近幾十年來，作為閃存的潛在替代品，許多新興的內(nèi)存技術被開發(fā)出來。閃存的制程難以擴展到 40nm以下。據(jù)Yole估計，在這十年的上半期，相變存儲器（PCM）、磁RAM（MRAM）和電阻RAM（ReRAM）將在市場上產(chǎn)生重大影響，其制程為22nm，幾何形狀更精細。

還有其他形式的新興NVM - 如鐵電 RAM、CeRAM和基于碳納米管的存儲器 - 但這些預期不會在 Yole 預測的期間進入任何重要的市場。

嵌入式 NVM 市場將取得最大的成功，在 2020 至 2026 年，復合年增長率為 110%。這將使市場從2020年的2600萬美元增長到2026年的23億美元。MRAM 在 22nm 的領先制造商臺積電和格芯的產(chǎn)品中已經(jīng)處于領先地位，三星的產(chǎn)品為 28nm。UMC 和英特爾正在開發(fā)嵌入式 MRAM。

到 2026 年，MRAM 將提高其在嵌入式 NVM 市場的持有率，達到 76%，而 PCM 將只占該市場的 2%。ST微電子在汽車中的 NVM 應用正在得到支持。

獨立 NVM 市場已經(jīng)比嵌入式 NVM 市場大，但增長速度會變慢。從2020年的5.95億美元增長到2026年的33億美元左右，復合年均增長率為33%。

在這一領域，PCM 已經(jīng)以 90% 的市場份額占據(jù)主導地位，這要歸功于英特爾與服務器 CPU 捆綁銷售的 3D XPoint 產(chǎn)品。一些人認為英特爾正在出售這些存儲業(yè)務。在未來五年內(nèi)，MRAM 和 ReRAM 只會逐漸從 PCM 中獲得更多市場份額。

獨立的新興 NVM 市場將驅(qū)動低延遲存儲和持久內(nèi)存。英特爾推出了使用 3D XPoint 制造的固態(tài)硬盤，其中包括奧爾德流固態(tài)硬盤。這是第一個使用具有四個堆疊 PCM 層的第二代 3D XPoint 產(chǎn)品。

用于低延遲存儲的 STT-MRAM 芯片的銷售“坡道”比預期要長。Yole說，基于 ReRAM 的固態(tài)硬盤可能會基于下一代協(xié)議（如 CXL 和 Gen-Z）推出，但這些協(xié)議尚未成熟。

Yole 對新興 NVM 的熱情是基于過去 12 個月的數(shù)據(jù)得出的。

索尼推出了GPS芯片，包括三星使用28nm FDSOI制程工藝為其制造的嵌入式MMAM。Yole說，這些設計已經(jīng)用于華為智能手表。安比克在臺積電22nmULL上推出了低功耗MMAM MCU。許多基于 eMRAM 的設備將在 2021 年進入批量生產(chǎn)，包括 GreenWave 的 AI 處理器，這些處理器使用 Globalfoundries 的 eMRAM技術制造（22nm FDSOI）。

2020 年，采用嵌入式 RRAM （eRRAM） 的產(chǎn)品也進入市場，Nuvoton 推出了具有 40nm OxRAM 的 IC 設備，用于安全應用。Nuvoton技術公司于2020年以2.5億美元收購了松下公司的半導體業(yè)務。松下已經(jīng)在市場上擁有40nm的產(chǎn)品，并已經(jīng)與UMC合作進行制造。
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