Vishay Siliconix n 溝道MOSFET

超級結(jié)器件降低傳導和開關損耗

提高通信、服務器和數(shù)據(jù)中心應用能效

Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET 低 27 %，為通信、服務器和數(shù)據(jù)中心電源應用提供了高效解決方案，同時實現(xiàn)柵極電荷下降 60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類器件中達到業(yè)內(nèi)先進水平，該參數(shù)是 600 V MOSFET 在功率轉(zhuǎn)換應用中的關鍵指標(FOM)。

Vishay 豐富的 MOSFET 技術全面支持功率轉(zhuǎn)換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種新型電子系統(tǒng)。隨著 SiHK045N60E 的推出以及即將發(fā)布的第四代 600 V E 系列產(chǎn)品，公司可在電源系統(tǒng)架構(gòu)設計初期滿足提高能效和功率密度的要求——包括功率因數(shù)校正和硬切換 AC/DC 轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)。

SiHK045N60E 采用 Vishay 最新高能效E系列超級結(jié)技術，10 V 下典型導通電阻僅為 0.043 Ω，超低柵極電荷下降到 65 nC。器件的 FOM 為 2.8 Ω*nC，比同類接近的 MOSFET 競品器件低 3.4 %。SiHK045N60E 有效輸出電容 Co(er) 為117 pF，有助于改善開關性能。這些性能參數(shù)意味著降低了傳導和開關損耗，從而達到節(jié)能效果。SiHK045N60E 結(jié)殼熱阻 RthJC 為 0.45 C/W，比接近的競品器件低 11.8 %，具有更加出色的熱性能。該器件采用 PowerPAK 10x12 封裝，符合 RoHS 標準，無鹵素，可承受雪崩模式下過壓瞬變，并保證極限值 100 % 通過 UIS 測試。

SiHK045N60E 現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨信息可與當?shù)?Vishay 銷售代表聯(lián)系或發(fā)送電子郵件至 hvm@vishay.com。

原文標題：FOM 僅 2.8 Ω*nC!第四代 600V E 系列 MOSFET，傳導損耗更低

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審核編輯：湯梓紅