(文/程文智)根據(jù)書本上的定義,兩個相互靠近的導(dǎo)體,中間夾一層不導(dǎo)電的絕緣介質(zhì),就構(gòu)成了一個電容。當(dāng)兩個極板之間加上電壓時,電容就回儲存電荷。
按制造材料的不同可以分為,瓷介電容、滌綸電容、電解電容、鉭電容,聚丙烯電容等等。在不久前的Elexcon國際電子展上,<電子發(fā)燒友網(wǎng)>小編發(fā)現(xiàn)了一款新的電容---硅電容。
根據(jù)村田展臺上的工作人員介紹,硅電容使用了半導(dǎo)體的制造工藝,利用硅材質(zhì)制作而成。它跟普通電容類似,也是上下都是極板,中間是介電層,不同點是介電層使用的是硅材料。

工作人員對電子發(fā)燒友網(wǎng)表示,村田的高密度硅電容通過應(yīng)用半導(dǎo)體的MOS工藝實現(xiàn)了三維化,大幅增加了電容的表面積,從而提高了基板單位面積的靜電容量。具體來說,使用的是干法蝕刻技術(shù)的BOSCH工藝。BOSCH工藝是硅加工特有的技術(shù),它可以讓通過SF6氣體進(jìn)行蝕刻和通過C4F8形成保護(hù)膜高速重復(fù),從而實現(xiàn)高縱橫比蝕刻。
根據(jù)村田官網(wǎng)的介紹,在硅的單晶基板上形成的3D結(jié)構(gòu)上形成單個MIM和多個MIM結(jié)構(gòu)(MIM結(jié)構(gòu)是金屬/電介質(zhì)/金屬的多層結(jié)構(gòu))。

圖:村田硅電容的內(nèi)部3D結(jié)構(gòu)
硅電容的優(yōu)勢
與其他電容,比如說MLCC相比,硅電容有不少好處。因為使用的是硅材料,硅的穩(wěn)定性能比較好,因此硅電容也相應(yīng)具有出色的高頻特性和溫度特性、極低的偏置特性、很高的可靠性,以及低背化等特性。
還有一個優(yōu)勢是,硅電容可以做得更小更薄,標(biāo)準(zhǔn)化的硅電容可以做到100微米,定制化的可以做到40~50微米。
還有值得注意的是硅電容是沒有極性的。

應(yīng)用場景
硅電容可以用在哪些地方呢?由于硅電容的高可靠性、高頻特性及可定制性,它可用于醫(yī)療、光通信、基站和車載市場。村田在本次展會上主要展示的是硅電容在激光雷達(dá)中的應(yīng)用。
按制造材料的不同可以分為,瓷介電容、滌綸電容、電解電容、鉭電容,聚丙烯電容等等。在不久前的Elexcon國際電子展上,<電子發(fā)燒友網(wǎng)>小編發(fā)現(xiàn)了一款新的電容---硅電容。
根據(jù)村田展臺上的工作人員介紹,硅電容使用了半導(dǎo)體的制造工藝,利用硅材質(zhì)制作而成。它跟普通電容類似,也是上下都是極板,中間是介電層,不同點是介電層使用的是硅材料。

工作人員對電子發(fā)燒友網(wǎng)表示,村田的高密度硅電容通過應(yīng)用半導(dǎo)體的MOS工藝實現(xiàn)了三維化,大幅增加了電容的表面積,從而提高了基板單位面積的靜電容量。具體來說,使用的是干法蝕刻技術(shù)的BOSCH工藝。BOSCH工藝是硅加工特有的技術(shù),它可以讓通過SF6氣體進(jìn)行蝕刻和通過C4F8形成保護(hù)膜高速重復(fù),從而實現(xiàn)高縱橫比蝕刻。
根據(jù)村田官網(wǎng)的介紹,在硅的單晶基板上形成的3D結(jié)構(gòu)上形成單個MIM和多個MIM結(jié)構(gòu)(MIM結(jié)構(gòu)是金屬/電介質(zhì)/金屬的多層結(jié)構(gòu))。

圖:村田硅電容的內(nèi)部3D結(jié)構(gòu)
硅電容的優(yōu)勢
與其他電容,比如說MLCC相比,硅電容有不少好處。因為使用的是硅材料,硅的穩(wěn)定性能比較好,因此硅電容也相應(yīng)具有出色的高頻特性和溫度特性、極低的偏置特性、很高的可靠性,以及低背化等特性。
還有一個優(yōu)勢是,硅電容可以做得更小更薄,標(biāo)準(zhǔn)化的硅電容可以做到100微米,定制化的可以做到40~50微米。
還有值得注意的是硅電容是沒有極性的。

應(yīng)用場景
硅電容可以用在哪些地方呢?由于硅電容的高可靠性、高頻特性及可定制性,它可用于醫(yī)療、光通信、基站和車載市場。村田在本次展會上主要展示的是硅電容在激光雷達(dá)中的應(yīng)用。
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