91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

特斯拉、比亞迪、蔚來等都用了,碳化硅產(chǎn)業(yè)站上風(fēng)口!

Carol Li ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:李彎彎 ? 2021-11-08 07:57 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)近年來,電動(dòng)汽車的銷量持續(xù)快速提升,從中國(guó)市場(chǎng)來看,中汽協(xié)公布數(shù)據(jù)顯示,今年前三季度,我國(guó)新能源汽車產(chǎn)銷量分別達(dá)216.6萬輛和215.7萬輛,分別同比增長(zhǎng)1.8倍和1.9倍。中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)副總工程師許海東預(yù)計(jì),今年新能源汽車銷量有可能突破300萬輛。

全球新能源汽車總銷量連月大漲,根據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),今年9月,全球新能源汽車銷量達(dá)到68.5萬輛,創(chuàng)下最新記錄,至此全球新能源市場(chǎng)占有率首次突破10%大關(guān),達(dá)到10.2%,9月同比增幅達(dá)到98%。

10月統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)還未公布,不過從個(gè)別企業(yè)數(shù)據(jù)的增長(zhǎng)來看,仍然強(qiáng)勁,比亞迪日前公布10月銷量,當(dāng)月新能源車型銷量達(dá)到80003臺(tái),同比增長(zhǎng)262.9%,連續(xù)刷新月銷紀(jì)錄。上汽集團(tuán)10月新能源汽車銷量76988 輛,同比增長(zhǎng)58%,也是再創(chuàng)紀(jì)錄。

當(dāng)前,從特斯拉、到比亞迪、蔚來等品牌,都在電動(dòng)汽車中都在逐步采用碳化硅產(chǎn)品,來提升汽車的性能、功耗等,未來隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)滲透率逐步提高,預(yù)計(jì)碳化硅產(chǎn)業(yè)也將站上風(fēng)口。

特斯拉、比亞迪、蔚來等車企陸續(xù)采用碳化硅產(chǎn)品

碳化硅(SiC)是典型的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有開關(guān)速度快,關(guān)斷電壓高和耐高溫能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),在電動(dòng)汽車上,SiC功率半導(dǎo)體主要用于驅(qū)動(dòng)和控制電機(jī)的逆變器、車載DC/DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器等。

目前特斯拉、比亞迪以及蔚來已經(jīng)正式推出了碳化硅相關(guān)產(chǎn)品,特斯拉是最早嘗試在電動(dòng)汽車上使用碳化硅芯片的廠商,特斯拉在其Model3車型上,將SiC MOSFET用在主驅(qū)逆變器電力模塊上,共24顆,每顆封裝里面有兩個(gè)SiC Die,應(yīng)該說是共有48顆SiC MOSFET。

在國(guó)內(nèi)車企中,比亞迪在漢EV車型已經(jīng)開始使用自主研發(fā)的SiC MOSFET,搭載SiC MOSFET的電機(jī)控制器,使?jié)hEV四驅(qū)高性能版百公里加速度達(dá)到3.9秒,比采用IGBT 4.0芯片的唐EV的4.4秒高于0.5秒。據(jù)報(bào)道,預(yù)計(jì)到2023年,比亞迪將在旗下的電動(dòng)車中,全面采用SiC功率器件。

蔚來日前也宣布在ET7車型中應(yīng)用SiC功率模塊,實(shí)現(xiàn)了更強(qiáng)的加速和更長(zhǎng)的續(xù)航,百公里加速3.9秒。吉利也表示采用了基于SiC功率器件的控制器,吉利自研的碳化硅功率芯片,預(yù)計(jì)將于2023年量產(chǎn)。另外通用、豐田、小鵬、一汽等車企也都提出了采用碳化硅產(chǎn)品的規(guī)劃。

深受車企追捧 碳化硅使電動(dòng)汽車充電效率大幅提升

對(duì)于電動(dòng)汽車來說,續(xù)航和充電是需要重點(diǎn)關(guān)注的兩個(gè)點(diǎn),近幾年電動(dòng)汽車的續(xù)航已經(jīng)有很大提升,從原來的200km左右到現(xiàn)在最大超過700km,而如何提升充電效率成了當(dāng)前需要解決的難題。

過去大部分車型的動(dòng)力電池系統(tǒng)額定電壓都是400V,當(dāng)前越來越多的廠商推出800V高電壓平臺(tái),因?yàn)橄啾戎拢?00V電壓能夠使汽車充電效率有較大提升。最早在2019保時(shí)捷實(shí)現(xiàn)了800V高電壓量產(chǎn),之后吉利、比亞迪、通用、小鵬都推出了800V高電壓平臺(tái)。

