91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

蘋果第三代iPhone SE和AirPods Pro2即將亮相

我快閉嘴 ? 來源:果粉之家 ? 作者:果粉之家 ? 2021-01-13 16:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

去年4月份,蘋果直接在官網(wǎng)上架了全新的iPhone SE2機(jī)型,與其說是上一代iPhone SE的升級版,還不如說是iPhone 8的復(fù)刻版。作為iPhone系列的入門機(jī)型,iPhone SE2推出后,并沒有引起多大反響。不過這也不奇怪,畢竟喜歡小屏的用戶只是小部分,大部分人還是喜歡大屏的。

iPhone SE2推出沒多久后,就有消息稱蘋果還將會繼續(xù)推出一款屏幕更大的SE,其命名可能為iPhone SE Plus。

據(jù)外媒MacRumors引援供應(yīng)鏈消息稱,蘋果計(jì)劃在2021年4月份發(fā)布第三代iPhone SE和AirPods Pro 2。

報(bào)道中還提到了AirPods Pro2的相關(guān)細(xì)節(jié),新的AirPods Pro2對耳機(jī)的充電盒的尺寸進(jìn)行了一些調(diào)整,厚度依舊是21毫米,與當(dāng)前AirPods Pro一致。但高度變成了46毫米,寬度縮減至54毫米。作為對比,目前AirPods Pro的充電盒高度為 45.2mm,寬度為 60.6mm,因此新的充電盒顯然會略微窄一些。

也就是說,AirPods Pro2的充電盒整體體積變小了,至于第三代iPhone SE,報(bào)道中并沒有提及相關(guān)細(xì)節(jié)。已經(jīng)買了新iPhone12果粉們,如果手上的舊手機(jī)是不是想賣掉但又不知道賣多少錢呢?不用擔(dān)心,您關(guān)注:果粉之家,我們將在線為您估價(jià)!

根據(jù)此前彭博社的消息稱,AirPods Pro2將采用更緊湊的設(shè)計(jì),繼續(xù)縮短甚至取消從底部伸出的短柄,類似于谷歌和三星等公司耳機(jī)的圓潤造型。以便更好的貼合耳機(jī),給提供給用戶更良好的佩戴感。

前些天推特知名爆料者M(jìn)r-white分享了幾張疑似AirPods Pro 2的內(nèi)部硬件的諜照,爆料稱這可能是AirPods Pro2兩種不同尺寸的元件。從曝光的圖片集來看,該元件構(gòu)造與第一代AirPods Pro芯片極其相似,AirPods Pro2沒有加入沒有新的無線芯片技術(shù)。

至于第三代iPhone SE(或稱iPhone SE Plus),將會采用類似iPhone 11的LCD全面屏設(shè)計(jì),但移除了面容識別,而是加入同iPad Air4相似的指紋解鎖設(shè)計(jì),將指紋解鎖集成到電源鍵上,方便用戶解鎖。這樣不僅能降低成本,同時還能進(jìn)一步提高iPhone的屏占比。

內(nèi)部硬件配置方面,應(yīng)該會將與iPhone 12看齊,A14仿生芯片、支持5G網(wǎng)絡(luò)。不過如果iPhone SE Plus能有這個配置的話,想必價(jià)格肯定也不便宜。而國行iPhone SE Plus的價(jià)格可能會跟當(dāng)前蘋果官網(wǎng)上的iPhone 11價(jià)格差不多,售價(jià)為4799元起步。

從蘋果更新產(chǎn)品的時間線來看,小編個人認(rèn)為在春季發(fā)布會率先跟我們見面的應(yīng)該是iPhone SE Plus和AirPods 3,AirPods Pro2的話,最快也要等到今年秋季才會跟我們見面。

此前,蘋果爆料博主LeaksApplePro稱,AirPods Pro2將在2021年第四季度推出,也有可能是2022年第一季度。價(jià)格方面,該博主表示,全新的AirPods Pro定價(jià)與上代保持一致,加量不加價(jià)。
責(zé)任編輯:tzh

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • iPhone
    +關(guān)注

    關(guān)注

    28

    文章

    13522

    瀏覽量

    216429
  • 蘋果
    +關(guān)注

    關(guān)注

    61

    文章

    24600

    瀏覽量

    208410
  • 耳機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    3081

    瀏覽量

    85950
  • 5G
    5G
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1367

    文章

    49170

    瀏覽量

    618182
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    第三代特斯拉人形機(jī)器人將亮相,預(yù)計(jì)年產(chǎn)百萬臺

    22日,特斯拉官方微博發(fā)布消息稱,第三代特斯拉人形機(jī)器人,即將正式亮相。據(jù)官方消息,新機(jī)完全跳出現(xiàn)有供應(yīng)鏈體系,從第一性原理出發(fā)重新設(shè)計(jì),
    的頭像 發(fā)表于 02-03 17:16 ?124次閱讀

    探索TPA2008D2第三代5 - V Class - D音頻功放的卓越性能

    探索TPA2008D2第三代5 - V Class - D音頻功放的卓越性能 在音頻功放的領(lǐng)域中,TI的TPA2008D2脫穎而出,成為了第三代5 - V Class - D音頻功放
    的頭像 發(fā)表于 02-03 15:20 ?165次閱讀

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?663次閱讀
    龍騰半導(dǎo)體推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?400次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關(guān)損耗計(jì)算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?269次閱讀

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模化降本并存”的特征。一、成本構(gòu)成:核心
    發(fā)表于 12-25 09:12

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1439次閱讀

    開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨

    搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 10-09 15:57 ?4.3w次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?816次閱讀
    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源

    BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:48 ?1203次閱讀
    上海貝嶺發(fā)布<b class='flag-5'>第三代</b>高精度基準(zhǔn)電壓源

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?748次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    尋跡智行第三代自研移動機(jī)器人控制器獲歐盟CE認(rèn)證

    尋跡智行第三代自研移動機(jī)器人控制器BR-300G獲歐盟CE認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 06-12 13:47 ?622次閱讀
    尋跡智行<b class='flag-5'>第三代</b>自研移動機(jī)器人控制器獲歐盟CE認(rèn)證

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵(GaN
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2496次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?930次閱讀
    瑞能半導(dǎo)體<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    能量密度提升15%!TDK第三代電池量產(chǎn)在即

    ,這一革新使電池儲電能力顯著增強(qiáng),能量密度提升 15%。在相同體積下,它能儲存更多電能,為手機(jī)制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出,蘋果星是 TDK 的主要客戶,各自貢獻(xiàn)了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽極
    的頭像 發(fā)表于 05-19 03:02 ?3288次閱讀