當今世界,手機,筆記本電腦等移動設備正在改變著人們的生活。對于這些設備的適配器,人們總是希望能做到小巧輕便,充電快速。為此,各大廠商近期爭相推出超小體積快充。
01為什么需要同步整流?
從電源工程師的角度來看,充電速度快意味著更大的輸出電流和更多的發(fā)熱。而體積小巧則意味著更小的散熱面積。在這二者雙重作用下,熱的問題變得棘手。
我們以常用的反激拓撲為例,假定系統(tǒng)輸出規(guī)格為5V 4A,那么流過副邊二極管的平均電流是4A。假設二極管的導通壓降是0.7V,在二極管上形成的導通損耗是2.8W,簡直熱爆了。系統(tǒng)在這種情況下長期工作,會嚴重影響可靠性和用戶使用體驗。
遇到這種問題,工程師們自然想到,如果用MOS管代替副邊輸出二極管,當副邊續(xù)流的時候把副邊MOS管打開,使其工作在同步整流模式。由于MOS的導通阻抗很小,續(xù)流過程中發(fā)熱量就很小。以導通阻抗10mΩ的MOS為例,當輸出電流4A時,MOS導通損耗僅為0.16W。發(fā)熱量被大大降低。
02同步整流如何實現(xiàn)供電?
我們都知道,對于NMOS,如果要在續(xù)流的過程中將MOS管打開就需要在G上提供高于S的電壓。而在續(xù)流的過程中,副邊的最高電壓就是S點的電壓。
如何才能提供一個高于S的電壓呢?
工程師們當然能想到用輔助繞組,如上圖采用額外的繞組給副邊MOS的驅動供電。但這種方式需要增加一個變壓器繞組和驅動電路,增加的系統(tǒng)的復雜度和成本。
那么,有沒有不需要輔助繞組的方案呢?

如上圖,如果我們把MOS管放到副邊輸出的低端,可以借助輸出電壓給MOS管供電。這種方式看似完美,但實際上MOS放在低端往往會造成系統(tǒng)的EMI表現(xiàn)更差。同時如果輸出電壓較低,就不足以為MOS的驅動提供足夠的電壓,因此無法在低壓輸出場合應用。
有沒有既不需要輔助繞組,又能適應不同輸出電壓應用,同時也要保證系統(tǒng)EMI表現(xiàn)較好的方案呢?
好一個靈魂三連問。答案是:當然有!
以MPS公司的MP9989為例。
它可以直接放在輸出的高端,可支持低壓輸出,并且外圍電路非常簡單,我們稱之為理想二極管。
MP9989的秘密武器就是它里面的自供電電路。
當厡邊MOS打開時,MP9989的MOS管反向截止,此時VDS出現(xiàn)正壓,MP9989內(nèi)部的自供電電路會給VDD電容充電。當厡邊MOS關斷時,由于VDD電容已經(jīng)被儲能,此時VDD可以為驅動電路供電,保證副邊MOS的順利打開。
除此之外,隨著USB PD越來越普及,輸出的電壓范圍越來越寬。較高的輸出電壓會給芯片的耐壓帶來挑戰(zhàn)。以MP9989為例,內(nèi)置100V的MOS,為寬范圍設計提供足夠裕量。
03如何決定同步整流的開通時機?
有了自供電電路,為副邊MOS管的開通提供了必要條件。接下來面臨的問題是我們?nèi)绾螞Q定同步整流管的開通時機呢?
以MP9989為例,當反激厡邊MOS關斷時,副邊MOS將會通過體二極管續(xù)流,VDS電壓將會從正壓轉變?yōu)?0.7V。當芯片檢測到這個電壓轉變后將會打開副邊MOS管,完成續(xù)流。
但是,當反激電源工作在斷續(xù)模式時,會帶來新的挑戰(zhàn)。如上圖是斷續(xù)模式下VDS電壓和副邊電流波形。當副邊續(xù)流結束后,MOS管關閉。我們看到此時VDS電壓出現(xiàn)震蕩。某些工況下,VDS震蕩的幅值會比較大,甚至會震蕩到0。此時副邊同步整流電路很容易誤將續(xù)流MOS管打開,造成系統(tǒng)異常。
那么MPS是如何解決這一問題的呢?
