經(jīng)典的AT89C51單片機，其內(nèi)部只有128字節(jié)RAM（內(nèi)存），同樣經(jīng)典的MSP430F149也只有2K的RAM空間。 即使現(xiàn)在用的比較多的STM32F1系列，其最大的RAM也不到100K。 很多小伙伴就有這樣的疑問：現(xiàn)在固態(tài)硬盤都以 T 為單位了，手機電腦內(nèi)存都是8G、甚至32G了，為什么單片機RAM連1M都不到？ 今天就來講講關(guān)于RAM以及單片機內(nèi)存少的幾點內(nèi)容。 （備注：本文說的單片機，指MCU，微控制器）

關(guān)于RAM

RAM：Random Access Memory，隨機存取存儲器，也是大家所說的內(nèi)存。

RAM是一種易失性存儲器，也就是說斷電就會丟失存儲數(shù)據(jù)。

RAM有一些常見特點：

隨機存取

易失性

對靜電敏感

訪問速度塊

······

隨著需求的提高，技術(shù)的進(jìn)步，RAM又發(fā)展了像SRAM、DRAM、SDRAM等多種類型的RAM存儲器，這里可以參看一下文章：SRAM、DRAM、SDRAM的區(qū)別

相對于Flash、硬盤等非易失性存儲器而言，RAM具有更快的讀寫速度，因此RAM廣泛用于各種單片機、嵌入式、計算機系統(tǒng)中。

但RAM也存在一些“不足”，導(dǎo)致在很多場合，RAM的容量都相對比較小。

RAM容量小的幾點原因

RAM相對Flash、硬盤而言，要做到足夠大容量，其成本相對Flash要多的多。

1.RAM工藝更復(fù)雜

RAM要求速度更快，電流又不能太大，為了能盡量滿足和平衡更高要求，就需要使用更特殊和更先進(jìn)的半導(dǎo)體電容技術(shù)。

2.更大的硅面積

因為RAM的工藝更復(fù)雜，其占用硅面積相對更大。

大家應(yīng)該都知道芯片的制造過程，目前芯片主要使用硅這種材料制作芯片（當(dāng)前，現(xiàn)在也發(fā)明了更先進(jìn)的材料），占用硅面積更大，意味著單個芯片成本更貴，相信這個原理大家都懂。

通過認(rèn)識wafer、die、cell它們的關(guān)系你就能大概理解芯片其實是“批量”生成的。

3.功耗原因

單片機通常要求功耗不能太多，特別是低功耗的單片機，在待機模式下，要求nA級別的電路。

為了滿足低功耗，單片機中RAM，通常是靜態(tài)RAM（SRAM）。

這里要擴(kuò)展一下與SRAM對應(yīng)的DRAM（動態(tài)RAM），顧名思義，動態(tài)RAM就是需要定時給電容補充漏掉的電荷，也就是需要定時刷新，DRAM需要驅(qū)動電路，功耗相對SRAM自然更大。

4.單片機大容量RAM需求不大

大家都知道，使用單片機開發(fā)的項目，通常都是裸機，或者RTOS，一般不會用到大型軟件，特別是早期的時候（早期少數(shù)對RAM有需求的項目，一般通過外擴(kuò)RAM的方式）。

所以，早期很多項目對單片機RAM容量要求不高，甚至有很大一部分RAM都沒有用到。

當(dāng)然，隨著UI、AI、物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，現(xiàn)在對單片機RAM的需求也在不斷增加，很多新出的單片機RAM容量也在不斷增加，比如256K，甚至512K了。

5.其他

除了以上說的幾點，還有像壽命、穩(wěn)定性、兼容性等也是間接影響RAM大小的因素。

最后，歡迎大家補充更多的原因。

責(zé)任編輯：haq