近日，「第22屆高效電源管理及功率器件論壇」在深圳落下帷幕。Power Integrations作為演講企業(yè)出席了本次論壇，并由AC-DC產(chǎn)品線現(xiàn)場應用工程師符再興先生擔任講師，為大家分享了近段時間PI在實現(xiàn)小型充電器的高效率和高功率密度方面的研究成果。

符再興先生在演講中表示，目前快充充電器實現(xiàn)小型化的最大痛點就是效率，但反激開關(guān)電源技術(shù)已經(jīng)發(fā)展多年，想要進一步大幅提升效率非常難。如果需要極致提升效率，則需要不斷的優(yōu)化電路設計，精確控制每一個參數(shù)，確保每一個器件都達到最佳的性能。這也是PI InnoSwitch3系列芯片的優(yōu)勢所在，其內(nèi)置的SenseFET無損檢測電路，相比傳統(tǒng)分立器件的原邊檢測能夠降低一些損耗，對提升效率很有幫助。

同時，PI InnoSwitch3芯片還集成了FluxLink技術(shù)，這項技術(shù)可以實現(xiàn)初級和次級的實時通信，從而通過次級控制器控制原邊的開關(guān) ，從而最大程度的實現(xiàn)同步整流MOS導通時間，實現(xiàn)最佳效率。

并且得益于集成化的設計，所以在同功率輸出的情況下，使用InnoSwitch3系列開發(fā)的產(chǎn)品較常規(guī)方案將節(jié)省十幾顆外圍器件，這也是充電器實現(xiàn)小型化設計的前提條件。

氮化鎵在近幾年成為了快充市場的寵兒，PI也順勢推出了內(nèi)置GaN功率器件的PowiGaN系列。得益于PowiGaN開關(guān)擁有更低的RDS（ON）和開關(guān)損耗，可實現(xiàn)效率顯著提升。據(jù)符再興先生介紹，PowiGaN系列芯片在設計之初便對氮化鎵的驅(qū)動電路進行了優(yōu)化，所以電源工程師在產(chǎn)品開發(fā)時無需擔心驅(qū)動難調(diào)、EMI難調(diào)、電路布局不好處理等問題，極大程度的降低了氮化鎵快充電源的設計難度。

符再興先生還提到，采用氮化鎵技術(shù)并不是實現(xiàn)充電小體積的唯一方式，因為當充電器工作頻率很低時，適當提升開關(guān)頻率，變壓器的體積會得到大幅減?。坏绻^續(xù)提高工作頻率，變壓器的體積變化并不會特別明顯。

所以除了PowiGaN之外，PI還推出了MinE-CAP系列解決方案。這也是最新推出的PowiGaN IC，通過高耐壓電容和低耐電容的搭配使用，可以將原有傳統(tǒng)設計中大電容的尺寸減小50％左右，為超小型、高效率電源的設計帶來了全新方法。

當然，除了精彩的技術(shù)分享外，PI展臺也同步亮相了諸多經(jīng)典的PowiGaN快充電源參考設計，并吸引了眾多行業(yè)工程師駐足交流。
編輯：lyn