬次
●小型化封裝:SOP8(208mil),SOP8(150mil),DFN8,WLCSP
●安全特性:硬件寫保護,32Byte安全扇區(qū),128bit UID

中天弘宇

中天弘宇集成電路有限責任公司擁有豐富的NOR Flash設(shè)計經(jīng)驗,現(xiàn)可提供通用SPI接口Flash存儲器,工作電壓在1.08V~3.6V的范圍。產(chǎn)品具有高可靠性及高安全性。

產(chǎn)品特性:1)很小的單個bit顆粒,面積可達4F2 2)規(guī)劃產(chǎn)品容量256Mbit到4Gbit 3)接口模式:SPI,Dual SPI,Quad SPI , DDR 4)工作電壓:1.08V-3.6V 5)可靠性:數(shù)據(jù)保持時間20年,擦寫壽命10萬次 6)小型化封裝:SOIC,VSOP , WSON, USON, PDIP

東芯

東芯串行NOR FLASH系列產(chǎn)品可提供具有通用SPI接口不同規(guī)格的NOR Flash,容量從2Mb到256Mb,3.3V/1.8V兩種電壓,支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四種指令模式以及多種封裝方式,可適應多種應用場景。專注在中小容量,性價比高,廣泛應用于對存儲空間需求不高的設(shè)備中。


芯天下

芯天下技術(shù)提供業(yè)界標準的25 系列串口NOR Flash產(chǎn)品,小型化封裝、多容量選擇,兼容的指令集,寬電壓和高可靠性全面覆蓋消費,通訊、工業(yè)和個人電腦等應用領(lǐng)域。

1.超低功耗,深度睡眠電流典型值低至 60nA;
2.BP位保護、OTP保護、獨立block區(qū)域保護確保代碼安全;
3.高可靠性,確保10萬次擦寫,數(shù)據(jù)保存時間長達20年;
4.支持 1.65~2.1V, 2.7~3.6V, 1.65~3.6V 寬電壓,容量1Mb~1Gbit;
5.DFN 1.2x1.2x0.40mm,2x3x0.40mm,4x3x0.55mm 等小尺寸封裝;
6.提供 KGD 產(chǎn)品與服務支持SiP合封需求。



時代芯存

產(chǎn)品概況和性能參數(shù)介紹:采用先進的40納米CMOS工藝制程,芯片尺寸13.74mm2,存儲數(shù)據(jù)前無需進行擦除動作工作電壓+1.8V—+3.6V,SPI接口,最大工作頻率133MHz。

產(chǎn)品可靠性參數(shù)介紹:產(chǎn)品耐擦寫次數(shù)大于10^5次,強大的抗輻射性能,25℃數(shù)據(jù)保存時間20年,工作溫度-40℃—+85℃,2kV ESD防靜電保護能力。



揚賀揚微電子科技

NOR Flash系列的2M(HY25D02IEIAAG)和4M的HY25D04IEIAAG采用的都是USON 2x3mm工藝,8M、16M、32M、64M、128M系列都采用的是SO-8 208mil。


工作電壓范圍是2.7至3.6V,工作溫度-40℃—+85℃。

芯澤電子科技

芯澤電子科技可提供具有通用SPI接口的Flash存儲器,主要產(chǎn)品為ZD25Q和ZD25LQ系列,工作電壓為1.8V和3.3V,可供選擇的容量大小分別為2Mbit到128Mbit,最高支持105MHz的工作頻率,可在雙口和四口模式下工作,芯澤電子SPI NOR Flash產(chǎn)品的靜態(tài)電流最低至1uA,數(shù)據(jù)保持時間20年,擦寫次數(shù)可達10萬次,工作溫度范圍-40℃~+85℃。產(chǎn)品具有可靠性高,功耗低,和先進的安全特性,應用范圍涵蓋了DVD/CD drives,STB,DPF,Desktop和Notebook PC,DVD Recorders,WLAN ,DSL,LCD Monitors,F(xiàn)lat Panel TV,Printers,GPS,MP3 等等。

