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電動汽車市場對SiC器件的需求與日俱增

Qorvo半導(dǎo)體 ? 來源:Qorvo半導(dǎo)體 ? 作者:Qorvo半導(dǎo)體 ? 2021-12-22 14:45 ? 次閱讀
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因為其領(lǐng)先的性能優(yōu)勢,電動汽車市場對 SiC 器件的需求與日俱增。

據(jù) TrendForce 集邦咨詢研究顯示,隨著電動車滲透率不斷升高,預(yù)估 2025 年全球電動車市場對 6 英寸 SiC 晶圓需求可達 169 萬片。他們進一步指出,從目前來看,電動車已成為 SiC 核心應(yīng)用場景,其中 OBC(車載充電器)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器組件對于 SiC 器件的應(yīng)用已經(jīng)相對成熟,而基于 SiC 的主驅(qū)逆變器仍未進入大規(guī)模量產(chǎn)階段。

集邦咨詢同時還表示,上游 SiC 襯底材料環(huán)節(jié)將成為產(chǎn)能關(guān)鍵制約點,其制程復(fù)雜、技術(shù)門檻高、晶體生長緩慢。現(xiàn)階段用于功率器件的 N 型 SiC 襯底仍以 6 英寸為主。雖然現(xiàn)在有廠商推動往 8 英寸轉(zhuǎn)變,但由于良率提升及功率晶圓廠由 6 英寸轉(zhuǎn) 8 英寸需要一定的時間周期。因此集邦咨詢強調(diào),至少未來 5 年內(nèi) 6 英寸 SiC 襯底都仍為主流。

對于 Qorvo 來說,在早前宣布收購 UnitedSiC 之后,也順勢成為了這個市場的重要玩家。

自 1999 年成立以來,UnitedSiC 一直聚焦在 SiC 器件的研發(fā)?;诙嗄陙淼慕?jīng)驗,UnitedSiC 已經(jīng)推出了多系列的 SiC 產(chǎn)品,能直接替代 PFC、LLC 或 PSFB 拓撲的 Si 超級結(jié),并與競爭對手的 SiC MOSFET 柵極驅(qū)動直接兼容。成為全球唯一一家擁有同時兼容 SiC 和 Si 驅(qū)動的 SiC FET 制造商。

在去年年底,UnitedSiC 推出了其第四代 SiC FET,并基于其第四代 SiC FET 先進技術(shù)平臺推出四款首批器件。讓其強大的業(yè)界領(lǐng)先 SiC FET 產(chǎn)品組合更趨完善。該產(chǎn)品性能取得了突破性發(fā)展,旨在加速在汽車充電、工業(yè)充電、電信整流器、數(shù)據(jù)中心 PFC 直流轉(zhuǎn)換、可再生能源和儲能應(yīng)用中采用寬帶隙器件。這四款新型 SiC FET 包含導(dǎo)通電阻 RDS(on)18 mΩ 和 60mΩ 兩種方案,其性能表征 FoM 達到最優(yōu),并且其單位面積通態(tài)電阻更低。此外,該器件采用先進的燒結(jié)式晶粒粘接技術(shù),改進了熱性能,從而實現(xiàn)了大額定電流

據(jù) UnitedSiC 介紹,公司的 SiC FET 在全球快速增長的市場中得到廣泛認(rèn)可,尤其是在如 LLC 和移相全橋這樣的高壓 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換拓撲以及 AC-DC 應(yīng)用(如替代 Vienna Rectifier 的 6 開關(guān) SiC 解決方案和圖騰柱 PFC)市場。

面向快速增長的 EV 電機驅(qū)動市場中,UnitedSiC 提供的、行業(yè)最高性能、最低 R(DS)-on ,額定電壓為 650 V 和 1200 V的產(chǎn)品正迅速成為 EV 電源設(shè)計人員的首選產(chǎn)品。

SiC FET 是性能和可靠性改進的主要貢獻者,可降低下一代數(shù)據(jù)中心的整體系統(tǒng)成本。此外,UnitedSiC 還為工業(yè)車輛提供重要的充電時間和充電時間優(yōu)勢。

最后,UnitedSiC 卓越的效率等級使其產(chǎn)品成為太陽能電池陣列技術(shù)的完美解決方案選擇。鑒于這種類型的設(shè)計師接受度,很明顯碳化硅器件正在成為這些快速增長市場的關(guān)鍵推動因素之一。

原文標(biāo)題:咨詢機構(gòu):2025 年,電動車對 6 英寸 SiC 晶圓需求可達 169 萬片

文章出處:【微信公眾號:Qorvo半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:咨詢機構(gòu):2025 年,電動車對 6 英寸 SiC 晶圓需求可達 169 萬片

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