陶瓷電容器使用陶瓷材料作為介電材料。陶瓷材料種類繁多，介電常數(shù)和穩(wěn)定性不同，適用于不同的場(chǎng)合。

陶瓷電容主要有以下幾種：

5.1 陶瓷圓盤電容器

陶瓷電容的主要優(yōu)點(diǎn)是可以承受高電壓，通常用作安規(guī)電容，可以承受250V交流電壓。其外觀和結(jié)構(gòu)如下圖所示：

圖 12。陶瓷圓盤電容器的結(jié)構(gòu)

5.2 多層陶瓷電容器

多層陶瓷電容器，即MLCC，貼片多層陶瓷電容器是目前世界上應(yīng)用最廣泛的電容器類型。它們的標(biāo)準(zhǔn)化封裝和小尺寸適用于自動(dòng)化高密度芯片生產(chǎn)。

多層陶瓷電容器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示：

圖 13。片式多層陶瓷電容器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

5.3 單片電容器

由于多層陶瓷需要燒結(jié)和瓷化形成一個(gè)整體結(jié)構(gòu)，所以引線封裝中的多層陶瓷電容器也稱為獨(dú)石電容器。

獨(dú)石電容器的結(jié)構(gòu)是幾片陶瓷薄膜坯料用電極焊盤材料包覆，層壓后一次繞成不可分割的整體，外面用樹脂包封。

獨(dú)石電容器是一種體積小、容量大、可靠性高、耐高溫的新型電容器。具有高介電常數(shù)的低頻獨(dú)石電容器也具有穩(wěn)定的性能并且有源體積小。

5.4陶瓷介質(zhì)分類

根據(jù)EIA-198-1F-2002，陶瓷介質(zhì)主要分為四類：

I類：具有溫度補(bǔ)償特性的陶瓷介質(zhì)，介電常數(shù)大多較低，不超過200。通常是順電介質(zhì)。在溫度、頻率和偏置電壓下，介電常數(shù)比較穩(wěn)定，變化很小。損耗也很低，耗散因數(shù)小于0.01。

圖 14。根據(jù) EIA 規(guī)范對(duì) 1 類電容器進(jìn)行編碼

最穩(wěn)定和使用最多的是C0G電容，即NP0。NP0 是 IEC/EN 60384-1 標(biāo)準(zhǔn)的代號(hào)，即負(fù)正零，使用 N 和 P 表示正偏差和負(fù)偏差。

由于介電常數(shù)低，C0G電容的電容值很小，最高可達(dá)0.1uF。0402 封裝通常最大為 1000pF。

II、III類：其中溫度特性AS屬于II類，介電常數(shù)在幾千左右。溫度特性TV屬于Class III，介電常數(shù)可高達(dá)20000，可見Class III的性能更不穩(wěn)定。根據(jù)IEC的分類，II類和III類都屬于第二類，高介電常數(shù)介質(zhì)。比如X5R和X7R屬于II類電容，廣泛用于電源去耦，而Y5V屬于III類電容，性能不穩(wěn)定。

圖 15。2 類和 3 類電容器的 EIA 編碼

II、III類電容器的電容值可達(dá)數(shù)百uF，但由于介電常數(shù)較高的介質(zhì)，大多為鐵電介質(zhì)（Ferroelectric），溫度穩(wěn)定性較差。此外，鐵電介質(zhì)的介電常數(shù)在直流偏壓下會(huì)降低。

第四類：制造工藝不同于通常的陶瓷材料。內(nèi)部陶瓷顆粒在外面都是一層薄薄的氧化層，核心是導(dǎo)體。這類電容器容量大，但擊穿電壓小。由于這些電容性能不穩(wěn)定、損耗大，目前已基本被淘汰。

審核編輯 ：李倩