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MCU、NOR Flash漲價(jià)并持續(xù)供不應(yīng)求;電機(jī)汽車類應(yīng)用潛力大,頭部企業(yè)加速布局

21克888 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:電子發(fā)燒友原創(chuàng) ? 2020-11-22 09:15 ? 次閱讀
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MCU、NOR Flash漲價(jià)并持續(xù)供不應(yīng)求

日前,針對(duì)晶圓代工產(chǎn)能緊張是否會(huì)導(dǎo)致MCU缺貨或交付延遲,兆易創(chuàng)新董秘李紅表示,存量產(chǎn)能都在有序生產(chǎn),但是因?yàn)樾枨蠖送?,晶圓廠產(chǎn)能緊缺,要擴(kuò)產(chǎn)的話就會(huì)受到一些影響,新增的部分還沒有常規(guī)運(yùn)轉(zhuǎn)起來。

兆易創(chuàng)新表示,MCU缺貨是不同的產(chǎn)品類別的缺貨,調(diào)價(jià)也并不是所有的產(chǎn)品價(jià)格都調(diào),現(xiàn)在看整個(gè)行業(yè)是處于供不應(yīng)求的狀況,一般情況下供需失衡的時(shí)候都會(huì)有調(diào)價(jià)。

Kitty點(diǎn)評(píng):筆者早前獲悉國(guó)內(nèi)芯片公司航順的MCU產(chǎn)品調(diào)整代理商體系價(jià)格,NOR Flash、EEPROM、LCD驅(qū)動(dòng)已經(jīng)發(fā)布漲價(jià)通知,全面上漲10%-20%。原因是投片廠、封裝廠產(chǎn)能緊張,原材料價(jià)格上漲,客戶訂單大幅度增加所致。

為了維護(hù)與客戶的穩(wěn)定關(guān)系以及出于市場(chǎng)份額的考慮,國(guó)內(nèi)MCU廠商紛紛表示不會(huì)率先漲價(jià),成本主要在內(nèi)部消化。但是隨著產(chǎn)能緊張的持續(xù),部分產(chǎn)品價(jià)格上漲,行業(yè)將出現(xiàn)普遍地不同程度的漲價(jià)。

NOR Flash方面,兆易創(chuàng)新表示三季度價(jià)格較為穩(wěn)定,需求非常旺盛,超過此前預(yù)期。因此展望四季度,市場(chǎng)仍然非常旺盛,現(xiàn)在已處于供不應(yīng)求的狀態(tài),樂觀看待明年的景氣度。

的確,NOR Flash在AMOLED屏、可穿戴設(shè)備(尤其是TWS耳機(jī))以及物聯(lián)網(wǎng)、汽車市場(chǎng)都將有非常大的成長(zhǎng)機(jī)會(huì)。

由于市場(chǎng)需求的復(fù)蘇,MCU、NOR Flash的供應(yīng)和價(jià)格承壓越來越大,無論是供應(yīng)商還是客 戶都要做好供求計(jì)劃了。

電機(jī)汽車類應(yīng)用潛力大,頭部企業(yè)加速布局

英國(guó)倫敦時(shí)間周二(11月17日)英國(guó)首相鮑里斯·約翰遜在英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》發(fā)表專欄文章,公布十項(xiàng)綠色新政,調(diào)動(dòng)120億英鎊政府投資,創(chuàng)造和支持多達(dá)25萬個(gè)綠色就業(yè)崗位。其中最為引人注目的是,即將從2030年停止新的汽柴油汽車的銷售,這比今年2月約翰遜提出的2035年的截止時(shí)間還提前了5年。這標(biāo)志著英國(guó)汽車市場(chǎng)將出現(xiàn)重大轉(zhuǎn)變。

Kevin點(diǎn)評(píng):在汽車“去汽柴油化”方面,目前歐洲走在前列。截止到目前,愛爾蘭、荷蘭、丹麥和瑞典都已經(jīng)宣布在2030年前禁止其柴油新車銷售。法國(guó)也曾經(jīng)立法到2040年要禁止銷售汽柴油新車。

此外,今年9月美國(guó)加州州長(zhǎng)紐松(Gavin Newsom)簽署了一項(xiàng)命令,至2035年將禁止該州銷售汽油和柴油動(dòng)力的新車,希望借此降低溫室氣體及空氣污染物排放。

