據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2018年進(jìn)口半導(dǎo)體金額為3800多億，其中近三分之一來源于存儲器產(chǎn)品，其中大部分都是從韓國廠商進(jìn)口的。近兩年，在國家政策的扶持以及廠商自研芯片的熱潮下，逐漸有了起色，國內(nèi)存儲廠商，如兆易創(chuàng)新等不斷向存儲市場更廣的領(lǐng)域布局。

12月10-11日，在第26屆中國集成電路設(shè)計業(yè)2020年會暨重慶集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇（ICCAD 2020）在重慶召開，兆易創(chuàng)新受邀參加此次ICCAD，兆易創(chuàng)新FLASH BU市場部經(jīng)理薛霆發(fā)表了《新成熟工藝下的SPI NOR和SLC NAND》的演講。

據(jù)悉，兆易創(chuàng)新成立于2005，是一家領(lǐng)先的無晶圓廠半導(dǎo)體公司，致力于開發(fā)先進(jìn)的存儲器技術(shù)和IC解決方案。在2016年上市后，兆易創(chuàng)新憑借自身的不斷開拓和資本的力量，發(fā)展成為集存儲器、微控制器、傳感器于一體的領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商。

據(jù)了解，目前兆易創(chuàng)新的存儲器產(chǎn)品主要分為SPI NOR、SLC NAND和DRAM。NOR是代碼型存儲芯片，這也是兆易創(chuàng)新第一顆產(chǎn)品，SLC NAND是數(shù)據(jù)型存儲芯片，DRAM是更高級別的系統(tǒng)級存儲芯片。

存儲業(yè)務(wù)發(fā)展迅猛

上市次年，國家大基金入股兆易創(chuàng)新并成為其第二大股東，同年10月，兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投簽訂先進(jìn)DRAM合作項目，DRAM業(yè)務(wù)開始。

近年來，隨著TWS耳機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展，讓低功耗、高性價比NOR Flash產(chǎn)品受到下游應(yīng)用的青睞。而在賽普拉斯和美光于2017年轉(zhuǎn)向工控和汽車領(lǐng)域后，兆易創(chuàng)新等本土企業(yè)的存儲業(yè)務(wù)實現(xiàn)了快速增長。

2019年，兆易創(chuàng)新業(yè)績?nèi)〉弥卮笸黄?，實現(xiàn)營收32.03億，相比前年增長近10億元。出貨量方面，兆易創(chuàng)新在SPI NOR Flash領(lǐng)域全球排名第三，F(xiàn)lash累計出貨超130億顆；32-bit ARM? Cortex? MCU 累計出貨超4億顆。

值得一提的是，在SPI NOR Flash領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新的全球市場份額連續(xù)7年占據(jù)前三。據(jù)Web-Feet Research數(shù)據(jù)顯示，2018年兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash全球市場份額為14.2%，到了2019年，兆易創(chuàng)新的市占率提高至17.2%。

新成熟工藝下的SPI NOR和SLC NAND

從2008年，兆易創(chuàng)新推出國內(nèi)首款180nm SPI NOR FLASH至今，其NOR FLASH產(chǎn)品已經(jīng)歷了多次迭代發(fā)展。2013年，兆易推出國內(nèi)首款65nm SPI NOR FLASH；隨后，兆易創(chuàng)新在2019年推出國內(nèi)首款55nm SPI NOR FLASH。

55nm SPI NOR相對于65nm產(chǎn)品的優(yōu)勢主要有三方面：性能更高，可支持的最大頻率提高80%；功耗更低，讀功耗更低，最低可降低50%；封裝更小，同等容量，可支持更小的封裝。

目前，兆易創(chuàng)新SPI NOR Flash? 產(chǎn)品路線圖按電壓等級可分為1.2V、1.65V~3.6V、1.8V和3V，產(chǎn)品容量覆蓋了512K~2Gb范圍。

薛霆認(rèn)為，SPI NOR Flash的發(fā)展趨勢將朝著高性能、低功耗、高安全性和小封裝方向發(fā)展。兆易創(chuàng)新的高性能產(chǎn)品包含LF/F 、LT/T 以及LX/X 等支持DTR功能的產(chǎn)品系列。值得一提的是，LX/X 系列的Throughput（帶寬）最高可達(dá)400MB/s。低功耗產(chǎn)品有LE系列、WD/WQ 系列和UE 系列；高安全性方面有LR/R 系列；小封裝有USON8和WLCSP等。

在NAND產(chǎn)品方面，2020年，兆易創(chuàng)新取得了重要突破，量產(chǎn)24nm工藝節(jié)點的4Gb SPI NAND Flash產(chǎn)品，實現(xiàn)了從設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)制造到封裝測試所有環(huán)節(jié)的純國產(chǎn)化和自主化。24nm SLC NAND新成熟工藝相比38nm工藝產(chǎn)品而言，Die Size顯著縮小，成本更優(yōu)化，一次性緩存數(shù)據(jù)量更多。

在產(chǎn)品不斷迭代發(fā)展背后，是兆易創(chuàng)新百人級規(guī)模工藝研發(fā)人員的不斷努力。據(jù)薛霆表示，“55nm SPI NOR開發(fā)3年，24nm SLC NAND開發(fā)4年，投入了大量的研發(fā)資源，在不斷的打磨和工藝驗證中，兆易創(chuàng)新用高于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的量產(chǎn)要求以保證產(chǎn)品的可靠穩(wěn)定?！?/p>

兆易創(chuàng)新SLC NAND FLASH產(chǎn)品路線路按接口類型可分為SPI Interface GD5Fx和ONFI Interface GD9Fx系列，產(chǎn)品容量覆蓋了1Gb~8Gb范圍且全系列支持1.8V和3.3V兩種電壓范圍。目前，24nm新工藝的4Gb和8Gb產(chǎn)品已量產(chǎn)，同時正開發(fā)1Gb和2Gb相對應(yīng)的SLC NAND產(chǎn)品。
責(zé)任編輯:tzh