通常允許使用的電壓范圍上限為系統(tǒng)額定電壓的115%~120% ,動(dòng)力電池額定電壓為400V的時(shí)候,充電時(shí)電壓基本在500V以內(nèi),比如奧迪e-tron,額定電壓是396V,使用150kW的直流快充樁充電,充電電壓最高451.9V,峰值電流為248A,絕大部分電動(dòng)車30分鐘左右充電30-80%。

800V高電壓的時(shí)候,比如小鵬在800V高壓平臺(tái)下,充電峰值電流大于600A,電驅(qū)最高效率將大于95%,充電5分鐘就可以實(shí)現(xiàn)200km的續(xù)航。長(zhǎng)安在800V電驅(qū)平臺(tái)下,充10分鐘可以補(bǔ)能200km續(xù)航。

碳化硅具有耐高壓、耐高溫、高頻等優(yōu)勢(shì),更適合用于800V電壓,深受電動(dòng)汽車廠商追捧,對(duì)于800V及以上高電壓平臺(tái),電機(jī)逆變器是關(guān)鍵,在400V平臺(tái)中基本采用硅基IGBT,在800V平臺(tái)中車企普遍采用SiC MOSFET,相較于前者,SiC MOSFET可以使整體系統(tǒng)效率提高8%,而且尺寸和重量也大幅縮小。

電動(dòng)汽車發(fā)展 有望推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)更加快速發(fā)展

近幾年碳化硅在業(yè)界的探索下,正在快速發(fā)展,然而從當(dāng)前來看,碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前也確實(shí)存在亟待解決的問題,一是成本過高,二是產(chǎn)能不足。

業(yè)內(nèi)人士表示,碳化硅當(dāng)前的成本還較高,要下降到跟硅硅接近,還需要幾年時(shí)間。產(chǎn)能方面,目前全球SiC晶圓產(chǎn)能大約只有40到60萬片,什么概念?比如特斯拉Model 3,如果把所有器件都換成SiC,平均兩輛車要消耗一片6英寸SiC晶圓,特斯拉預(yù)計(jì)會(huì)在2022年交付輛達(dá)到100萬輛,那么這時(shí)候如果SiC產(chǎn)能沒有提升,也就是說全球產(chǎn)能只夠特斯拉使用。

目前全球碳化硅的供貨格局還不夠完善,廠商主要在美國(guó)、歐洲、日本,美國(guó)企業(yè)占據(jù)全球碳化硅產(chǎn)量的70%-80%,歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈,日本在設(shè)備和模塊開發(fā)方面領(lǐng)先。在SiC外延片市場(chǎng),美國(guó)Wolfspeed、DowCorning和II-VI三家公司大概占到80%;在SiC襯底市場(chǎng),Wolfspeed、II-VI、日本昭和電工合計(jì)市占率超過75%。

中國(guó)在碳化硅SiC襯底和外延片方面較為薄弱,不過近年來在市場(chǎng)需求的推動(dòng)下,越來越多廠商進(jìn)入碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)域,比如天科合達(dá)、天岳等襯底材料廠商,瀚天天成、東莞天域等外延片廠商,比亞迪、斯達(dá)、泰科天潤(rùn)、基本半導(dǎo)體等器件廠商,另外三安光電已經(jīng)實(shí)現(xiàn)全流程國(guó)產(chǎn)化。

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)內(nèi)外主要廠商一覽,資料來源:Wind

三安光電旗下的三安集成于2018 年12月公布商業(yè)版本的6英寸碳SiC 晶圓制造流程。三安集成SiC 工藝技術(shù)可以為650V、1200V 和更高額定電壓的肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)提供器件結(jié)構(gòu),以及900V、1200V和更高額定電壓的SiC MOSFET 產(chǎn)品。今年6月湖南三安半導(dǎo)體基地一期項(xiàng)目正式點(diǎn)亮投產(chǎn),將打造國(guó)內(nèi)首條、全球第三條碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈,可月產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅晶圓。

當(dāng)前碳化硅的應(yīng)用市場(chǎng)還很小,不過從車企對(duì)碳化硅的追捧程度來看,在電動(dòng)汽車領(lǐng)域,碳化硅一定有很大的應(yīng)用趨勢(shì),如今電動(dòng)汽車正在快速發(fā)展,隨著更多廠商將碳化硅應(yīng)用在汽車上,在大規(guī)模市場(chǎng)需求的推動(dòng)下,碳化硅產(chǎn)業(yè)必然會(huì)在產(chǎn)能和成本上逐步提升,事實(shí)上碳化硅與硅在成本上的差距正在快速縮小,五年前碳化硅還是硅芯片的10倍,現(xiàn)在差不多只有兩倍差距。

小結(jié)

電動(dòng)汽車的爆發(fā)式增長(zhǎng),實(shí)際上是將碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展推向了風(fēng)口,行業(yè)巨頭Wolfspeed(原名Cree)指出,預(yù)計(jì)2022年,碳化硅在電動(dòng)車用市場(chǎng)空間將快速增長(zhǎng),達(dá)到24億美元,而在2017年的時(shí)候碳化硅的整體收入才700萬美元,也就是說會(huì)有接近350倍的增長(zhǎng)。

