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前言

上文中，我們介紹了DDR芯片的物理層及協(xié)議測試，本文我們繼續(xù)給大家揭秘如何利用是德科技的ADS仿真軟件輔助進行DDR的電路仿真，驗證和分析。

是德科技ADS簡介

是德科技PathWave Advanced Design System (ADS) 是一款最可信賴的仿真、驗證和分析解決方案，通過特有的電磁及DDR總線仿真器，精確提取完整鏈路的特性，表征從controller到memory的性能結果。幫助工程師減少設計風險，減少迭代次數(shù)。

ADS主要特性：

通過DDR Sim和Transient兩種仿真器，獲得眼圖和時域波形等影響。

通過優(yōu)化過的仿真界面，簡化仿真流程，幫助工程師快速搭建仿真結構。

通過SIPro，快速準確的提取PCB電磁參數(shù)。

通過CILD和Via Designer，獲得前仿真模型?？焖俚玫絣ayout約束條件。

準確獲得抖動，串擾，噪聲等因素的影響。

DDR應用設計流程

ADS非常適用于DDR相關應用的設計，通過特有的電磁及DDR總線仿真器，精確提取完整鏈路的特性，表征從controller到memory的性能結果，減少設計風險及迭代次數(shù)。

采用ADS的設計流程如下所示：

圖：是德科技DDR相關應用設計流程示意

在上圖中所示的各個流程中，ADS均具備獨特的優(yōu)勢，如下我們?yōu)榇蠹曳謩e介紹：

芯片AMI建模：

ADS Memory Designer中內置了專門用于DDR5的AMI模型的創(chuàng)建模塊。通過向導式的界面，將均衡的算法自動生成AMI模型。

前仿真模型設計

ADS CILD是可以參數(shù)化生成傳輸線模型，支持差分，單端，寬邊耦合等的微帶線，帶狀線以及共面波導。

通過分析功能可以快速對設置好的傳輸線進行EM仿真，獲得阻抗，損耗，反射，延時等信息。通過優(yōu)化功能，預設目標阻抗。通過軟件直接自動對某一參數(shù)進行優(yōu)化，獲得滿足目標阻抗要求的結果。通過掃描功能，對多個參數(shù)進行掃描，獲得不同參數(shù)影響下的傳輸線特性。通過統(tǒng)計功能，將工藝誤差等因素考慮其中，仿真獲得誤差影響下的傳輸線特性，可用于良率分析以及誤差控制。

而設計的結果可以生成模型用于ADS原理圖仿真，驗證整體通道特性，同時，也可以保留參數(shù)變量用于ADS原理圖中參數(shù)掃描。

Via Designer可以通過參數(shù)化，生成過孔模型，支持單端，差分等各類通孔，盲孔，埋孔，微孔，支持背鉆功能及過孔陣列。通過FEM算法獲得過孔S參數(shù)及TDR信息，也可以一鍵調用EMPro并自動生成對應三維模型，用于后續(xù)更為復雜的編輯及仿真。

其通過參數(shù)化建模，大大節(jié)約過孔建模所需時間。而通過FEM仿真，可以得到十分精確的過孔S參數(shù)和TDR結果。同時，通過預設配置信息，簡化仿真設置步驟。仿真結果可以生成模型用于ADS原理圖仿真，驗證整體通道特性，同時，也可以將其一鍵導出可編輯的三維結構，用于EMPro進行編輯，仿真等。

DDR通道仿真（前仿及后仿）

ADS Memory Designer是ADS中專門針對DDR仿真定制的組件，可以減小DDR仿真的復雜度，同時保證DDR仿真的效率和精度。

在Memory Designer中，只需要一張原理圖便可以分別進行通道和瞬態(tài)仿真，如下圖所示：

圖：Memorydesigner 仿真原理圖

DDR bus低誤碼率的仿真流程如下圖所示：

圖：DDR BUS 低誤碼率仿真流程

此外，Memory Designer 中的DDR BUS 仿真器，使用通道仿真技術，根據(jù)信號的上升與下降，提取對應的階躍響應，快速精確的仿真出DDR眼圖及波形。同時可以將抖動，串擾，均衡等因素都考慮其中，而Batch simulation和前仿真模型的使用，可以在layout前期分析各種參數(shù)對DDR設計性能的影響。

基于Keysight 成熟的通道仿真算法，Memory Designer可以準確預測在低誤碼率情況下的抖動對信號的影響。并將當DQ 與DQS 存在時間差時，由于trigger傳聲的抖動追蹤現(xiàn)象進行分析，如下圖的案例。