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晶合集成發(fā)布110nm-LP MCU工藝平臺

我快閉嘴 ? 來源:合肥晶合 ? 作者:合肥晶合 ? 2021-01-01 10:37 ? 次閱讀
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2020年12月,合肥晶合集成電路股份有限公司(以下簡稱“晶合集成”)與矽成積體電路股份有限公司(以下簡稱“ISSI”)、成都銳成芯微科技股份有限公司(以下簡稱“銳成芯微”)聯合推出110nm-AL MCU 全平臺解決方案(圖1)。該平臺為晶合集成“顯像微電”(顯示器驅動、圖像傳感、微控制器、電源管理)四大特色工藝中重要的“微”一環(huán)。

晶合集成發(fā)布110nm-LP MCU工藝平臺

嵌入式閃存(110LP-eFlash):基于110nm LP 1.5V/5V 低功耗邏輯工藝的嵌入式閃存平臺。面向容量介于16KB/32KB-256KB,擦寫次數大于100K次的MCU應用。采用ISSI第二代架構 2T-pFlash (pFusion?) 的記憶體模塊,搭配銳成芯微的全套低功耗模擬IP方案:

晶合集成發(fā)布110nm-LP MCU工藝平臺

1)NVM IP:ISSI pFusion? 第二代架構。在第一代架構低功耗、高速度、高抗干擾能力及高可靠性的基礎上,顯著提升可靠性的工藝窗口(圖2),特別適用于高可靠性需求的工規(guī)及車規(guī)應用;客制化的pFusion?模塊允許同時存在不同大小的擦除區(qū)塊,提升系統配置彈性,滿足客戶多種應用場景需求。

2)模擬IP:銳成芯微的全套低功耗模擬IP方案具有卓越的靜態(tài)功耗(nA級),極大降低了芯片在待機模式下的整體功耗。在功耗、性能和成本上實現極佳平衡,可以廣泛應用於MCU、IoT, smart card,wireless、power meters以及車規(guī)系統。2020年晶合集成成功導入多家嵌入式閃存客戶產品驗證并于12月進入投片量產。

MTP(110LP-MTP):基于110nm LP 1.5V/5V 低功耗邏輯工藝的MTP(Multiple-Time Programming)平臺。面向容量1KB-16KB/32KB,擦寫次數介于10次-10K次的MCU應用。銳成芯微的LogicFlash? IP 提供業(yè)界最小的MTP IP。具有擦寫次數大于10K次, 高溫數據保存大于10年,高速讀寫及低芯片測試成本等優(yōu)勢,滿足低成本高性能MCU的應用需求,可廣泛應用于工業(yè)和家電類產品,例如鋰電池供電的物聯網智能家居、智能穿戴類應用。目前已經成功導入客戶并進入投片量產。

晶合集成的110nm全鋁后段12寸生產線可為客戶在MCU及低功耗SOC產品提供更具市場競爭力的代工業(yè)務和更優(yōu)質的技術服務。為了更好滿足客戶產品日益增長的更新迭代需求,到2022年,晶合集成還將在55nm邏輯工藝基礎上推出55nm嵌入式閃存工藝平臺,進一步為客戶提供128KB-1MB高性能MCU平臺解決方案。

關于合肥晶合集成電路股份有限公司

合肥晶合集成電路股份有限公司(簡稱“晶合集成”)成立于2015年5月,專注于半導體晶圓生產代工服務。截至2020年11月產能突破3萬片/月,實現了在手機面板驅動芯片代工領域領先的目標。晶合集成初期的主要產品為面板驅動芯片,后續(xù)將以客戶需求為導向,結合平板顯示、汽車電子、家用電器、工業(yè)控制、人工智能、物聯網等產業(yè)發(fā)展趨勢,進一步拓展微控制器(MCU)、CMOS圖像傳感器(CIS)、電源管理(PMIC) 、人工智能物聯網(AIoT)等不同應用領域芯片代工,矢志成為中國最卓越的集成電路專業(yè)制造公司之一。

關于矽成積體電路股份有限公司

矽成積體電路股份有限公司(簡稱“ISSI”)成立于1988年,是一家技術領先的集成電路設計企業(yè)。公司專注于汽車電子、網絡通信、工控醫(yī)療及數字消費電子四個領域,為此設計開發(fā)高性能IC芯片,主要產品包括DRAM、SRAM、FLASH及混合模擬信號產品。除此之外,矽成也擁有獨立自主研發(fā)的embedded flash(pFusion)智財權(IP),透過技術授權于各大芯片代工廠及設計公司,量產工藝從180nm到55nm,累計的出貨片數遠大于一百萬片晶圓;以第三方的e-flash IP 來說,目前是屬于世界領先的供應商之一。

關于成都銳成芯微科技股份有限公司

銳成芯微成立于2011年,是一家專注于集成電路IP核技術研發(fā)及服務的國家高新技術企業(yè),總部位于成都,在國內多地設有分支機構。銳成芯微是國內領先的同時擁有超低功耗模擬IP技術、高可靠性嵌入式存儲IP技術、高性能RF技術和高速數據傳輸IP技術的企業(yè),目前已與國內外20多家晶圓代工廠開展合作,產品覆蓋從14/16nm到180nm的CMOS, BiCMOS, BCD, SiGe, HV,FinFET,FD-SOI等幾十個工藝制程,累計開發(fā)IP 500多項,國內外申請專利超200件,服務全球300多家集成電路設計企業(yè),產品廣 泛應用于物聯網、智能家居、汽車電子、智慧電源、可穿戴、醫(yī)療電子、工業(yè)控制等領域。
責任編輯:tzh

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