三星1nm時代光刻機體積將增加
近日，在日本東京舉辦的ITF論壇上，與ASML合作研發(fā)光刻機的比利時半導(dǎo)體研究機構(gòu)IMEC公布了3nm及以下制程在微縮層面技術(shù)細節(jié)。
目前，ASML在3nm、2nm、1nm甚至Sub?1nm都已經(jīng)做出了清晰的路徑規(guī)劃，據(jù)了解，1nm時代的光刻機在體積方面將會增加不少。
體積增加的主要原因是光學(xué)器件增大所致，潔凈室指數(shù)也達到天花板。
據(jù)悉，在臺積電、三星的7nm、5nm制造中已經(jīng)引入了NA=0.33的EUV曝光設(shè)備，而在2nm后就需要更高分辨率的曝光設(shè)備，也就是NA=0.55。
現(xiàn)在，ASML已經(jīng)完成了0.55NA曝光設(shè)備的基本設(shè)計（NXE：5000系列），預(yù)計將會在2022年實現(xiàn)商業(yè)化。
ASML目前在售的兩款極紫外光刻機分別是TWINSCAN?NXE：3400B和TWINSCAN?NXE：3400C，預(yù)計3600D計劃在明年年中出貨，其生產(chǎn)效率將會提升18%。
責(zé)任編輯:pj
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