這幾年中國(guó)也在推動(dòng)新能源汽車的發(fā)展。所有這些對(duì)推廣電動(dòng)汽車意義巨大。也正是看到了電動(dòng)汽車的發(fā)展,頭部電機(jī)企業(yè)也開始布局。比如從德昌電機(jī)2019年的財(cái)報(bào)中可以看到,其汽車類電機(jī)產(chǎn)品占其總營(yíng)收的79%。
另一個(gè)電機(jī)大企業(yè)日本電產(chǎn)(尼得科)計(jì)劃到2030年底,在電動(dòng)汽車用驅(qū)動(dòng)電機(jī)市場(chǎng)中的份額達(dá)到35%。為此,今年6月,日本電產(chǎn)宣布投資1000億日元(約65億元)在大連建廠,并設(shè)立研發(fā)中心。 此外,日本電產(chǎn)還計(jì)劃在歐洲投資2000億日元,在美洲的投資計(jì)劃也正在規(guī)劃之中。

臺(tái)積電與谷歌合作,SoIC封裝將量產(chǎn)!

近日,臺(tái)灣供應(yīng)鏈傳來消息,全球最大半導(dǎo)體代工企業(yè)臺(tái)積電(TSMC)與谷歌(Google)等美國(guó)客戶正在一同測(cè)試,合作開發(fā)先進(jìn)3D堆棧晶圓級(jí)封裝產(chǎn)品,并計(jì)劃2022年進(jìn)入量產(chǎn)。

臺(tái)積電將此3D堆棧技術(shù)命名為“SoIC封裝”,可以垂直與水平的進(jìn)行芯片鏈接及堆棧封裝。此技術(shù)可以讓幾種不同類型的芯片,像是處理器、內(nèi)存與傳感器堆棧到同一個(gè)封裝中。這種技術(shù)能可讓芯片組功能更強(qiáng)大,但尺寸更小,且更具有能源效率。

消息透露,臺(tái)積電計(jì)劃在苗栗芯片封裝廠房導(dǎo)入最新 3D IC 封裝技術(shù),Google、超微(AMD)將是第一批 SoIC 芯片客戶,這些美國(guó)科技巨擘會(huì)協(xié)助臺(tái)積電進(jìn)行測(cè)試與認(rèn)證作業(yè)。據(jù)消息,Google 打算將 SoIC 芯片應(yīng)用于自駕車系統(tǒng)等,AMD 則希望打造超越英特爾Intel)的芯片產(chǎn)品。

Lily點(diǎn)評(píng):根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Yole Development的數(shù)據(jù),先進(jìn)封裝行業(yè)在2019年的銷售額為290億美元,預(yù)計(jì)在2019-2025年之間的復(fù)合年增長(zhǎng)率為6.6%,到2025年將達(dá)到420億美元。這家研究公司表示,在所有細(xì)分市場(chǎng)中,3D堆疊封裝將以25%的速度增長(zhǎng),這在同一時(shí)期內(nèi)是最快的。臺(tái)灣行業(yè)分析師表示,隨著全球高端芯片開發(fā)商尋求更多可產(chǎn)生強(qiáng)大性能并幫助其在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中脫穎而出的定制芯片,對(duì)高級(jí)封裝的需求正在增長(zhǎng)。

根據(jù)臺(tái)積電在第二十四屆年度技術(shù)研討會(huì)中的說明,SoIC是一種創(chuàng)新的多芯片堆疊技術(shù),是一種晶圓對(duì)晶圓(Wafer-on-wafer)的鍵合(Bonding)技術(shù),這是一種3D IC制程技術(shù),可以讓臺(tái)積電具備直接為客戶生產(chǎn)3D IC的能力。

臺(tái)積電總裁魏哲家表示,2D微縮已經(jīng)不足以支持系統(tǒng)整合需求,臺(tái)積電擁有業(yè)界最先進(jìn)的晶圓級(jí)3DIC技術(shù),從晶圓堆疊到先進(jìn)封裝一應(yīng)俱全,幫助客戶實(shí)現(xiàn)更有效率的系統(tǒng)整合。行業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為,從臺(tái)積電最初提出的2.5版CoWoS技術(shù),至獨(dú)吃蘋果的武器InFO(整合型扇型封裝)技術(shù),下一個(gè)稱霸晶圓代工產(chǎn)業(yè)的,就是SoIC技術(shù)。

