之前有消息稱(chēng)，臺(tái)積電正在籌集更多的資金，為的是向ASML購(gòu)買(mǎi)更多更先進(jìn)制程的EUV***，而這些都是為了新制程做準(zhǔn)備。

在不久前舉辦的線上活動(dòng)中，歐洲微電子研究中心IMEC首席執(zhí)行官兼總裁Luc Van den hove在線上演講中表示，在與ASML公司的合作下，更加先進(jìn)的***已經(jīng)取得了進(jìn)展。

Luc Van den hove表示，IMEC的目標(biāo)是將下一代高分辨率EUV光刻技術(shù)高NA EUV光刻技術(shù)商業(yè)化。由于此前得***競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手早已經(jīng)陸續(xù)退出市場(chǎng)，目前ASML把握著全球主要的先進(jìn)***產(chǎn)能，近年來(lái)，IMEC一直在與ASML研究新的EUV***，目前目標(biāo)是將工藝規(guī)?？s小到1nm及以下。

目前ASML已經(jīng)完成了NXE:5000系列的高NA EUV曝光系統(tǒng)的基本設(shè)計(jì)，至于設(shè)備的商業(yè)化。要等到至少2022年，而等到臺(tái)積電和三星拿到設(shè)備，之前要在2023年。

與此同時(shí)，臺(tái)積電在材料上的研究，也讓1nm成為可能。臺(tái)積電和交大聯(lián)手，開(kāi)發(fā)出全球最薄、厚度只有0.7納米的超薄二維半導(dǎo)體材料絕緣體，可望借此進(jìn)一步開(kāi)發(fā)出2納米甚至1納米的電晶體通道。

據(jù)悉，臺(tái)積電正為2nm之后的先進(jìn)制程持續(xù)覓地，包含橋頭科、路竹科，均在臺(tái)積電評(píng)估中長(zhǎng)期投資設(shè)廠的考量之列。

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