中芯國(guó)際在7nm制程工藝上取得突破
IP和定制芯片企業(yè)芯動(dòng)科技完成全球首個(gè)基于中芯國(guó)際FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試，所有IP全自主國(guó)產(chǎn)，功能一次測(cè)試通過(guò)。這也意味著中芯國(guó)際在7nm制程工藝上取得突破。
觀察者網(wǎng)援引中科院半導(dǎo)體所專業(yè)人士介紹，成功“流片”指在實(shí)驗(yàn)室得到性能達(dá)到指標(biāo)的器件，而要實(shí)現(xiàn)真正量產(chǎn)，還需要在器件可靠性、退化機(jī)制等方面得到大量的數(shù)據(jù)支持和反復(fù)檢驗(yàn)。
手機(jī)中國(guó)獲悉，中芯國(guó)際FinFET N+1先進(jìn)工藝在功率和穩(wěn)定性方面與7nm制程工藝非常相似，且不需要光刻機(jī)。該工藝和中芯國(guó)際現(xiàn)有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。不過(guò)其性能提升依然不夠，因此主要面向低功耗應(yīng)用領(lǐng)域。
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