當今美國的政策空間

幾十年來，美國的半導體市場已經(jīng)占到了全球份額的45%到50%。目前，全球半導體市場中約 47%為美國產(chǎn)品;美國出口的芯片共計460億美元，與飛機、汽車、原油和精煉油并列為美國五大出口產(chǎn)品。

盡管美國取得了開拓性的成就、構成了強大的知識產(chǎn)權結構，擁有了前沿的公司，然而美國卻不再具備在半導體制造領域的競爭力。1993 年，美國制造業(yè)負責生產(chǎn)全球 37%的半導體芯片，但最終只產(chǎn)出了 12．5%。此外，美國境內(nèi)只有6%的全球新產(chǎn)能。

對于中國在新興技術和關鍵技術領域崛起的問題，美國國會表現(xiàn)出了高度關注。

2020年6月，美國參議院提出兩項新法案，分別為《為半導體生產(chǎn)創(chuàng)造有效激勵措施法案》（CHIPS for America Act，簡稱《創(chuàng)造案》）和《美國晶圓 代工業(yè)法案》（American Foundries Act，簡稱《工業(yè)案》），以促進美國半導體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)代化進程。

這兩項法案值得關注的原因在于，它們是旨在指導美國半導體產(chǎn)業(yè)基礎更新的產(chǎn)業(yè)政策的一部分。

為半導體生產(chǎn)創(chuàng)造有效激勵措施法案 ：增強美國半導體產(chǎn)業(yè)基礎

該法案于2020年6月10日首次提議，即《為半導體生產(chǎn)創(chuàng)造有效激勵措施法案》，其中主要包括以下內(nèi)容：

（1）為到 2024 年的合格半導體設備（投入使用）或任何合格的半導體制造設施投資支出創(chuàng)建 40%的可退款投資稅信貸。ITC 在 2025 年降至30%，在2026 年降至20%，并在2027年逐步淘汰。

（2）指示商務部部長制定一項100億美元的聯(lián)邦匹配計劃，以配合州和地方提供給公司的激勵措施，目的是建立具有先進制造能力的半導體制造廠。

（3）創(chuàng)建新的NIST半導體計劃，以支持美國的先進制造。該計劃的資金還將用于支持 STEM 員工發(fā)展、生態(tài)系統(tǒng)集群、美國5G領導力以及先進的組裝和測試。

（4）授權國防部對與半導體技術相關的計劃、項目和活動進行研究、開發(fā)、勞動力培訓、測試和評估，并指導計劃的實施，以利用《國防生產(chǎn)法案》第三章所規(guī)定的資金建立和改善國內(nèi)半導體生產(chǎn)能力。

（5）要求商務部部長在 90 天內(nèi)完成報告，評估美國工業(yè)基礎的實力，根據(jù)供應鏈的全球化性質(zhì)以及美國工業(yè)基礎之間的相互依賴關系，以評估國防能力。

（6）與外國政府合作伙伴達成協(xié)議形成聯(lián)盟，在十年內(nèi)建立一個7．5億美元的信托基金，以促進微電子相關政策的一致性，提高微電子供應鏈的透明度和非市場經(jīng)濟的政策一致性。

（7）指示總統(tǒng)通過國家科技委員會建立了半導體領導小組委員會，負責制定國家半導體研究戰(zhàn)略，并協(xié)調(diào)半導體研發(fā)，以確保美國在半導體技術和創(chuàng)新領域的領導地位，這對美國的經(jīng)濟增長和國家安全至關重要。

（8）創(chuàng)建新的研發(fā)分支，以確保美國在半導體技術和創(chuàng)新方面的領導地位，這對美國經(jīng)濟增長和國家安全至關重要：

①20億美元用于實施美國國防高級研究計劃局的“電子復興計劃”。

②30億美元用于在國家科學基金會實施半導體基礎研究項目。

③20億美元用于實施能源部的半導體基礎研究計劃。

斥資50億美元在美國商務部之下建立了先進組裝國家制造研究所，以確立美國在先進微電子組裝領域的領導地位，并與私營部門進行協(xié)調(diào)，以促進標準制定，建立公私部門的合作關系，制定研發(fā)計劃以提高技術水平，成立一個投資基金（5 億美元）以支持國內(nèi)先進的微電子組裝生態(tài)系統(tǒng)，并與勞工部長合作制定勞動力培訓計劃和先進微電子組裝能力的學徒計劃。

該法案禁止外國擁有由這一舉措所資助的任何生產(chǎn)或研發(fā)項目，禁止政府撥款的任何接受者與中國和其他國家就技術或產(chǎn)品進行聯(lián)合研究，并授權商務部長在確定接受方公司違反了本款時收回撥款。

美國晶圓代工業(yè)法案 ：強化美國半導體的領導地位

《美國晶圓代工業(yè)法案（AFA）》，這是以250億美元的聯(lián)邦投資支持美國半導體制造業(yè)。這項立法的政策目標是強化美國半導體的領導地位，并打擊中國對半導體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)投資。

如果獲得通過，該法案將：

（1）授權州政府扶植新的生產(chǎn)力量：每個州可獲得高達 30 億美元的聯(lián)邦資金，以說服一家半導體公司為所有配套流程（包括培訓）建造鑄造廠和設施。

（2）授權每年為微電子研究提供50億美元的聯(lián)邦資金：在國防高級研究計劃局（DARPA）電子復興倡議下，計劃在 2021 年投入20億美元資助微電子研究，用150億美元資助國家科學基金，125億美元撥給能源部，25億美元在國家標準與技術研究所，這些數(shù)額將一直保持到 2031 年9月30日。

（3）該法案還要求在總統(tǒng)國家科學技術委員會協(xié)調(diào)下起草國家微電子研究發(fā)展計劃，并由行業(yè)咨詢委員會提供投入。

結尾

對于我們本土而言，要利用“雙軌”視角分析美國政策。當我們考慮美國政府為限制中國半導體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)擴張和發(fā)展并提高其自身的產(chǎn)業(yè)能力而采取的行動時，必須使用“雙軌”視角看待這一現(xiàn)象。

因為美國既通過減少對中國芯片的需求和供應創(chuàng)造了機會，同時又增加了半導體生產(chǎn)的技術能力。

目前是美國半導體產(chǎn)業(yè)的反應良好，一些亞洲和美國的領先半導體公司已經(jīng)表示愿意參加美國的產(chǎn)業(yè)政策。但是沒有私營部門的合作，這兩項法案將無法產(chǎn)生預期的結果。

責任編輯：lq6