豆萁科技

豆萁科技SPI NORFLASH系列產(chǎn)品遵循國際JEDEC標準中關(guān)于接口及控制模式的規(guī)定,按照JEDEC相關(guān)標準進行嚴格測試。公司采用先進設(shè)計技術(shù),優(yōu)化存儲單元的讀寫操作,實現(xiàn)低功耗和高性能:運行速度快,支持多種擦寫模式,擦寫次數(shù)高達10萬次,數(shù)據(jù)可保存20年以上。通過與上下游密切合作,提供SOP,VSOP,TSSOP,DIP,WSON,BGA,USON等多種封裝形式以滿足在消費類、工業(yè)級和醫(yī)療電子等多種應用領(lǐng)域需求。


博雅科技


目前,正在研發(fā)的3.0V及1.8V,512 Kbit~256 Mbit高端通用芯片系列產(chǎn)品屬國家重點鼓勵發(fā)展的核心芯片,代表性產(chǎn)品SPI串行閃存已經(jīng)完成研發(fā)設(shè)計,性能參數(shù)指標已全面通過客戶的驗證,進入大規(guī)模量產(chǎn)階段。博雅BY25Q128AL工作溫度范圍為-40至+85℃,采用VSOP8 208mil封裝,容量為128M。


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    華邦電子(Winbond)的NOR Flash以其卓越性能成為學習平板理想的存儲解決方案。其芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP)特性可實現(xiàn)系統(tǒng)秒級快速啟動,高可靠性確保固件和核心代碼安全,低功耗特性則有效延長設(shè)備續(xù)航,為流暢穩(wěn)定的學習體驗奠定堅實基礎(chǔ)。
    的頭像 發(fā)表于 11-10 09:48 ?523次閱讀
    華邦高性能<b class='flag-5'>NOR</b> <b class='flag-5'>Flash</b>用于學習平板

    博雅NOR FLASH XIP技術(shù)實現(xiàn)電力儀表毫秒級快速啟動?

    博雅128Mbit NOR Flash BY25Q128ESSIG為智能電力儀表提供高可靠存儲方案,133MHz讀取速度與-40℃~105℃寬溫保障數(shù)據(jù)實時性與穩(wěn)定性。
    的頭像 發(fā)表于 09-08 09:55 ?992次閱讀
    博雅<b class='flag-5'>NOR</b> <b class='flag-5'>FLASH</b> XIP技術(shù)實現(xiàn)電力儀表毫秒級快速啟動?

    SPI NOR FLASH是什么,與SPI NAND Flash的區(qū)別

    SPI NOR FLASH是什么? ? SPI NOR FLASH是一種非易失性存儲器,它通過串行接口進行數(shù)據(jù)傳輸,具有讀寫速度快、可靠性高、體積小等優(yōu)點。它采用類似SRAM的存儲方式
    的頭像 發(fā)表于 08-21 09:26 ?1596次閱讀

    華邦電子W25Q-RV系列NOR Flash的四大本領(lǐng)

    在汽車、物聯(lián)網(wǎng)和工業(yè)自動化等應用場景中,存儲器是否能夠穩(wěn)定運行直接影響產(chǎn)品的可靠性。華邦推出的 W25Q-RV 系列 NOR Flash,成功通過 105°C 的工業(yè)級高溫循環(huán)測試和儲能測試,以超越 JEDEC 標準的性能,在嚴
    的頭像 發(fā)表于 08-16 17:14 ?1735次閱讀

    存儲技術(shù)探秘 NAND Flash vs NOR Flash:藏在芯片里的&quot;門道之爭&quot;

    門電路玄機 NOR Flash:Intel 1988 年革命性突破,終結(jié) EPROM/EEPROM 壟斷時代 NAND Flash:東芝 1989 年發(fā)布,開創(chuàng) "低成本比特" 存儲新紀元 共性特征
    的頭像 發(fā)表于 03-18 12:06 ?1487次閱讀