6月17日午間，彭博社突然傳出消息，中國將加強對美國的芯片競爭，中國將支持芯片研發(fā)和制造項目包括擬定一系列相關(guān)金融和政策扶持措施，幫助國內(nèi)芯片制造商克服美國制裁的影響。

據(jù)彭博社報道，該計劃已預(yù)留約1萬億美元的政府資金，其中一部分將由中央和地方政府共同投資一系列第三代芯片項目，項目內(nèi)容還包括發(fā)展中國大陸本土芯片設(shè)計軟件和極紫外光（EUV）光刻機。

雖然消息的可靠性存疑，且“一萬億美元”的投資金額過于駭人，但是也側(cè)面反映了中國發(fā)展包括第三代半導(dǎo)體在內(nèi)的半導(dǎo)體尖端領(lǐng)域的決心！

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈可以簡單分為從襯底到薄膜外延和器件制造，再到模組及終端應(yīng)用。襯底目前主要為SiC襯底和Si襯底兩種。通過在襯底上進行外延及加工，可得到SiC器件、GaN-on-Si器件、GaN-on-SiC器件以及目前非主流的全氮化鎵器件，主要應(yīng)用于電子電力、微波射頻等領(lǐng)域。

隨著中國新基建的快速興起，中國第三代半導(dǎo)體市場規(guī)模在未來幾年內(nèi)呈現(xiàn)噴薄式的發(fā)展。

第三代半導(dǎo)體技術(shù)、材料、設(shè)備與市場論壇2021將于6月23-24日在長沙召開。會議將探討全球與中國第三代半導(dǎo)體市場及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇，中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策與項目規(guī)劃，芯片產(chǎn)能供需與第三代半導(dǎo)體市場，第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢，SiC PVT長晶技術(shù)&液相法的現(xiàn)狀及發(fā)展，新基建相關(guān)產(chǎn)業(yè)對第三代半導(dǎo)體的需求，SiC市場以及技術(shù)發(fā)展難題&解決方案，GaN射頻器件及模塊在5G基站方面的應(yīng)用等。

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