個(gè)人認(rèn)為BMS硬件設(shè)計(jì)有兩個(gè)難題，一是絕緣檢測(cè)電路設(shè)計(jì)，另外一個(gè)就是AFE的防護(hù)設(shè)計(jì)。熱插拔也是AFE防護(hù)設(shè)計(jì)需要考慮的一種場(chǎng)景，今天就總結(jié)下熱插拔的相關(guān)知識(shí)。

之前有經(jīng)歷過在模組上拔插采樣板的時(shí)候，第一次沒啥問題，第二次采樣板就冒煙了，當(dāng)時(shí)心情很復(fù)雜。

定義：

熱插拔（Hot PlugHot Swap），即帶電插拔，指的是在不關(guān)閉系統(tǒng)電源的情況下，將模塊、板卡插入或拔出系統(tǒng)；我們的目的是在熱插拔的場(chǎng)景下，不會(huì)損壞單板硬件。這個(gè)概念最早來自于服務(wù)器領(lǐng)域，很多板卡、背板都是要滿足熱插拔測(cè)試的。

BMS里面更讓人關(guān)注的是采樣板AFE處的熱插拔情況，類似下圖這種場(chǎng)景，把單體電壓、溫度采樣的連接器與采樣板進(jìn)行插拔時(shí)，要求不能損壞采樣板器件。

損壞機(jī)理：

熱插拔損壞機(jī)理主要就是器件過功率，可能是過流、也可能是過壓。一般AFE的采樣端口處都會(huì)放置RC濾波，而且電容C又可能是共模電容或差模電容；如下圖中，當(dāng)插入連接器時(shí)，在電容C40上可能會(huì)存在這樣的一個(gè)電流路徑，對(duì)電容進(jìn)行充電，那么就有可能超出前面的R75的功率限制，進(jìn)一步可能燒毀R75。

上圖的電流路徑走的是AFE外部，當(dāng)然也會(huì)有走內(nèi)部的情況；由于連接器插入時(shí)，引腳的順序是不固定的，那么就可能存在下圖中的場(chǎng)景，電流通過AFE內(nèi)部寄生二極管形成了一個(gè)不尋常的充電路徑，這樣也可能會(huì)損壞AFE。

也有這樣的情況，由于兩個(gè)引腳的上電順序不一致，可能在兩個(gè)引腳之間存在一個(gè)壓差，導(dǎo)致內(nèi)部的保護(hù)二極管動(dòng)作，也有可能這個(gè)能量超出其承受能力，造成AFE損壞，如下圖示意。

還有就是模組上面采樣線如果采用FPC，那么FPC上面的走線保險(xiǎn)絲也是容易被熱插拔損壞的地方。

上面的幾種情況只是一個(gè)示例，如果真發(fā)生熱插拔損壞，其實(shí)真的很難定位問題。因?yàn)锳FE內(nèi)部設(shè)計(jì)的電路對(duì)我們來講差不多是一個(gè)黑盒，我們可以通過芯片手冊(cè)來猜測(cè)一些損壞機(jī)理，但完全搞清楚比較難。

對(duì)此，首先要按照廠家推薦的外部RC參數(shù)來設(shè)計(jì)，它們一般是做過熱插拔測(cè)試的，如果做更改，要和它們確認(rèn)好可行性；另外如果出了問題，還是要找原廠來幫助解決分析問題，自己容易走進(jìn)死胡同。目前從應(yīng)用來看，各家使用內(nèi)部均衡確實(shí)是一個(gè)趨勢(shì)，下圖為內(nèi)部均衡示意圖（來源ADI官網(wǎng)），但是內(nèi)部均衡相對(duì)外部均衡來講，引腳處防護(hù)確實(shí)有點(diǎn)弱；我遇到過實(shí)際的問題，而且不是某一家的問題，是個(gè)通用的問題。

熱插拔試驗(yàn)設(shè)計(jì)：

一般采用下圖的配置來搭建熱插拔測(cè)試臺(tái)架，通過繼電器的時(shí)序控制，來實(shí)現(xiàn)模擬每一條采樣線的連接組合，從全0到全1的模擬。

試驗(yàn)的幾個(gè)注意點(diǎn)：每種工況的次數(shù)最好在5次以上，試驗(yàn)時(shí)單體電壓不要太低，還有就是試驗(yàn)線束盡量短，模擬器輸出電流不要限流等。

除了上面的測(cè)試外，我強(qiáng)烈推薦在真實(shí)項(xiàng)目的模組上手動(dòng)來做熱拔插測(cè)試，因?yàn)槎哒娴牟灰粯印?/p>

總結(jié)：

今天看到新聞?wù)fADI收購了美信，那么后續(xù)兩家的AFE產(chǎn)品該怎么發(fā)展也是一個(gè)有趣的問題，會(huì)不會(huì)整合兩家的優(yōu)點(diǎn)，推出一個(gè)黑科技出來，讓別人無路可走；以上所有，僅供參考。