中國(guó)移動(dòng)宣布將在2021年基本實(shí)現(xiàn)全國(guó)市、縣5G覆蓋

11月20日,中國(guó)移動(dòng)董事長(zhǎng)楊杰表示,中國(guó)移動(dòng)已開通5G基站38.5萬個(gè),在所有地級(jí)市和部分重點(diǎn)縣城提供5G SA服務(wù)。同時(shí),中國(guó)移動(dòng)將在明年進(jìn)一步擴(kuò)大5G規(guī)模建設(shè),在2021年基本實(shí)現(xiàn)全國(guó)市、縣城區(qū)及部分重點(diǎn)鄉(xiāng)鎮(zhèn)5G良好覆蓋,完善3+3+X數(shù)據(jù)中心布局,裝機(jī)能力提升至108萬架。

此外,中國(guó)移動(dòng)預(yù)計(jì),到今年底,網(wǎng)內(nèi)5G套餐用戶數(shù)將超1.5億,5G手機(jī)用戶將突破1億。中國(guó)移動(dòng)判斷,目前網(wǎng)內(nèi)處于換機(jī)周期的目標(biāo)用戶近3億,明年的目標(biāo)是要實(shí)現(xiàn)網(wǎng)內(nèi)新增5G手機(jī)2億部。

Simon點(diǎn)評(píng):5G基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)一直是行業(yè)內(nèi)關(guān)注的焦點(diǎn),由于5G的特性,如果想要達(dá)到4G同樣的覆蓋效果,至少需要達(dá)到4G基站1.5倍的數(shù)量。

而今5G基站盡管已經(jīng)基本覆蓋至各大城市,但根據(jù)實(shí)際的體驗(yàn),可以發(fā)現(xiàn)覆蓋范圍仍然有限,甚至?xí)霈F(xiàn)過了一條街之后,便無法連接的情況,這些都是由于5G覆蓋不足所導(dǎo)致。

中國(guó)移動(dòng)作為國(guó)內(nèi)最大的運(yùn)營(yíng)商,宣布明年將在全國(guó)市、縣完成5G的基本覆蓋,至少保證了5G可以在全國(guó)各地的使用,雖然還無法達(dá)到完全覆蓋的地步,但從使用角度來看,已經(jīng)由不可用到勉強(qiáng)可用的程度。

如果中國(guó)移動(dòng)能夠如期完成其規(guī)劃,將進(jìn)一步加速5G的普及。今年被稱為5G的元年,那么2021年,將成為5G徹底爆發(fā)的一年。目前唯一的問題就在于,5G的殺手級(jí)應(yīng)用何時(shí)出現(xiàn)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO證實(shí)華為Mate40用上國(guó)產(chǎn)閃存

日前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在參加活動(dòng)時(shí)證實(shí)了一件事,那就是他們的64層閃存已經(jīng)打入了華為Mate40供應(yīng)鏈,他還借用一句網(wǎng)絡(luò)用語,表示“出道即巔峰”。

他表示,與國(guó)際存儲(chǔ)大廠相比,公司用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)從32層到64層再到128層的跨越,3年完成他們6年走過的路。

Carol點(diǎn)評(píng):去年9月,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布國(guó)內(nèi)第一個(gè)64層堆棧3D閃存量產(chǎn),截至目前,已經(jīng)有很多國(guó)產(chǎn)SSD使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的這款閃存顆粒。

2020年5月,光威推出基于國(guó)產(chǎn)NAND Flash廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)的閃存顆粒的SSD,并且這款SSD還采用了國(guó)產(chǎn)的聯(lián)蕓的SSD主控。

2020年5月14日,國(guó)科微與長(zhǎng)江存儲(chǔ)在湖南長(zhǎng)沙正式簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議,在簽約儀式上,國(guó)科微預(yù)發(fā)布搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND顆粒的固態(tài)硬盤。

2020年9月,朗科在京東上線了“朗系列”S520S固態(tài)硬盤,采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層TLC 3D NAND原廠顆粒,主控為得一微電子的SATA固態(tài)硬盤主控芯片YS9082HC。

