EC改進(jìn)方案選型

接上篇，介紹一下整個容災(zāi)方案在性能和可靠性方面如何做驗(yàn)證。

3個機(jī)柜，每個機(jī)柜15臺機(jī)器，總共45臺，需要在RBD場景下，找到成本、性能、數(shù)據(jù)可靠性的三者平衡點(diǎn)。

跨機(jī)柜容災(zāi)方案1

支持2個機(jī)柜級別的容災(zāi)，跨3個機(jī)柜單個分組共9個節(jié)點(diǎn)，共5個分組，對應(yīng)的理論收益情況如下

對應(yīng)的crush rule如下

單機(jī)柜容災(zāi)方案2

支持1個機(jī)柜級別的容災(zāi)，單個分組共5個節(jié)點(diǎn)，共9個分組，對應(yīng)的理論收益情況如下

從性能最優(yōu)原則，K+M總和最小則對應(yīng)的理論性能最優(yōu)，所以單機(jī)柜容災(zāi)模型下，4+3成為最優(yōu)方案。

對應(yīng)的ec配置如下

對應(yīng)的crush rule如下

crush rule的生成與rule的驗(yàn)證模擬

容災(zāi)能力測試場景

性能測試

RBD場景，模擬大、小文件，順序/隨機(jī)讀寫，獲取對應(yīng)的fio性能基準(zhǔn)數(shù)據(jù)，對比3副本與EC的性能差距。
3副本 vs CLAY_3+2 vs CLAY_4+3

故障恢復(fù)效率

前置條件:集群提前寫入容量60%，模擬已有數(shù)據(jù)場景
目標(biāo):對比ISA和CLAY在K+M相同的情況下，RBD場景下持續(xù)讀寫數(shù)據(jù)，模擬單塊OSD、單個OSD節(jié)點(diǎn)故障、多個OSD節(jié)點(diǎn)故障(可選)，數(shù)據(jù)遷移所需的時長，同時記錄對應(yīng)的CPU、內(nèi)存、網(wǎng)卡負(fù)載消耗情況，以及性能波動情況。

容災(zāi)能力

前置條件:集群提前寫入容量60%，模擬已有數(shù)據(jù)場景
目標(biāo):RBD場景下持續(xù)讀寫數(shù)據(jù)，模擬最小故障域、單機(jī)柜、雙機(jī)柜故障，記錄對應(yīng)的性能波動情況，考察在極端情況下整個集群的服務(wù)可用性和數(shù)據(jù)可靠性。

跨機(jī)柜容災(zāi)方案1

單機(jī)柜容災(zāi)方案2

責(zé)任編輯：xj

原文標(biāo)題：Ceph最新的EC-CLAY插件調(diào)研-下

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