91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

IGBT7與IGBT4兩種典型工況對(duì)比方案

QjeK_yflgybdt ? 來(lái)源:英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 作者:英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2021-10-26 15:41 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

IGBT7作為英飛凌最新一代IGBT技術(shù)平臺(tái),它與IGBT4的性能對(duì)比一直是工程師關(guān)心的問(wèn)題。本文通過(guò)FP35R12W2T4與 FP35R12W2T7在同一平臺(tái)伺服驅(qū)動(dòng)中的測(cè)試,得到了相同工況下IGBT4與IGBT7的結(jié)溫對(duì)比。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在連續(xù)大功率負(fù)載工況與慣量盤(pán)負(fù)載工況的對(duì)比測(cè)試中,IGBT7的結(jié)溫均低于IGBT4。

伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)響應(yīng)速度快,過(guò)載倍數(shù)高,小型化和高功率密度的趨勢(shì)更是對(duì)功率器件提出了更苛刻的要求。英飛凌明星產(chǎn)品IGBT7憑借超低導(dǎo)通壓降、dv/dt可控、175℃過(guò)載結(jié)溫、完美契合伺服驅(qū)動(dòng)器的所有需求。英飛凌—晶川—邁信聯(lián)合研發(fā)基于IGBT7的伺服驅(qū)動(dòng)完整解決方案,可顯著提高功率密度。驅(qū)動(dòng)芯片采用英飛凌無(wú)磁芯變壓器1EDI20I12MH。因?yàn)镮GBT7獨(dú)特的電容結(jié)構(gòu),不易寄生導(dǎo)通,因此可以使用單電源設(shè)計(jì),最大程度上簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。主控MCU采用XMC4700/4800,電機(jī)位置檢測(cè)采用TLE5109,實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)速與位置的精準(zhǔn)控制。

為了對(duì)比IGBT4與IGBT7在伺服驅(qū)動(dòng)中的表現(xiàn),我們使用了同一平臺(tái)的兩臺(tái)伺服驅(qū)動(dòng),分別搭載PIN腳布局相同的FP35R12W2T4與FP35R12W2T7,在相同dv/dt條件下(dv/dt=5600V/us),進(jìn)行測(cè)試。

我們?cè)O(shè)計(jì)了兩種典型工況對(duì)比方案,來(lái)對(duì)比IGBT4與IGBT7在相同的工況下的結(jié)溫,分別是連續(xù)大負(fù)載對(duì)比測(cè)試與慣量負(fù)載對(duì)比測(cè)試。待測(cè)IGBT模塊內(nèi)的IGBT芯片上預(yù)埋熱電偶,通過(guò)將熱電偶連接數(shù)據(jù)采集儀,可以直接讀出IGBT芯片結(jié)溫。

連續(xù)大負(fù)載對(duì)比測(cè)試

加載采用兩臺(tái)電機(jī)對(duì)拖,被測(cè)電機(jī)系統(tǒng)工作于電動(dòng)狀態(tài),負(fù)載電機(jī)系統(tǒng)工作于發(fā)電狀態(tài);

分別采用基于IGBT4和IGBT7的驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)被測(cè)電機(jī),兩臺(tái)驅(qū)動(dòng)器每次加載的開(kāi)關(guān)頻率、輸出電流/功率一樣;

采用功率分析儀測(cè)試驅(qū)動(dòng)器的輸入功率、輸出功率,計(jì)算驅(qū)動(dòng)器的損耗和效率。

下圖是連續(xù)大負(fù)載工況下的IGBT4與IGBT7結(jié)溫對(duì)比。

5baec54c-3629-11ec-82a8-dac502259ad0.png

從中可以看出,在8K開(kāi)關(guān)頻率下加載13分鐘,IGBT7和IGBT4的結(jié)溫差17℃。隨著加載時(shí)間的延長(zhǎng),結(jié)溫差還處于上升趨勢(shì)。

我們還對(duì)比了不同開(kāi)關(guān)頻率、同樣輸出功率(5.8KVA)情況下,IGBT7和IGBT4的溫升對(duì)比,如下圖所錄。橫軸是IGBT的開(kāi)關(guān)頻率;左邊的縱軸是NTC溫度與初始溫度相比的溫升。右邊的縱軸是IGBT4和IGBT7的溫升差。隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高,IGBT7和IGBT4的NTC溫升變大;10K開(kāi)關(guān)頻率下,IGBT7的NTC溫升比IGBT4降低19℃??梢钥吹?。由于IGBT7可以工作更高的結(jié)溫,因此可以實(shí)現(xiàn)更大輸出功率,實(shí)現(xiàn)功率跳檔。

