圖1所示，PFC旁路二極管D2的作用是什么，已經(jīng)是一個是老生常談的事，今天我們來好好的討論下。

圖1

網(wǎng)上有這么幾種說法：

01

當(dāng)啟動的時候，沖擊電流是從D2流過，D2是慢管耐沖擊電流比較大，D1是快管，會損壞二極管。

對于這一個觀點，我覺得是次要原因，因為我們隨意找一個600V/10A的快管，他的沖擊電流也不小的，如下圖所示120A：

圖2

我們電源一般的要求沖擊電流時不會允許這么大，一般我們都會在輸入回路里面加NTC，這就會大大的減小了沖擊電流，還有就時沒有D2，開機的瞬間L1時會串在里面，L1時有一定的感抗，這樣沖擊電流應(yīng)該會更小，更不能說明時保護D1的作用了。

在這里好像有點說不過去，難道這種說法時錯誤的嗎？？應(yīng)該也不會。據(jù)我所知道是以前時沒有這個二極管的，后來隨著技術(shù)的的發(fā)展而加上的。

原因是CCM模式的PFC二極管的反向恢復(fù)電流太大，損耗比較大，PFC mos管的溫升高，效率做不上去，技術(shù)的發(fā)展碳化硅二極管的應(yīng)用開始流行在CCM模式里面，碳化硅二極管與普通的快恢復(fù)的二極管優(yōu)勢很明顯，我們有做個實驗用普通的快恢復(fù)二極管做的500W。

PFC就換一個碳化硅，輸出功率不變的情況下，輸入會少7W，效率明顯提升很多，雖然成本上去了，但是散熱成本降下來了，綜合來看，成本上升很小，但是正確效率提升是一個大的亮點，這有點扯題外話了。碳化硅二極管的特性是耐沖擊電流太小。

圖3

如下圖就是碳化硅的參數(shù)

圖4

從上圖中我明顯看到碳化硅的沖擊電流只有30.5A還是在25攝氏度的是，高溫下更低。隨碳化硅二極管的應(yīng)用，D2就必須的用。

02

看上面的描述。感覺是不用碳化硅就不需要了用了？臨界模式下PFC都是快恢復(fù)的二極管，應(yīng)該不用也可以，我有實驗過不用，反復(fù)開機沒有任何問題。但是很多工程師會有一下的疑問。

圖5所示：

如果沒有旁路二極管D2，開機時的沖擊電流比較大直接流過PFC電感L1，現(xiàn)在很多的PFC電感是鐵氧體的磁芯，會出現(xiàn)飽和現(xiàn)象，有了D2可以起到一個很好的保護作用。

乍一聽好像是這樣，但是仔細想想，當(dāng)沖擊電流來的時候電感飽和又會怎么樣了，因為這個時候我們的PWM還沒有輸出，就算飽和了也沒有事情，等我們的PWM發(fā)出的時候，電感已經(jīng)恢復(fù)了。

圖5

這是一個我們值得深思的問題，感覺不用是可以的，是不是大家看到CCM模式有用就隨大眾加了，真的是這樣嗎，我想當(dāng)然是不可能的。

這個D2的出現(xiàn)還有一個非常大的原因就是隨電源技術(shù)的發(fā)展，各種可靠性實驗越來越多，其中的雷擊實驗是越來越嚴酷，現(xiàn)在有些客戶可能要求差模與共模都是10KV 內(nèi)阻2歐姆，在這么嚴酷的實驗要求下，D2就應(yīng)運而生了。當(dāng)我說到這里的時候有很多的工程師都來知道怎么回事了，特別是經(jīng)常做雷擊實驗的工程師肯定是深有體會。下面我們來分析是什么原因。

圖6

如圖6所示，當(dāng)PWM驅(qū)動波形是高電平時，MOSFET打開，電流從L1流入MOSFET ，這時候MOSFET雷擊的浪涌電流正好發(fā)生，那么一個很大的電流將進入L1與MOSFET，L1會出現(xiàn)飽和，一但飽和，我們的電感就相當(dāng)與短路，那MOS管Q1上的壓降等于輸入電壓，因為MOS管時在開通狀態(tài)，現(xiàn)在的MOS管等于是一很小的電阻，一般都是mΩ級別，那MOS管的電流一定會過應(yīng)力而損壞MOSFEG。

有人會問我的L1電感非常強壯，不會出現(xiàn)飽和，這種可能性太小了，雷擊浪涌實驗感應(yīng)過來的電流一般都是幾百上千安培，你的有多大的電感，假設(shè)這種情況成立，L1上可以承受這么大的電流，電感上的自感電動勢也非常高，會使得A點電壓過高，也有會使整流橋電壓過應(yīng)力損壞。

圖7

03

還有一種說法在網(wǎng)上可以查到：

不加旁路二級管，如果功率MOSFET發(fā)生失效，那么，發(fā)生失效的條件通常是：輸出滿負載，系統(tǒng)進行老化測試、輸入掉電測試以及輸入AC電源插拔的過程中。

在上述條件下，輸入電壓瞬態(tài)的降到較低值或0V，由于輸出滿載，PFC輸出大電容的電壓VBUS迅速降低到非常低的值，PFC控制IC的VCC的電容大，VCC的電流小，因此，VCC的掉電速度遠遠小于VBUS的掉電速度，VCC的掉電速度慢，只要VCC高于PFC控制IC的VCC的UVLO，那么PFC控制IC仍然在工作。

當(dāng)VCC的值比UVLO稍高一點時，輸入電源AC再加電，PFC控制IC沒有軟起動過程直接工作，由于輸出電壓比較低，特別是在輸入正弦波峰值點附近開通功率MOSFET，PFC電感和功率MOSFET的工作峰值電流非常大，如果電感的飽和電流余量不夠，或PFC的電流取樣電阻選取得過小時，PFC電感有可能發(fā)生飽和，功率MOSFET在大電流的沖擊下，就有可能發(fā)生損壞。

同時，功率MOSFET的VGS電壓比較低，約等于PFC控制IC的VCC的UVLO電壓，如果功率MOSFET的飽和電流比較低，就有可能會進入線性區(qū)工作，更容易導(dǎo)致功率MOSFET線性區(qū)工作而損壞。

如果電流取樣電阻RS在功率MOSFET的驅(qū)動回路中，就是PFC控制IC的地，沒有直接連接到功率MOSFET的源極S，功率MOSFET的VGS實際電壓為：

VGS=VCC-VDRH-VRS

其中，VDRH為PFC控制IC內(nèi)部圖騰柱上管的導(dǎo)通壓降

上面這種說法有一定的道理，但是我覺的還是一些次要原因，我們在實驗室里面110VAC老化的過程中，可以通過source90°相位來切換電壓到230V，只是可以明顯看到我們的PFC會過流的，但是我過流點做好了是不會出現(xiàn)上面說的損壞MOS管的情況。

責(zé)任編輯：lq