此外還有不少國(guó)產(chǎn)SSD廠商也采用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層堆棧3D閃存,同時(shí)長(zhǎng)江存儲(chǔ)自己也推出了基于該款閃存顆粒的SSD產(chǎn)品。

今年4月,長(zhǎng)江存儲(chǔ)還發(fā)布了128層 3D NAND,預(yù)計(jì)明年上半年量產(chǎn),整體而言,長(zhǎng)江存儲(chǔ)不管是在新品技術(shù),還是量產(chǎn)上都在快速推進(jìn)?,F(xiàn)在長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND又進(jìn)入到華為的供應(yīng)中,可見未來其將會(huì)進(jìn)入越來越多的國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈中,逐漸侵蝕三星、鎧俠、西數(shù)、美光等大廠的市場(chǎng)份額。

SK海力士與博世投資存儲(chǔ)器初創(chuàng)公司FMC

近期存儲(chǔ)器初創(chuàng)公司Ferroelectric Memory Company的B輪融資中,SK海力士和博世等企業(yè)為其提供了2000萬美元以上的投資資金,此外某些頂級(jí)代工廠也打算投資,但FMC擔(dān)心與單一代工廠的緊密合作會(huì)影響其他代工廠運(yùn)用其技術(shù),因此暫時(shí)拒絕了那些額外的投資交易。FMC將利用這筆資金將FeFET產(chǎn)品進(jìn)入下一大開發(fā)階段,最終實(shí)現(xiàn)7nm的制程工藝。

采用7nm的制程工藝后,不僅可以增加FeFET的存儲(chǔ)密度,而且存儲(chǔ)容量可以與其它7nm的存儲(chǔ)技術(shù)相媲美。FMC希望將FeFET技術(shù)集成到嵌入式NVM、存儲(chǔ)級(jí)存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)運(yùn)算應(yīng)用中去。

Leland點(diǎn)評(píng):如果可以突破7nm的障礙,F(xiàn)eFET將從尺寸和成本上優(yōu)于FLASH和MRAM存儲(chǔ),同時(shí)還將提供更高的溫度穩(wěn)定性、抗磁性與抗輻射性。FMC作為一家有潛力的存儲(chǔ)初創(chuàng)公司,并不打算走IDM模式,而是借助代工廠來實(shí)現(xiàn)高級(jí)制程產(chǎn)品的生產(chǎn),而他們將設(shè)計(jì)許可賣給設(shè)備制造商。

FeFET主要使用二氧化鉿這種鐵電材料,這種材料通常作為現(xiàn)代IC的絕緣層。而FeFET很適合作為鑲?cè)胧紽LASH的替代品,因?yàn)楹笳咭胪黄?8nm非常困難。不過以該公司目前的路線圖來看,28nm的消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品預(yù)計(jì)在2023年才會(huì)推出,之后再攻克22nm,突破到7nm也許還得等上較長(zhǎng)的一段時(shí)間,


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    保留能力,支持多次擦寫操作,是MCU程序存儲(chǔ)的核心介質(zhì)。 主要類型? NOR Flash?:支持隨機(jī)訪問,可直接運(yùn)行代碼,適用于實(shí)時(shí)性要求高的場(chǎng)景。 NAND Flash?:需通過RA
    的頭像 發(fā)表于 05-06 14:26 ?1361次閱讀

    16 位 ADC 的 汽車與非汽車C2000? 32 位 MCU(TMS320F28377DPTPS TMS320F28377SPTPQ)微控制器

    閃存、EMIF、16 位 ADC 的汽車 C2000? 32 位 MCU TMS320F28377SPTPQ 是一款功能強(qiáng)大的 32 位浮點(diǎn)微控制器單元 (MCU),專為工業(yè)
    發(fā)表于 04-30 14:11

    兆易創(chuàng)新專訪:SPI NOR Flash全面賦能AI與汽車電子創(chuàng)新?

    在2025慕尼黑上海電子展上,兆易創(chuàng)新(GigaDevice)展示了其在存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)與市場(chǎng)布局。作為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片龍頭企業(yè),兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于AI
    的頭像 發(fā)表于 04-23 11:12 ?4181次閱讀
    兆易創(chuàng)新專訪:SPI <b class='flag-5'>NOR</b> <b class='flag-5'>Flash</b>全面賦能AI與<b class='flag-5'>汽車</b>電子創(chuàng)新?