今年以來明顯看到越來越多的廠商進(jìn)入碳化硅賽道,包括不少車企自己進(jìn)行碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)中,比如一汽、比亞迪、江淮和長(zhǎng)城等,也有一些傳統(tǒng)芯片廠商通過收購入場(chǎng),比如安森美日前才完成對(duì)碳化硅(SiC)生產(chǎn)商GTAT的收購,瑞薩也宣布收購一家領(lǐng)先的碳化硅功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC。預(yù)想未來幾年,碳化硅產(chǎn)業(yè)將在電動(dòng)汽車市場(chǎng)需求推動(dòng)和產(chǎn)業(yè)鏈廠商積極入局下,不斷取得突破性進(jìn)展。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 比亞迪
    +關(guān)注

    關(guān)注

    20

    文章

    2566

    瀏覽量

    56293
  • 特斯拉
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    6413

    瀏覽量

    131394
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3472

    瀏覽量

    52395
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    200mm碳化硅襯底厚度與外延厚度的多維度影響

    我們能將碳化硅 (SiC) 襯底厚度推進(jìn)到多薄而不影響性能?這是我們幾十年一直在追問的問題,同時(shí)我們也在不斷突破碳化硅 (SiC) 材料性能的極限——因?yàn)槲覀冎老乱淮?b class='flag-5'>碳化硅 (Si
    的頭像 發(fā)表于 02-11 15:03 ?204次閱讀
    200mm<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底厚度與外延厚度的多維度影響

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動(dòng)脫碳的基石。碳化硅是高級(jí)電力系統(tǒng)的推動(dòng)劑,可滿足全球?qū)稍偕茉?、電?dòng)汽車 (EV
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1799次閱讀

    [新啟航]碳化硅 TTV 厚度測(cè)量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新方向

    一、引言 碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,在功率器件、射頻器件領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用??偤穸绕睿═TV)是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標(biāo),其精確測(cè)量對(duì)保障碳化硅器件性
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:53 ?1814次閱讀
    [新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測(cè)量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新方向

    SiC碳化硅功率半導(dǎo)體:電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的必然趨勢(shì)

    SiC碳化硅功率半導(dǎo)體:電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的必然趨勢(shì) 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)
    的頭像 發(fā)表于 09-21 20:41 ?628次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率半導(dǎo)體:電力電子行業(yè)自主可控與<b class='flag-5'>產(chǎn)業(yè)</b>升級(jí)的必然趨勢(shì)

    碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

    今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電器和電動(dòng)汽車領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:38 ?7171次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1679次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的精度提升策略

    摘要 本文針對(duì)激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中存在的精度問題,深入分析影響測(cè)量精度的因素,從設(shè)備優(yōu)化、環(huán)境控制、數(shù)據(jù)處理多個(gè)維度提出精度提升策略,旨在為提高碳化硅襯底 TTV 測(cè)量準(zhǔn)確性
    的頭像 發(fā)表于 08-12 13:20 ?1142次閱讀
    激光干涉法在<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底 TTV 厚度測(cè)量中的精度提升策略

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1199次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

    到IDM模式的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展歷程詮釋了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)路徑。國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)創(chuàng)立初期采用Fabless模式,專注于 芯片設(shè)計(jì)與市場(chǎng)開拓 ,但很快意識(shí)到IDM(集成設(shè)計(jì)制造)模式
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?1194次閱讀

    破浪前行 追光而上——向國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬

    破浪前行 追光而上——向國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬 值此五一勞動(dòng)節(jié)之際,我們向奮戰(zhàn)在國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)業(yè)一線的科研人員、工程師、生產(chǎn)工人以及所有推動(dòng)行業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:42 ?635次閱讀
    破浪前行 追光而上——向國(guó)產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET<b class='flag-5'>產(chǎn)業(yè)</b>勞動(dòng)者致敬

    碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1276次閱讀

    低劣品質(zhì)碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機(jī)直接推向“早衰”

    低質(zhì)量碳化硅MOSFET對(duì)SiC碳化硅MOSFET逆變焊機(jī)新興品類的惡劣影響 低質(zhì)量碳化硅MOSFET的濫用,可能將這一本應(yīng)引領(lǐng)焊機(jī)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的SiC
    的頭像 發(fā)表于 04-14 07:02 ?880次閱讀
    低劣品質(zhì)<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的濫用將SiC逆變焊機(jī)直接推向“早衰”

    碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),隨著國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET技術(shù)、成本及供應(yīng)鏈都日趨完善,國(guó)產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:12 ?1911次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

    電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
    發(fā)表于 03-12 11:31 ?1018次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的過渡?