1.問題：

WSON package是什么類型封裝？

回復(fù)：

SON和DFN的封裝本身沒有區(qū)別...區(qū)別的是腳趾是否外露本體。

2.問題：

一顆IC decap后看到有個(gè)地方有這樣像燒毀的現(xiàn)象，這大概會(huì)是什么因素造成的呢，靜電，還是其他的呢？Pin IV如下面這樣：藍(lán)色是正常的，綠色和紅色是內(nèi)部有燒現(xiàn)象的不良IC的。

回復(fù)：

要考慮這個(gè)區(qū)域是什么block（功能區(qū)），通常是過電壓現(xiàn)象。

從圖片看，是EOS，因?yàn)橹挥蠩OS才能看到burn mark痕跡，因?yàn)镋OS是長時(shí)間通電，如果是ESD的話，是瞬時(shí)的，不可能有burn mark的。

靜電不會(huì)這么恐怖，應(yīng)該是EOS。

Curve沒有線性段，看著不像短路問題，只是漏電變大了。

Curve的形狀與failure mode息息相關(guān)。

如果Curve出現(xiàn)了線性區(qū)域，那肯定是電流回路里面出現(xiàn)了電阻和diode并聯(lián)的情況，缺陷是電阻，電路是Diode或者M(jìn)OS管。

如果是非線性的漏電流增大，肯定是diode本身發(fā)生了問題，但還沒有發(fā)生Gate diode擊穿。

導(dǎo)電通路形成之前還有SILC和軟擊穿階段

擊穿還會(huì)有鼓包，DBIE。有正電壓擊穿和負(fù)電壓擊穿，電流流動(dòng)的方向不一樣，缺陷狀態(tài)也不一樣。這也是為什么有些ESD Defect在芯片表面，有些在Si上面的原因。

3.問題：

Wafer的pad是金pad，在金pad上鍍上Sn+Ag, 通過錫膏倒扣在基板上。針對這種貼片方式，在封裝上會(huì)有哪些可靠性風(fēng)險(xiǎn)？

回復(fù)：

這種封裝通過錫膏，可能會(huì)存在基板變型，出現(xiàn)虛焊，連錫等問題，這個(gè)對基板錫膏材料要求很高，最好在wafer上先長柱形突點(diǎn)，按CSP封裝來做。貼裝過程出現(xiàn)的隱裂也是需要考慮的方面。

4.問題：

單管雪崩擊穿測試儀知道有什么進(jìn)口品牌嗎？

回復(fù)：

ITC55100.

品牌官網(wǎng): http://www.inttechcorp.com/ 大部分跟IGBT有關(guān)。

5.問題：

單獨(dú)的芯片可以做EMC測試嗎？

回復(fù)：

沒見過這樣做的，都是在整機(jī)做EMC的，否則結(jié)果不能夠repeat，或者采用系統(tǒng)板。

責(zé)任編輯：xj

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