慣量負(fù)載對(duì)比測(cè)試

兩臺(tái)分別裝載IGBT4與IGBT7,電機(jī)帶相同的慣量盤(pán)負(fù)載,轉(zhuǎn)速?gòu)?500轉(zhuǎn)/分鐘到-1500轉(zhuǎn)/分鐘的時(shí)間為250毫秒,穩(wěn)速運(yùn)行時(shí)間1.2s。穩(wěn)速運(yùn)行工況下,相輸出電流小于0.5A;因此此測(cè)試工況的平均功率比較小。

電機(jī)散熱條件相同,開(kāi)關(guān)頻率8kHz。

可以看出,在帶慣量盤(pán)加減速運(yùn)行工況下,IGBT7的結(jié)溫低于IGBT4。運(yùn)行13分鐘后驅(qū)動(dòng)器溫升還沒(méi)有達(dá)到平衡狀態(tài),此時(shí)結(jié)溫相差約7℃。

最后我們對(duì)這部分測(cè)試做一個(gè)總結(jié):

輸出同樣的功率,采用IGBT7的驅(qū)動(dòng)器結(jié)溫明顯降低,允許縮小散熱器的體積,從而驅(qū)動(dòng)器尺寸可以縮小;

如果同樣的散熱條件,采用IGBT7則可以輸出更大的功率,實(shí)現(xiàn)功率跳檔;

再加上IGBT7可以工作在更高的結(jié)溫,因此可以輸出更大的功率。

責(zé)任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 驅(qū)動(dòng)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    54

    文章

    9084

    瀏覽量

    155662
  • 伺服
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    693

    瀏覽量

    43373

原文標(biāo)題:IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試

文章出處:【微信號(hào):yflgybdt,微信公眾號(hào):英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    氮化硼墊片在第三代半導(dǎo)體功率器件SiC碳化硅IGBT單管內(nèi)外絕緣應(yīng)用方案

    優(yōu)化設(shè)計(jì)具有重要意義。本文旨在深入對(duì)比氮化硼墊片在SiC碳化硅IGBT單管內(nèi)外絕緣方案中的應(yīng)用,通過(guò)分析兩種方案的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、性能特點(diǎn)及成本差
    的頭像 發(fā)表于 03-07 11:40 ?142次閱讀
    氮化硼墊片在第三代半導(dǎo)體功率器件SiC碳化硅<b class='flag-5'>IGBT</b>單管內(nèi)外絕緣應(yīng)用<b class='flag-5'>方案</b>

    新品 | 采用6500V IGBT 4溝槽柵場(chǎng)截止技術(shù)的IHV-A模塊

    新品采用6500VIGBT4溝槽柵場(chǎng)截止技術(shù)的IHV-A模塊IHV系列6500V/675A/130mmIGBT模塊,應(yīng)用了IGBT4溝槽柵場(chǎng)截止技術(shù),是高壓直流輸電用電壓源換流器、牽引傳動(dòng)及工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 02-02 17:09 ?1878次閱讀
    新品 | 采用6500V <b class='flag-5'>IGBT</b> <b class='flag-5'>4</b>溝槽柵場(chǎng)截止技術(shù)的IHV-A模塊

    奧特IGBT光耦A(yù)T314,輕松實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)隔離電路耐壓可達(dá)5000Vrms

    隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)在電機(jī)控制、逆變電源等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。為了實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的IGBT驅(qū)動(dòng),AT314光耦作為一優(yōu)秀的隔離器件,在IGBT驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 12-15 13:28 ?541次閱讀
    奧特<b class='flag-5'>IGBT</b>光耦A(yù)T314,輕松實(shí)現(xiàn)<b class='flag-5'>IGBT</b>驅(qū)動(dòng)隔離電路耐壓可達(dá)5000Vrms

    深入解析FGHL75T65LQDTL4 IGBT:性能、特性與應(yīng)用

    在電力電子領(lǐng)域,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是至關(guān)重要的功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電力轉(zhuǎn)換和控制電路中。今天,我們將深入探討ON Semiconductor的FGHL75T65LQDTL4 IGBT,詳細(xì)了解其特性、參數(shù)以
    的頭像 發(fā)表于 12-09 11:05 ?2667次閱讀
    深入解析FGHL75T65LQDTL<b class='flag-5'>4</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>:性能、特性與應(yīng)用

    ?STGD4H60DF IGBT技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT設(shè)計(jì)采用先進(jìn)的溝槽式柵極場(chǎng)終止型結(jié)構(gòu)。STMicroelectronics STGD4H60
    的頭像 發(fā)表于 10-23 09:58 ?1777次閱讀
    ?STGD<b class='flag-5'>4</b>H60DF <b class='flag-5'>IGBT</b>技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    Microchip推出全新DualPack 3 IGBT7電源模塊 提供高功率密度并簡(jiǎn)化系統(tǒng)集成

