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VHF頻段的輻射限值超標(biāo)的對(duì)策解析

電磁兼容EMC ? 來(lái)源:電磁兼容EMC ? 作者:電磁兼容EMC ? 2021-05-28 15:46 ? 次閱讀
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我們是做汽車(chē)電子產(chǎn)品的,此次分享的這個(gè)案例是針對(duì)車(chē)廠EMC CISPR25 CLASS3基準(zhǔn)而進(jìn)行整改的案例。

我們根據(jù)車(chē)廠要去在進(jìn)行EMC輻射實(shí)驗(yàn)的時(shí)候,當(dāng)做到了VHF頻段(142-175Mz)的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)了144MHz這個(gè)頻點(diǎn)超出限值的要求。

144MHz 限值要求:27dB以下 實(shí)測(cè)數(shù)值:30.07dB 超出限值 3.07dB

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圖1

圖1所示為我公司產(chǎn)品的外部接續(xù)圖,分別外掛了電源線(xiàn)/USB線(xiàn)/GPS Radio線(xiàn)/倒車(chē)影像線(xiàn)/MIC線(xiàn)束,由于VHF頻段(142-175Mz)的輻射頻段范圍屬于1G以下,根據(jù)CISPR 25的要求這個(gè)頻段的測(cè)試,天線(xiàn)應(yīng)該是對(duì)準(zhǔn)harness延長(zhǎng)線(xiàn)束的,所以我們第一步想到noise的來(lái)源可能是通過(guò)線(xiàn)束傳導(dǎo)后對(duì)外輻射出的,為了找到噪音源我們將相關(guān)線(xiàn)束以連接與非連接的方法進(jìn)行排除測(cè)試,來(lái)判斷noise的來(lái)源。

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圖3

(MIC線(xiàn)束非連接狀態(tài)下的測(cè)試結(jié)果)

根據(jù)圖3的檢證結(jié)果,我們可以得出MIC線(xiàn)束非連接狀態(tài)的時(shí)候是有很大改善的,和限值相比較的話(huà),有很大的富裕量。我們推測(cè)noise有可能是通過(guò)MIC線(xiàn)束輻射出來(lái)的,后續(xù)根據(jù)MIC連接器以及所涉及到回路,我們繼續(xù)進(jìn)行深入的調(diào)查。

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圖4

圖4所示為MIC回路的block圖,根據(jù)圖1最初的測(cè)試結(jié)果來(lái)看,這種有規(guī)律的noise的發(fā)生,我們嘗試首先從MIC檢知控制信號(hào)入手分析,是否此信號(hào)的基板走線(xiàn)和其他的信號(hào)重疊或者交叉導(dǎo)致串?dāng)_的發(fā)生,進(jìn)而導(dǎo)致了nosie的發(fā)生。

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圖5為我們的PCB基板示意圖,用紅色粗線(xiàn)描繪出了MIC檢知信號(hào)從連接器端口進(jìn)入到主芯片的路徑,在這段路徑上我們發(fā)現(xiàn)MIC檢知信號(hào)與I2S的通信信號(hào)有一段是在基板內(nèi)層平行交叉的,根據(jù)通常的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)來(lái)看,兩組信號(hào)走線(xiàn)的時(shí)候需要避免交叉的,即使平行走線(xiàn)的話(huà)也需要確保有0.5mm的距離間隔,上述走線(xiàn)并沒(méi)有遵循這個(gè)基準(zhǔn)。

我們知道在基板走線(xiàn)密度很高時(shí)串?dāng)_的影響尤其嚴(yán)重。線(xiàn)性無(wú)源系統(tǒng)滿(mǎn)足疊加定理,如果受害線(xiàn)上有信號(hào)的傳輸,串?dāng)_引起的噪聲會(huì)疊加在受害線(xiàn)上的信號(hào),從而使其信號(hào)產(chǎn)生畸變。串?dāng)_形成的根源在于耦合。在多導(dǎo)體系統(tǒng)中,導(dǎo)體間通過(guò)電場(chǎng)和磁場(chǎng)發(fā)生耦合。這種耦合會(huì)把信號(hào)的一部分能量傳遞到鄰近的導(dǎo)體上,從而形成噪聲。本次不良我們認(rèn)為可能是發(fā)生了容性耦合,走線(xiàn)之間的電容與走線(xiàn)之間的間距密切相關(guān),當(dāng)間距減小(甚至重合的時(shí)候),耦合電容迅速增大,進(jìn)而耦合作用急劇增加,

為了驗(yàn)證這個(gè)噪音是否是由于平行交叉走線(xiàn)造成的串?dāng)_,我們使用頻譜分析儀對(duì)圖5的三個(gè)位置進(jìn)行了測(cè)試,根據(jù)測(cè)試結(jié)果很好的驗(yàn)證了我們的推測(cè),沒(méi)有與I2S交叉的地方144MHz noise的輻射數(shù)值很低(5dB左右),交叉位置以及交叉后的走線(xiàn)位置144 MHz的輻射量分別達(dá)到了(30dB和20dB左右),

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圖6

如圖6所示,噪音源的來(lái)源有可能是主芯片周邊的晶振工作時(shí)候所產(chǎn)生的倍頻導(dǎo)致的。由于產(chǎn)品已經(jīng)到了小規(guī)模量產(chǎn)的階段,很多的認(rèn)證實(shí)驗(yàn)以及信賴(lài)性實(shí)驗(yàn)也都進(jìn)行完了,這個(gè)階段如果改動(dòng)基板走線(xiàn)的話(huà),成本相對(duì)會(huì)很高,我們想嘗試著看看可否在連接器附近追加電容把這個(gè)噪音源濾除掉,于是我們進(jìn)行了仿真實(shí)驗(yàn)。

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圖7

如圖7所示,我們?cè)谶B接器側(cè),之前基板上有個(gè)預(yù)留的未實(shí)裝的電容位置上追加了100pF的貼片電容,從仿真效果來(lái)看有了20dB的改善,我們進(jìn)一步又通過(guò)頻譜分析儀進(jìn)行了再次確認(rèn),實(shí)測(cè)結(jié)果來(lái)看有了18dB的改善效果。

96edacea-be38-11eb-9e57-12bb97331649.png

100p追加前

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100p追加后

作為副作用檢證我們又對(duì)通信波形進(jìn)行了測(cè)試,滿(mǎn)足規(guī)格值要求,同時(shí)變更前后沒(méi)有劣化。顧客拿到樣機(jī)后,針對(duì)CISPR 25又重新進(jìn)行了測(cè)試,從反饋的結(jié)果來(lái)看,VHF這個(gè)頻段144MHz noise的問(wèn)題得到了解決(6dB以上余量確保)。

編輯:jq

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原文標(biāo)題:MC解析案例分享-----VHF頻段的輻射限值超標(biāo)的對(duì)策解析[20210525]

文章出處:【微信號(hào):EMC_EMI,微信公眾號(hào):電磁兼容EMC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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