時間就是我們的秘密武器!
對比原邊MOS關斷瞬間和DCM震蕩時的VDS波形,我們可以看到,震蕩條件下VDS的電壓變化遠遠慢于正常開通時的電壓變化。根據(jù)這一區(qū)別,MPS在芯片內(nèi)部加入了電壓變化率的判斷。以MP9989為例,當副邊VDS下降到2V時,內(nèi)部時鐘開始計時,如果VDS電壓沒有在30ns以內(nèi)下降到-80mV,我們就認為這并不是正常的開通信號,此時芯片維持關斷狀態(tài)。這樣可以有效地避免震蕩導致的誤導通。
04如何實現(xiàn)同步整流的可靠關斷?
解決了何時導通的問題,我們迎來了另一個挑戰(zhàn)——何時關斷。
從原理上講,我們總是希望做到當厡邊MOS打開的同時關閉副邊的MOS,但是由于厡副邊之間并沒有通信機制,因此副邊MOS很難及時響應厡邊MOS的導通信號。
工程師們一定能想到,可以利用勵磁電感的伏秒平衡來計算出關斷時刻,常用的伏秒平衡方案示意圖如下。沒錯,理論上根據(jù)副邊MOS的導通時間,可以計算出關斷時間,從而知道何時關閉副邊MOS。

但是,當負載跳變時,為了穩(wěn)定輸出電壓,原邊繞組的磁通會相應改變。在動態(tài)調(diào)節(jié)過程中,伏秒平衡是不成立的。因此容易導致動態(tài)過程中副邊MOS管不能及時關斷,從而出現(xiàn)短路。
除此之外,伏秒平衡原理需要采樣開通和關斷狀態(tài)下的變壓器勵磁電感電壓。電壓采樣電阻的精度和寄生參數(shù)引起的電壓震蕩都會導致伏秒平衡計算出現(xiàn)誤差,從而嚴重影響可靠性。
重要的事情再重復一遍!??!
伏秒平衡只在穩(wěn)態(tài)條件下成立,動態(tài)情況下容易誤動作,造成短路
VP,VS 采樣受外圍電阻精度影響,帶來計算誤差
寄生參數(shù)帶來的震蕩造成VP采樣不準,導致計算誤差
那么MPS是如何解決這一問題的呢?
答案是快速關斷技術!
該技術動態(tài)調(diào)整同步整流MOS管Gate電壓。以MP9989為例,當VDS由正壓快速轉變?yōu)樨搲簳r,經(jīng)過開通延時MP9989 的MOS管打開進行續(xù)流。
這段時間內(nèi),副邊續(xù)流電流較大,VDS的電壓等于電流乘以導通阻抗。隨著續(xù)流電流的下降,VDS電壓隨之下降,如下圖。
當VDS達到40mV后,隨著電流的繼續(xù)下降,MP9989會動態(tài)降低Gate驅動電壓,增大導通阻抗,將VDS壓降控制到40mV,如下圖。此時MOS管已經(jīng)進入半導通狀態(tài),Gate電壓處于較低水平。
到下一個工作周期,反激原邊的MOS管開通時,副邊MOS管Gate可以由之前的較低的電壓水平快速實現(xiàn)關斷,保證工作的可靠性。在這項技術的加持下,MPS的同步整流產(chǎn)品可以支持600kHz開關頻率,且適應CCM,DCM,準諧振,有源鉗位等反激應用。
看到這里是不是覺得一顆簡單的同步整流芯片竟凝聚了MPS如此多的創(chuàng)新?
原文標題:【短視頻】MPS 電源小課堂第九話:副邊同步整流,讓開關電源精致到無溫度修改
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