    推出全新DualPack 3(DP3)系列電源模塊。該系列模塊采用先進(jìn)IGBT7技術(shù),提供1200V和1700V兩種電壓等級(jí)的六款產(chǎn)品,額定電流范圍300–900A,旨在滿足市場(chǎng)對(duì)緊湊、經(jīng)濟(jì)高效且簡(jiǎn)化的電源轉(zhuǎn)換器解決方案的日益增
    的頭像 發(fā)表于 09-17 15:45 ?1161次閱讀

    IGBT 芯片表面平整度差與 IGBT 的短路失效機(jī)理相關(guān)性

    ,IGBT 芯片表面平整度與短路失效存在密切關(guān)聯(lián),探究者的作用機(jī)理對(duì)提升 IGBT 可靠性具有重要意義。 二、IGBT 結(jié)構(gòu)與短路失效危害 IGB
    的頭像 發(fā)表于 08-25 11:13 ?1573次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b> 芯片表面平整度差與 <b class='flag-5'>IGBT</b> 的短路失效機(jī)理相關(guān)性

    IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)及 應(yīng)用電路實(shí)例

    本書(shū)結(jié)合國(guó)內(nèi)外IGBT的發(fā)展和最新應(yīng)用技術(shù),以從事IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)人員為本書(shū)的讀者對(duì)象,系統(tǒng)、全面地講解了IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)必備的基礎(chǔ)知識(shí),并選取和總結(jié)了IGBT
    發(fā)表于 07-14 17:32

    MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡

    在功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT兩種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn),適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE,幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景,能夠有效提高系統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 07-07 10:23 ?2818次閱讀
    MOSFET與<b class='flag-5'>IGBT</b>的選擇<b class='flag-5'>對(duì)比</b>:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡

    細(xì)數(shù)IGBT測(cè)試指標(biāo)及應(yīng)對(duì)檢測(cè)方案

    IGBT產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)較多,一般會(huì)包含如下幾種類型參數(shù):靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù),熱參數(shù)。動(dòng)態(tài)測(cè)試,主要是用于測(cè)試IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù),目前,主要采用雙脈沖測(cè)試方案。其測(cè)試主要方法是,加載脈沖電壓,用獲取
    的頭像 發(fā)表于 06-26 16:26 ?1537次閱讀
    細(xì)數(shù)<b class='flag-5'>IGBT</b>測(cè)試指標(biāo)及應(yīng)對(duì)檢測(cè)<b class='flag-5'>方案</b>

    浮思特 | 揭開(kāi)(IGBT)的神秘面紗,結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用解析

    在(絕緣柵雙極型晶體管)IGBT出來(lái)之前,最受歡迎和常用的功率電子開(kāi)關(guān)器件是雙極結(jié)晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。然而,這兩種組件在高電流應(yīng)用中都有一些限制。因此,我們轉(zhuǎn)向了另一
    的頭像 發(fā)表于 06-17 10:10 ?3207次閱讀
    浮思特 | 揭開(kāi)(<b class='flag-5'>IGBT</b>)的神秘面紗,結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用解析

    注入增強(qiáng)型IGBT學(xué)習(xí)筆記

    為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入了一電子注入增強(qiáng)效應(yīng)(Injection Enhancement Effect,IE),既可
    的頭像 發(fā)表于 05-21 14:15 ?1626次閱讀
    注入增強(qiáng)型<b class='flag-5'>IGBT</b>學(xué)習(xí)筆記

    MOSFET與IGBT的區(qū)別

    與二極管恢復(fù)相關(guān)的硬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通能耗,可通過(guò)恢復(fù)與IGBT組合封裝的二極管相同的二極管來(lái)測(cè)量,典型的Eon2測(cè)試電路如圖2所示。IGBT通過(guò)個(gè)脈沖進(jìn)行開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換來(lái)測(cè)量Eon。第一個(gè)脈沖將增
    發(fā)表于 03-25 13:43

    MSCGLQ50DH120CTBL2NG不對(duì)稱橋式高速IGBT4功率模塊規(guī)格書(shū)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MSCGLQ50DH120CTBL2NG不對(duì)稱橋式高速IGBT4功率模塊規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-17 17:14 ?0次下載

    功耗對(duì)IGBT性能的影響,如何降低IGBT功耗

    在電力電子的廣闊領(lǐng)域中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為核心器件,其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效率與穩(wěn)定性。而功耗問(wèn)題,始終是IGBT應(yīng)用中不可忽視的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。今天,就讓我們一同深入探究IGBT功耗背后的奧秘。
    的頭像 發(fā)表于 03-14 09:17 ?3.5w次閱讀
    功耗對(duì)<b class='flag-5'>IGBT</b>性能的影響,如何降低<b class='flag-5'>IGBT</b>功耗